FED离子探测器及使用其的系统

摘要

本发明公开了一种场效应晶体管（FET）离子传感器和使用该离子传感器的系统。本发明的FET离子传感器包括由半导体形成的沟道和设置在沟道顶部的栅极绝缘层，其中离子分子被吸附到沟道的表面，从而允许栅极绝缘层带电使得通道的导电率改变。