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DDRx SDRAM存储器刷新方法及存储器控制器

摘要

本发明提供一种DDRx SDRAM存储器刷新方法,包括:(a)若命令状态机处于忙碌状态时收到刷新请求,且N<M,则命令状态机拒绝刷新请求且拉高第一标志位,并且N加1,其中N为第一计数器的值,M为[4,8]内的任一整数;(b)若N=M,则拉高第二标志位,第一计数器向命令状态机发送紧急刷新请求;命令状态机响应刷新请求,并向DDRx SDRAM存储器连续发送M个刷新命令。本发明还提供一种DDRx SDRAM存储器控制器。本发明取消了每7.8us必须发送一次刷新命令的常规固定做法;从而保证在SDRAM耐受范围内,正常数据读写操作的命令优先级高于刷新命令的发送,在最大限度内缓解了刷新命令对正常读写命令效率的破坏。

著录项

  • 公开/公告号CN106601286A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南国科微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201611183102.7

  • 申请日2016-12-20

  • 分类号G11C11/406(20060101);

  • 代理机构43113 长沙正奇专利事务所有限责任公司;

  • 代理人卢宏

  • 地址 410131 湖南省长沙市经济技术开发区东十路南10号

  • 入库时间 2023-06-19 02:02:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/406 申请日:20161220

    实质审查的生效

  • 2017-04-26

    公开

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