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用于高功率电子器件的可调势垒晶体管

摘要

提供了可在高功率电子器件中使用的可调势垒晶体管的各种方面。在一个例子中,除了别的以外,可调势垒晶体管还包括:无机半导电层;包括布置在无机半导电层上的纳米碳膜的源极电极;布置在纳米碳膜上的栅极介电层;以及布置在纳米碳膜的至少一部分之上的栅极介电层上的栅极电极。纳米碳膜可形成与无机半导电层的源极‑沟道界面。由栅极电极产生的栅极场可调制在源极‑沟道界面处的势垒高度。栅极场也可调制在源极‑沟道界面处的势垒宽度。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-12

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/775 申请公布日:20161221 申请日:20150424

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-12-21

    公开

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