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一种基于可见光二次激发的高显指白光量子点LED及其制备方法

摘要

本发明属于半导体照明技术领域,具体为一种基于可见光二次激发的高显指白光LED及其制备方法。本发明LED的基本结构为:在高导热陶瓷基片上,依次为紫外LED芯片、C量子点发光薄膜、发绿光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜、发红光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜;配光透镜为半球形,将整个芯片罩在配光透镜内。它以紫外LED为激发光源,通过调节三层量子点薄膜的厚度,来实现高光效,高显色指数的白光量子点LED。与传统发光模式不同的是,它不是用紫外光源直接激发三种发光层,而是用紫外激发C量子点产生蓝光,然后用蓝光激发CdTe/ZnS量子点产生绿光和红光,从而实现高显色指数的白光。这种LED采用可见光激发,可以减少紫外光的泄露,并且选用材料绿色无毒,且成本低廉。

著录项

  • 公开/公告号CN106450011A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN201610836886.2

  • 申请日2016-09-21

  • 分类号H01L51/50(20060101);H01L51/56(20060101);

  • 代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞;陆尤

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2023-06-19 01:39:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20160921

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

    公开

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