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一种普通瓷砖与通体瓷砖的共同生产方法

摘要

本发明提供了一种普通瓷砖与通体瓷砖的共同生产方法,包括:步骤一、制成普通瓷砖坯体;步骤二、制成通体瓷砖坯体;步骤三、烧成:将普通瓷砖坯体和通体瓷砖坯体同时放在同一烧结窑炉中烧结,以得到普通瓷砖初成品和通体瓷砖初成品,且烧成温度控制在1190℃~1200℃,并保温20分钟;步骤四、抛光:将普通瓷砖初成品和通体瓷砖初成品分别进行磨、抛,以得到普通瓷砖成品和通体瓷砖成品。本发明的有益效果:实现了在同一个烧结窑炉中同时烧结普通瓷砖以及通体瓷砖。

著录项

  • 公开/公告号CN106396648A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北盛世华沣陶瓷有限公司;

    申请/专利号CN201610756847.1

  • 发明设计人 黄林;

    申请日2016-08-29

  • 分类号C04B35/14;C04B35/626;C04B35/64;E04F13/14;

  • 代理机构重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张景根

  • 地址 444100 湖北省当阳市锦屏大道1号

  • 入库时间 2023-06-19 01:31:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-21

    授权

    授权

  • 2017-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/14 申请日:20160829

    实质审查的生效

  • 2017-02-15

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及瓷砖制作工艺,具体涉及一种普通瓷砖与通体瓷砖的共同生产方法。

背景技术

普通瓷砖是以耐火的金属氧化物及半金属氧化物,经由研磨、混合、压制、施釉、烧结之过程,而形成的一种耐酸碱的瓷质或石质等,建筑或装饰材料,称之为瓷砖。其原材料多由粘土、石英砂等等混合而成。一般普通瓷砖的烧结温度是1195℃。

通体瓷砖是将岩石碎屑经过高压压制而成,表面抛光后坚硬度可与石材相比,吸水率更低,耐磨性好。通体瓷砖的表面不上釉,而且正面和反面的材质和色泽一致,因此得名。一般通体瓷砖的烧结温度是1250℃。

由于普通瓷砖和通体瓷砖的材质的差异,导致它们各自的烧结温度而有所差异,因此它们无法在生产时在同一个烧结窑炉中烧结。而烧结窑炉都是大体积的,能够容纳上百块瓷砖一同烧结,对于普通瓷砖和通体瓷砖需要的数量可以容纳在一个烧结窑炉的情况,也不能将普通瓷砖和通体瓷砖在一个烧结窑炉中同时烧结,需要分开烧结,因此需要耗费双倍的时间,同时也耗费双倍的燃烧材料,不满足现代化节能高效生产要求。

发明内容

针对现有技术中所存在的不足,本发明提供了一种普通瓷砖与通体瓷砖的共同生产方法,实现了在同一个烧结窑炉中同时烧结普通瓷砖以及通体瓷砖。

为实现上述目的,本发明采用了如下的技术方案:

一种普通瓷砖与通体瓷砖的共同生产方法,包括:

步骤一、制成普通瓷砖坯体,具体包括以下步骤:

11)配料入球:将聚晶微粉和辅料混合配成普通配料,并将配置好的普通配料输送至球磨机中,其中,聚晶微分按照质量份计包括下列组分:SiO2>2O316.5-17.5份、CaO>2O>2O>2O3>2>

12)研磨:先在普通配料中加入蒙脱石和有机高分子增强剂,然后启动球磨机进行球磨,制成普通浆料;

13)喷雾制粉:将上述普通浆料用喷雾干燥塔进行喷雾干燥制得普通粉料,控制所述普通粉料中的聚晶微粉料的含水重量比例为5.6%~6.3%,并将普通粉料陈腐24~32小时;

14)压制成型:将上述普通粉料压制成普通瓷砖坯体;

步骤二、制成通体瓷砖坯体,具体包括以下步骤:

21)通体配料入球:将通体微粉和辅料混合配成通体配料,并将配置好的通体配料输送至球磨机中,其中,通体微分按照质量份计包括下列组分:SiO2>2O3>2O>2O>2O3>2>

