公开/公告号CN106653404A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-10
原文格式PDF
申请/专利权人 松下电子部品(江门)有限公司;
申请/专利号CN201611218395.8
发明设计人 奥野茂男;
申请日2016-12-26
分类号H01G13/00;H01G13/02;
代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司;
代理人江侧燕
地址 529101 广东省江门市新会区会城大道18号
入库时间 2023-06-19 02:02:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-08
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G13/00 申请公布日:20170510 申请日:20161226
发明专利申请公布后的驳回
2017-06-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01G13/00 申请日:20161226
实质审查的生效
2017-05-10
公开
公开
机译: 一种用于制造金属纳米粒子嵌入式MOS电容器的纳米粒子的尺寸和密度的独立控制方法及其用于非易失性存储器的金属纳米粒子嵌入式MOS电容器
机译: 一种制造模拟电容器以防止泄漏电流通过小电源电压增加和制造模拟电容器的方法
机译: 制造电容器的方法,该电容器可抵抗热损伤,以减少金属膜电容器中的热损伤,并制造一种电容器,该电容器的金属尖端的电极连接在金属膜中