降低铜阳极泥卡尔多炉处理过程熔炼渣金银含量的方法

摘要

本发明公开了一种降低铜阳极泥卡尔多炉处理过程熔炼渣金银含量的方法，适用于铜阳极泥卡尔多炉处理过程特别是中间物料硒、碲的开路，通过减少富硒、富碲返炉物料量的手段，实现降低熔炼渣金银含量，其操作步骤是先将精炼渣破碎至‑200目含量大于80%后，与文丘里泥一并用氢氧化钠浸出碲；再将浸出液采用硫酸酸化至pH至5.5~6，得到二氧化碲外售，沉淀后液作为洗液返卡尔多炉文丘里洗涤系统；最后将浸出渣与银硒渣、二次粗硒一并硫酸化蒸硒，所得蒸硒渣返回卡尔多炉，硒烟尘引入卡尔多炉文丘里洗涤系统提硒。本发明在有效提高全流程金、银、硒、碲的直收率的同时降低了熔炼渣金银含量，从而提高了卡尔多炉作业效率和工作效率，并降低返料造成的能源消耗。

说明书

技术领域

本发明涉及贵金属冶金方法，特别涉及一种降低铜阳极泥卡尔多炉处理过程熔炼渣金银含量的方法。

背景技术

目前，国内外普遍采用先进的卡尔多炉熔炼处理铜阳极泥提取金、银工艺，该工艺虽然具有原料适用性强，作业效率高，环境友好等优点，但是该工艺亦存在以下不足：一是熔炼渣金银含量高，金、银含量分别约为200~300g/t和7~10kg/t，熔炼渣返回铜冶炼系统或单独处理，造成金、银直收率低；二是返炉中间物料种类多，主要包括精炼渣、文丘里泥、二次粗硒、银硒渣，均返炉处理，造成卡尔多炉工作效率低、能耗增大，以年处理2000t铜阳极泥卡尔多炉为例，年产精炼渣约100t，文丘里泥约200吨，二次粗硒约8吨，银硒渣约3吨；三是中间物料返回熔炼过程会导致硒、碲等稀散金属随熔炼渣损失，降低了硒、碲直收率。

本发明人通过生产实践总结表明熔炼渣中金、银含量随硒、碲含量增大而增大，同时矿物学分析表明熔炼渣中金银主要以AgSeTe、AgSeAuTe合金形式存在，说明熔炼过程硒、碲的存在是导致金、银难以完全进入贵铅使得熔炼渣金、银含量升高的主要原因。因此，降低入炉物料硒、碲量可有效降低熔炼渣中金、银含量。

卡尔多炉熔炼过程中间返料精炼渣、文丘里泥、二次粗硒、银硒渣等均为高硒、碲含量物料，其大致成分为：精炼渣Se2%、Te20%、Pb5%、Bi1%、Au0.2%、Ag5%；文丘里泥Se47%、Te8%、Pb20%、Bi3%、Au0.02%、Ag4%；二次粗硒Se85%、Te2%、Pb3%、Bi1%、Ag0.02%；银硒渣Se20%、Te1%、Au0.01%、Ag75%。如此中间物料返炉势必引起炉料硒、碲含量骤增，若在返炉前将其中硒、碲开路一方面有利于熔炼渣中金、银含量降低，提高金银直收率；另一方面可富集中间物料金银，减少物料处理量，降低能耗，实现硒、碲短流程回收。

关于卡尔多炉工艺中间物料的处理，张源等（ZL201110319475.3）采用湿法工艺处理精炼渣提碲，减少返炉物料量，提高卡尔多炉生产效率，但并未提及返炉硒、碲量对熔渣渣中金银含量及金银直收率的影响。基于开路卡尔多炉中间物料硒、碲，从而降低卡尔多炉渣金银含量的方法未见公开报道。

