一种自由且非平面生长的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种自由且非平面生长的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构的制备方法，包括以下步骤：陶瓷基片的清洗；称量V2O5粉末；单一气相传输沉积法制备陶瓷基二氧化钒纳米棒的步骤。本发明提供了一种操作简便，可低成本制备陶瓷基二氧化钒纳米棒的方法，单一气相传输法所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。并且，所沉积的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构具有较大比表面积和气体扩散通道，更有利于气体的吸附和扩散。结果表明，本发明所制备的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构将在降低甲烷气敏传感器工作温度，提高甲烷气敏传感器灵敏度方面提供很大的研究空间。