22)研磨:先在通体配料中加入蒙脱石和有机高分子增强剂,然后启动球磨机进行球磨,制成通体浆料;

23)喷雾制粉:将上述通体浆料用喷雾干燥塔进行喷雾干燥制得通体粉料,控制所述通体粉料中的聚晶微粉料的含水重量比例为5.6%~6.3%,并将该通体粉料陈腐24~32小时;

24)压制成型:将上述通体粉料压制成通体瓷砖坯体;

步骤三、烧成:将普通瓷砖坯体和通体瓷砖坯体同时放在同一烧结窑炉中烧结,以得到普通瓷砖初成品和通体瓷砖初成品,且烧成温度控制在1190℃~1200℃,并保温20分钟;

步骤四、抛光:将普通瓷砖初成品和通体瓷砖初成品分别进行磨、抛,以得到普通瓷砖成品和通体瓷砖成品。

相比于现有技术,本发明具有如下有益效果:

通过调节通体瓷砖的通体配料成分,实现了在同一个烧结窑炉中同时烧结普通瓷砖以及通体瓷砖,提高了生产速度,节约了能量消耗,同时也保证了通体瓷砖的各项性能参数与单独生产的通体瓷砖的各项性能参数一致。

附图说明

图1a中为实施例1中制造的普通瓷砖的吸水率和体积密度与烧成温度的关系图;

图1b中为实施例1中制造的普通瓷砖的烧成收缩率与烧成温度的关系图;

图1c中为实施例1中制造的普通瓷砖的抗弯强度与烧成温度的关系图;

图2a中为实施例1中制造的通体瓷砖的吸水率和体积密度与烧成温度的关系图;

图2b中为实施例1中制造的通体瓷砖的烧成收缩率与烧成温度的关系图;

图2c中为实施例1中制造的通体瓷砖的抗弯强度与烧成温度的关系图;

图3a中为实施例2中制造的普通瓷砖的吸水率和体积密度与烧成温度的关系图;

图3b中为实施例2中制造的普通瓷砖的烧成收缩率与烧成温度的关系图;

图3c中为实施例2中制造的普通瓷砖的抗弯强度与烧成温度的关系图;

图4a中为实施例3中制造的普通瓷砖的吸水率和体积密度与烧成温度的关系图

图4b中为实施例3中制造的普通瓷砖的烧成收缩率与烧成温度的关系图;

图4c中为实施例3中制造的普通瓷砖的抗弯强度与烧成温度的关系图。

具体实施方式

实施例1:

本发明提出了一种普通瓷砖与通体瓷砖的共同生产方法,包括:

步骤一、制成普通瓷砖坯体,具体包括以下步骤:

11)配料入球:将聚晶微粉和辅料混合配成普通配料,并将配置好的普通配料输送至球磨机中,其中,聚晶微分按照质量份计包括下列组分:SiO2>2O3>2O>2O>2O3>2>

12)研磨:先在普通配料中加入蒙脱石和有机高分子增强剂,然后启动球磨机进行球磨,制成普通浆料;

13)喷雾制粉:将上述普通浆料用喷雾干燥塔进行喷雾干燥制得普通粉料,控制所述普通粉料中的聚晶微粉料的含水重量比例为5.6%~6.3%,并将普通粉料陈腐24~32小时;

14)压制成型:将上述普通粉料压制成普通瓷砖坯体;

步骤二、制成通体瓷砖坯体,具体包括以下步骤:

21)通体配料入球:将通体微粉和辅料混合配成通体配料,并将配置好的通体配料输送至球磨机中,其中,通体微分按照质量份计包括下列组分:SiO2>2O3>2O>2O>2O3>2>

22)研磨:先在通体配料中加入蒙脱石和有机高分子增强剂,然后启动球磨机进行球磨,制成通体浆料;

23)喷雾制粉:将上述通体浆料用喷雾干燥塔进行喷雾干燥制得通体粉料,控制所述通体粉料中的聚晶微粉料的含水重量比例为5.6%~6.3%,并将该通体粉料陈腐24~32小时;

24)压制成型:将上述通体粉料压制成通体瓷砖坯体;

