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公开/公告号CN106813554A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-09
原文格式PDF
申请/专利权人 上海艾港风电科技发展有限公司;
申请/专利号CN201510868032.8
发明设计人 吴修国;刘华伟;邢伟光;沈懿;李成威;童贤涛;
申请日2015-12-01
分类号G01B5/08;
代理机构上海弼兴律师事务所;
代理人胡美强
地址 201307 上海市浦东新区泥城镇重装备产业区妙香路1318号
入库时间 2023-06-19 02:34:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G01B5/08 申请日:20151201
实质审查的生效
2017-06-09
公开
机译: 用于减少和/或消除SiC外延膜生长中外延层/衬底界面附近的基面位错的预处理方法
机译: 减少和/或消除SiC外延膜生长过程中靠近外延层/衬底界面的基面位错的预处理方法
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机译:多层扩散碳纳米管(MWCNT-BPPG)修饰的基面热解石墨(BPPG)电极上尼古丁电化学检测中的薄层扩散效应
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机译:缺陷检测轨道基面积使用红外热成像
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