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一种晶向小晶粒铸造多晶硅的制备方法

摘要

本发明涉及一种晶向小晶粒铸造多晶硅的制备方法,包括如下步骤:1)将晶向的碎单晶硅片平铺在反应器底部,形成籽晶层;继续将硅原料与掺杂元素置于籽晶层上;2)加热反应器使籽晶层上的硅原料与掺杂元素完全熔化,而籽晶层不被完全熔化;3)热交换从反应器底部开始,使晶向的碎单晶硅片作为籽晶,诱导晶体生长,通过定向凝固形成多晶硅。该方法不但得到了低位错密度的小晶粒铸造多晶硅,而且铸锭的晶粒取向统一为晶向,解决了高效铸造多晶硅无法使用碱腐蚀制绒的技术难题。

著录项

  • 公开/公告号CN106676628A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201710120924.9

  • 发明设计人 杨德仁;祝洪良;余学功;

    申请日2017-03-02

  • 分类号C30B28/06;C30B29/06;

  • 代理机构杭州天勤知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈华

  • 地址 310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2023-06-19 02:09:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-10

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B28/06 申请公布日:20170517 申请日:20170302

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B28/06 申请日:20170302

    实质审查的生效

  • 2017-05-17

    公开

    公开

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