公开/公告号CN106329762A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 上海研深信息科技有限公司;
申请/专利号CN201510336813.2
发明设计人 不公告发明人;
申请日2015-06-17
分类号H02K1/22;H02K3/493;
代理机构
代理人
地址 200000 上海市闵行区光华路2118号第3幢四层E472室
入库时间 2023-06-19 01:21:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-04
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H02K1/22 申请公布日:20170111 申请日:20150617
发明专利申请公布后的视为撤回
2017-01-11
公开
公开
机译: 通过改变整个气隙的磁通密度来补偿电机的不均匀气隙
机译: 用于寻找可移动元件位置的磁传感器,具有磁路,在该磁路中产生在变化的气隙中延伸的磁通密度,以及测量气隙磁阻变化后的密度变化的测量单元
机译: 一种光学装置,包括:气隙基准位置调整结构的气隙基准位置调整结构;以及气隙可变光谱透射率可变元件的气隙可变光谱透射率可变元件。