基于非晶态的SiO2的阴极材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种基于非晶态的SiO2的阴极材料及其制备方法和应用，所述基于非晶态的SiO2的阴极材料SiO2与PVDF混合；SiO2纯度为分析纯，粒径为5‑10微米级；所述制备方法包括以下步骤：将称量好的粉末放进模具中，在10‑1000MPa下，制得直径为1‑1000mm，厚度为1‑1000mm的圆片；在500‑1500℃下烧结1‑100h，制备得到阴极材料。本发明利用非晶态的SiO2作为阴极材料的制备方法，利用非晶态材料各向同性，没有择优取向的特点，熔盐电解质没有择优渗透通道，使得各个方向的电解还原速度趋于一致，最后直接得到极细小的纳米级Si颗粒。