发明内容

本发明的目的是提供一种降低铜阳极泥卡尔多炉处理过程熔炼渣金银含量的方法，实现在降低熔炼渣金银含量的同时，提高卡尔多炉作业效率，并与铜阳极泥卡尔多炉处理工艺结合紧密，可操作性强，有效提高全流程金、银、硒、碲的直收率。

为实现以上目的，本发明降低铜阳极泥卡尔多炉处理过程熔炼渣金银含量的方法采用减少富硒、富碲返炉物料量的手段，操作步骤和工艺参数如下：

①将精炼渣破碎至-200目含量大于80%后，与文丘里泥一并浸出碲，浸出条件为：氢氧化钠浓度50~150g/L，液固比按体积质量比L/Kg为4~7：1，浸出温度50~90℃，浸出时间0.5~3h；

②将步骤①的浸出液采用硫酸酸化至pH至5.5~6，得到二氧化碲外售，沉淀后液作为洗液返卡尔多炉文丘里洗涤系统；

③将步骤①的浸出渣与银硒渣、二次粗硒一并硫酸化蒸硒，硫酸化蒸硒条件为：温度500~550℃，硫酸用量1~1.2倍理论量；

④将步骤③所得蒸硒渣返回卡尔多炉，硒烟尘引入卡尔多炉文丘里洗涤系统提硒。

本发明降低铜阳极泥卡尔多炉处理过程熔炼渣金银含量的方法，通过减少富硒、富碲返炉物料量，达到降低铜阳极泥卡尔多炉处理过程熔炼渣中金银含量，具有以下有益效果：

①单批次返炉各物料硒、碲开路率达90%以上，提高硒、碲直收率的同时有效降低熔炼渣中金、银含量；

②单批次返炉物料量降低40%以上，提高卡尔多炉工作效率的同时降低返料造成的能源消耗。

具体实施方式

以下结合具体实施方式对本发明降低铜阳极泥卡尔多炉处理过程熔炼渣金银含量的方法作进一步详细说明。

本发明降低铜阳极泥卡尔多炉处理过程熔炼渣金银含量的方法适用于铜阳极泥卡尔多炉处理工艺过程，尤其适用于过程中间物料硒、碲的开路并在此基础上提供一种降低熔炼渣金银含量的方法。具体操作步骤和工艺参数为：

精炼渣破碎至-200目含量大于80%后，与文丘里泥一并在氢氧化钠浓度50~150g/L溶液中浸出碲，液固比按体积质量比L/Kg为4~7：1，浸出温度50~90℃，浸出时间0.5~3h；将浸出液采用硫酸酸化至pH至5.5~6，得到二氧化碲外售，沉淀后液作为洗液返卡尔多炉文丘里洗涤系统；将浸碲渣与银硒渣、二次粗硒一并在温度500~550℃下按硫酸用量1~1.2倍理论量蒸硒，蒸硒渣返回卡尔多炉提取金、银，硒烟尘引入卡尔多炉文丘里洗涤系统提硒。

实施例1

将主要成分为硒1.52%、碲22.5%、铅6.3%、金0.16%、银6.2%的精炼渣破碎至-200目为83%后，与主要成分为硒45.2%、碲4.9%、铅21%、金0.03%、银4.3%的文丘里泥一并浸出碲，浸出条件为：氢氧化钠浓度60g/L，液固比按体积质量比L/Kg为7：1，浸出温度80℃，浸出时间1h，碲浸出率达到89.5%，渣率72%；将浸出液采用硫酸酸化至pH至5.5，得到二氧化碲，碲沉淀率达98.3%，沉碲后液作为洗液返卡尔多炉文丘里洗涤系统；将浸出渣与二次粗硒一并硫酸化蒸硒，硫酸化蒸硒条件为：温度500℃，硫酸用量采用1倍理论量，硒蒸发率达90%。

该实施例全流程硒、碲开路率分别为91.5%、90.2%，返炉物料硒、碲含量分别为7.47%、5.35%，返炉量为处理中间物料量63%。依据生产现状，入炉硒、碲品位分别由13.1%、2.8%降低至8.9%、1.5%，熔炼渣金、银含量降低至130g/t、5.2kg/t。

