一种存储单元电路的抗辐射版图设计方法

摘要

本发明属于集成电路领域，涉及一种存储单元电路的抗辐射版图设计方法，本发明中使持相反值的不同PMOS晶体管漏极尽可能靠近并完全对称；使持相反值的不同NMOS晶体管漏极尽可能靠近并完全对称；并使同一存储节点上PMOS晶体管漏极和NMOS晶体管漏极尽可能靠近。本发明通过相互靠近的晶体管漏极间的辐射抵消作用，使所述的存储单元具有抗辐射特性，本发明方法中不需要增加任何额外晶体管，因此额外面积开销很低。