一种基于多小孔缺陷直接耦合微腔的高性能光子晶体传感器结构

摘要

本发明涉及一种基于多小孔缺陷直接耦合微腔的高性能光子晶体传感器结构。本发明将光子晶体中间一行两侧空气孔移除只剩中间七个。在中心空气孔与其周围六个空气孔构成的六个等边三角形中心的位置分别放置一个小空气孔，将中心空气孔移除，形成多小孔缺陷腔。本发明通过在缺陷腔中引入多个小孔，增加缺陷腔区域的表面积以增加缺陷腔的品质因数Q和灵敏度S，最终达到提高光子晶体传感器性能的目的。多小孔缺陷腔的品质因数Q最高可达71881，灵敏度可达236nm/RIU，因此本发明提供的光子晶体直接耦合微腔传感器性能参数FOM可高达11238，较其他直接耦合微腔传感器提高了两个数量级,是一种高性能的光子晶体传感器结构，可用于生物传感或气体传感领域。