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一种二硼化锆基超高温陶瓷焊接接头及其制备方法

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本发明涉及一种二硼化锆基超高温陶瓷焊接接头及其制备方法，所述二硼化锆基超高温陶瓷焊接接头包括至少两个二硼化锆基超高温陶瓷基体和位于所述二硼化锆基超高温陶瓷基体之间的超高温焊料层，其中在所述二硼化锆基超高温陶瓷基体和高温焊料层之间具有由两者相互渗透形成的界面反应层，所述高温焊料层的化学组成为Ni

著录项

公开/公告号CN106927848A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-07

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海硅酸盐研究所;
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申请/专利号CN201511015891.9
发明设计人张辉;闫永杰;刘岩;刘学建;黄政仁;
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申请日2015-12-29
分类号C04B37/00;
代理机构上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);
代理人曹芳玲
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2023-06-19 02:44:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-11

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B37/00 申请公布日:20170707 申请日:20151229

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-08-01

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B37/00 申请日:20151229

实质审查的生效
2017-07-07

公开

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专利
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1. 一种二硼化锆基超高温陶瓷焊接接头及其制备方法 [P] . 中国专利： CN106927848A . 2017-07-07
2. 一种二硼化锆基超高温陶瓷低温高速超塑性成形方法 [P] . 中国专利： CN112794720A . 2021-05-14
3. process for the manufacture of a transistor and an n type oppervlaktedeel a halfgeleiderlichaam a p - type basisgebied is formed by a first bundle of boriumionen borium according to a first and second division with a bundle of boriumionen boron in a second division to implant in the oppervlaktedeel and where the basisgebied a n type emittergebied is gewerkwijze for the manufacture of a transistor and an n type oppervlaktedeel a halfgeleiderlichaam a p - type basisgebied is formed by a first bundle of bori [P] . NL167548B . 1981-07-16

机译：用于制造晶体管和n型oppervlaktedeel的方法，由第一和第二部分的第一束硼化硼与第二部分中的一束硼化硼形成第二半硼化硼的ap型基础，并植入到oppervlaktedeel和其中基极类型为发射极基元的是gewerkwijze，用于制造晶体管，n型基极是由第一束硼化物形成的半geleideriderlichaam ap型基基。
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机译：氧化锆/二硼化锆复合物的制备方法
5. Method for preparing a zirconia/zirconium diboride composite [P] . 美国专利： US5827470A . 1998-10-27

机译：氧化锆/二硼化锆复合物的制备方法