步骤三、烧成:将普通瓷砖坯体和通体瓷砖坯体同时放在同一烧结窑炉中烧结,以得到普通瓷砖初成品和通体瓷砖初成品,且控制烧成温度,并保温20分钟;

步骤四、抛光:将普通瓷砖初成品和通体瓷砖初成品分别进行磨、抛,以得到普通瓷砖成品和通体瓷砖成品。

实施例2:

本实施例与实施例1的区别在于:本实施例的区别仅在于制成普通瓷砖的聚晶微分各组分含量不一样。

具体地,聚晶微分按照质量份计包括下列组分:SiO2>2O3>2O>2O>2O3>2>

实施例3:

本实施例与实施例1和实施例2的区别在于:本实施例的区别仅在于制成普通瓷砖的聚晶微分各组分含量不一样。

具体地,聚晶微分按照质量份计包括下列组分:SiO2>2O3>2O>2O>2O3>2>

实施例1至实施例3在不同烧成温度(即1170℃-1240℃)下制成的普通瓷砖和通体瓷砖的性能检测及分析:

首先,判断需要进行什么性能检测

经过查证,瓷砖的烧结效果主要由烧成收缩率、抗弯强度、吸水率以及体积密度四项性能指标判定,因此需要对烧成收缩率、抗弯强度和吸水率这三项性能指标进行检测。

然后,确定测量各个性能指标的方法

各个性能测试方法如下:采用阿基米德定律测定多孔陶瓷的吸水率和体积密度;采用三点弯曲法,将试样至10KN微机控制挖能测试机上,测定试样的抗弯强度;烧成收缩率的测定:根据公式:烧成收缩率=(坯体宽度-初成品宽度)/坯体宽度,因此需要测定实施例1至实施例3中,普通瓷砖坯体的宽度、通体瓷砖坯体的宽度、普通瓷砖初成品的宽度以及通体瓷砖成品的宽度,再根据烧成收缩率的计算公式来得到需要的烧成收缩率。

再后,统计各个性能指标的测量结果并分析。

性能检测结果分析:

1)将聚晶微分的各个组分含量与通体微分的各个组分含量进行对比,可以明显的看出:除CaO和MgO外,通体微分的其余组分的含量均在聚晶微分的对应组分的含量范围内,而通体微分的CaO和MgO比聚晶微分的CaO和MgO的含量明显多,通体微分中加入较多的CaO和MgO是为了在烧结过程中与K2O配合形成钾-钙-镁复合溶剂,以达到降低烧成温度、扩大烧结范围的效果,从而使得通体瓷砖坯体能够与普通瓷砖坯体同时在同一个烧结炉中烧成,由图1a、图2a、图3a、图4a可以看出:实施例1至实施例3生产得到的普通瓷砖以及实施例1生产的通体瓷砖,在烧成温度为1190℃-1200℃的时候吸水率均处于最低稳定范围、体积密度最大稳定范围、烧成收缩率均处于最高稳定范围、抗弯强度均为最大稳定范围,同时,在烧成温度为1190℃-1200℃的时候吸水率、体积密度、烧成收缩率以及抗弯强度均满足国家标准规定。综上所述,烧成温度1190℃-1200℃是最合适的。

2)将实施例1至实施例3中的普通瓷砖的各个性能指标图进行对比,可以清楚地发现:对于实施例1的普通瓷砖,其中各组分含量是最少的,因此到达最低稳定范围、体积密度最大稳定范围、烧成收缩率均处于最高稳定范围、抗弯强度均为最大稳定范围时烧成温度最适宜范围有所降低;对于实施例2的普通瓷砖,其中各组分含量是最多的,因此到达最低稳定范围、体积密度最大稳定范围、烧成收缩率均处于最高稳定范围、抗弯强度均为最大稳定范围时烧成温度最适宜范围有所提高;对于实施例3的普通瓷砖,其中各组分含量是中等量的,因此到达最低稳定范围、体积密度最大稳定范围、烧成收缩率均处于最高稳定范围、抗弯强度均为最大稳定范围时烧成温度最适宜范围处于中位。

最后说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

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