首页> 中国专利> 一种AgI‑Ag2S‑P2S5非晶态快离子导体材料及其制备方法

一种AgI‑Ag2S‑P2S5非晶态快离子导体材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种AgI‑Ag2S‑P2S5非晶态快离子导体材料及其制备方法,所述材料通过如下方法制备得到:1)在具有氮气气氛保护的手套箱内,将原料Ag2S、P2S5、AgI按比例进行配料,将原料置于石英玻璃管中,然后将石英玻璃管抽真空融封,保证原料处于真空环境下,然后将其置于摇摆炉中反应得到晶体材料;2)将晶体材料置于球磨罐中,并向球磨罐中加入研磨球和研磨助剂,然后将球磨罐置于行星式球磨机中充分球磨,随后真空干燥得到AgI‑Ag2S‑P2S5非晶态快离子导体材料。本发明所制备的非晶态快离子导体有较高的室温离子电导率(达3.33×10‑3S/cm),且稳定性较好。

著录项

  • 公开/公告号CN106057276A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201610383968.6

  • 发明设计人 陶海征;严尚光;王鹏鹏;乔昂;

    申请日2016-06-01

  • 分类号H01B1/06(20060101);H01B1/10(20060101);H01B13/00(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人唐万荣

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2023-06-19 00:43:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-01

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01B1/06 申请公布日:20161026 申请日:20160601

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B1/06 申请日:20160601

    实质审查的生效

  • 2016-10-26

    公开

    公开

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