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一种半导体严苛工艺环境下的真空干泵氮气加热装置

摘要

本发明涉及一种半导体严苛工艺环境下的真空干泵氮气加热装置,内部气管道安装在外壳内,一端设有穿出外壳的进气口,内部气管道外围设有安装在外壳内的绝热层,绝热层内填充有缠绕在内部气管道外围的双螺旋加热管,双螺旋加热管的一端由外壳穿出、分别连接有接线端子;内部气管道内设有依次嵌套的多个气体管道,每个气体管道的一端均安装在相邻外层的气体管道上,每个气体管道的另一端均与相邻外层气体管道的同一端之间留有间隙,位于最外层的气体管道安装在内部气管道上,位于最内层的气体管道安装在外壳上,且一端由外壳穿出、作为出气口,各气体管道之间形成折回的气路。本发明具有加热效率高,均匀性好的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN106756879A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201510818026.1

  • 发明设计人 王光玉;孔祥玲;毕德龙;

    申请日2015-11-23

  • 分类号C23C16/44;

  • 代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司;

  • 代理人白振宇

  • 地址 110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号

  • 入库时间 2023-06-19 02:17:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-19

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C16/44 申请公布日:20170531 申请日:20151123

    发明专利申请公布后的撤回

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/44 申请日:20151123

    实质审查的生效

  • 2017-05-31

    公开

    公开

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