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公开/公告号CN106601286A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-26
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南国科微电子股份有限公司;
申请/专利号CN201611183102.7
发明设计人 熊明霞;杨万云;周士兵;彭鹏;马翼;田达海;
申请日2016-12-20
分类号G11C11/406(20060101);
代理机构43113 长沙正奇专利事务所有限责任公司;
代理人卢宏
地址 410131 湖南省长沙市经济技术开发区东十路南10号
入库时间 2023-06-19 02:02:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-24
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/406 申请日:20161220
实质审查的生效
2017-04-26
公开
机译: 动态存储器刷新控制器,包括该控制器的存储器系统以及控制动态存储器刷新的方法
机译: 动态存储器刷新控制器,包括该存储器的存储器系统和控制动态存储器刷新的方法
机译: 在扫描存储器控制器时以自刷新模式刷新由计算机系统中的存储器控制器控制的存储器的方法
机译:DDRx接口标准的可编程存储器控制器
机译:PARDIS:DDRx接口标准的可编程存储器控制器
机译:当重新激活的视觉掩码中断串行回忆证据时,刷新刷新在工作存储器中的存储器迹线重新激活
机译:PARDIS:用于DDRx接口标准的可编程存储器控制器
机译:异步微控制器中的非易失性存储器适配,用于低泄漏功率和快速接线时间
机译:一种在随机振动环境中使用长短期存储器网络和卡尔曼滤波器的MEMS陀螺仪误差补偿的组合方法
机译:paRDIs:用于DDRx接口标准的可编程存储器控制器
机译:基于块的多周期刷新节能动态存储器