反应烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法

摘要

本发明公开了一种反应烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法，包括以下步骤：A、配制主原料：主原料由以下重量含量的成分组成：65％～75％的SiC、10％～15％的钼、15％～25％的石墨；B、将主原料均匀混合后，加入作为粘结剂的聚乙烯醇、作为分散剂的四甲基氢氧化铵，机械球磨制备碳化硅复合粉体；C、将造粒粉置于模具中采用干压一次成型，得坯体；D、将上述坯体在石墨板上整齐摆放，然后在坯体上摆放金属硅片，坯体与金属硅片的重量比1：2.5～3.5，于1500～1600℃进行高温渗硅烧结，烧结时间为3～6小时，得碳化硅/二硅化钼复合陶瓷。