实施例2

将主要成分为硒3.3%、碲25.4%、铅6.1%、金0.13%、银5.2%的精炼渣破碎至-200目为86%后，与主要成分为硒43.2%、碲9.6%、铅19%的文丘里泥一并在氢氧化钠浓度70g/L、液固比按体积质量比L/Kg为5：1、浸出温度70℃、浸出时间1.5h的浸出条件下浸出碲，碲浸出率达到91.3%，渣率69%；将浸出液采用硫酸酸化至pH至5.5，得到二氧化碲，碲沉淀率达99%，将沉碲后液作为洗液返卡尔多炉文丘里洗涤系统；将浸出渣与二次粗硒一并硫酸化蒸硒，硫酸化蒸硒条件为：温度520℃，硫酸用量按1.1倍理论量，硒蒸发率达93%。

本实施例全流程硒、碲开路率分别为95.5%、92.2%，返炉物料硒、碲含量分别为7.38%、5.35%，返炉量为处理中间物料量59%。依据生产现状，入炉硒、碲品位分别由12.8%、3.1%降低至8.7%、1.45%，熔炼渣金、银含量降低至108g/t、4.6kg/t。

实施例3

将主要成分为硒3.5%、碲25.7%、铅5.9%、金0.14%、银5.2%的精炼渣破碎至-200目为85%后，与主要成分为硒49.3%、碲5.5%、铅22.5%、金0.014%、银4.5%的文丘里泥一并浸出碲，浸出条件为：氢氧化钠浓度80g/L、液固比按体积质量比L/Kg为5：1、浸出温度80℃、浸出时间1.5h，碲浸出率达到92.1%，渣率69.9%；将浸出液采用硫酸酸化至pH至5.5，得到二氧化碲，碲沉淀率达99.2%，沉碲后液作为洗液返卡尔多炉文丘里洗涤系统；将浸出渣与二次粗硒一并硫酸化蒸硒，硫酸化蒸硒条件为：温度520℃，硫酸用量按1.2倍理论量，硒蒸发率达93.9%。

该实施例全流程硒、碲开路率分别为94.6%、95.2%，返炉物料硒、碲含量分别为7.67%、4.58%，返炉量为处理中间物料量61%。依据生产现状，入炉硒、碲品位分别由13.5%、2.92%降低至8.37%、1.61%，熔炼渣金、银含量降低至128g/t、4.35kg/t。

实施例4

将主要成分为硒1.39%、碲18.5%、铅5.3%、金0.31%、银5.9%的精炼渣破碎至-200目为91%后，与主要成分为硒38.7%、碲3.9%、铅25%、金0.018%、银6.85%的文丘里泥一并浸出碲，浸出条件为：氢氧化钠浓度100g/L、液固比按体积质量比L/Kg为7：1、浸出温度80℃、浸出时间3，碲浸出率达到95.2%，渣率74.3%；将浸出液采用硫酸酸化至pH至5.5，得到二氧化碲，碲沉淀率达98.9%，沉碲后液作为洗液返卡尔多炉文丘里洗涤系统；将浸出渣与二次粗硒一并硫酸化蒸硒，硫酸化蒸硒条件为：温度550℃，硫酸用量按1.2倍理论量，硒蒸发率达93.9%。

该实施例全流程硒、碲开路率分别为94.1%、97.2%，返炉物料硒、碲含量分别为6.89%、4.32%，返炉量为处理中间物料量75%。依据生产现状，入炉硒、碲品位分别由12.9%、2.7%降低至7.9%、1.2%，熔炼渣金、银含量降低至75g/t、3.5kg/t。

以上四个实施例的处理效果对比见表1，从表1可见实施例4的指标参数最佳，为最佳实施例。

表1 各实施例效果对比表

应当说明的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以根据上述说明加以改进或修饰，所有这些改进或修饰都应落入本发明权利要求的保护范围内。