半导体相关构件加工用片材以及利用该片材的晶片的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体相关构件加工用片材，本发明的半导体相关构件加工用片材(1)能够更加稳定地实现：提高半导体相关构件加工用片材的剥离性；及使具备利用半导体相关构件加工用片材由半导体相关构件制造的晶片的构件的可靠性不易降低，所述半导体相关构件加工用片材(1)具备基材(2)和设置于基材(2)的一面上方的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)含有具有能量射线聚合性官能基的能量射线聚合性化合物，能量射线聚合性化合物中的至少一种为具有分枝结构的聚合物即聚合性分枝聚合物，将半导体相关构件加工用片材(1)的粘着剂层(3)侧的面贴附于硅晶圆的镜面，并对半导体相关构件加工用片材(1)照射能量射线，以降低粘着剂层(3)对硅晶圆的镜面的粘着性，之后，将从硅晶圆剥离半导体相关构件加工用片材(1)而获得的、硅晶圆中的粘贴过半导体相关构件加工用片材(1)的镜面作为测定对象面，在25℃、相对湿度为50％的环境下，利用水滴测定出的接触角为40°以下。

说明书

技术领域

本发明涉及一种用在制造晶片时的半导体相关构件加工用片材以及利用该半导体相关构件加工用片材的晶片的制造方法，所述晶片为通过对硅晶圆等半导体相关构件进行分割加工而形成的构件。

背景技术

作为由硅晶圆等半导体相关构件制造晶片的方法的一个例子，可例举出如下方法。首先，将具备基材和粘着剂层的半导体相关构件加工用片材的粘着剂层侧的面贴附于半导体相关构件的形成有电路的面(本说明书中，有时将该面称作“构件表面”)。接着，从构件表面的相反侧的露出面侧，对半导体相关构件进行磨削，以使半导体相关构件的厚度减小。接着，将另一半导体相关构件加工用片材贴附于半导体相关构件的磨削面(本说明书中，有时将该面称作“构件背面”)，并剥离贴附于构件表面的半导体相关构件加工用片材。然后，对贴附有该另一半导体相关构件加工用片材的半导体相关构件进行分割加工，从而获得在另一半导体相关构件加工用片材的粘着剂层侧的面上粘贴有多个晶片的状态的结构体。最后，通过从该结构体单个地拾取晶片而能够获得晶片。

如此，当由半导体相关构件制造晶片时，对于半导体相关构件或晶片表面，将半导体相关构件加工用片材进行贴附或剥离(包括拾取。以下相同)操作的情况较多。如磨削后的硅晶圆，半导体相关构件的厚度有时为数十μm程度，因此提高半导体相关构件加工用片材的剥离性，在半导体相关构件的品质管理上是重要的课题。

本说明书中，“剥离性”是半导体相关构件加工用片材的特性之一，是指从粘贴有半导体相关构件加工用片材的状态下的半导体相关构件或晶片(以下，有时将他们统称为“被粘物”)剥离半导体相关构件加工用片材时，使被粘物上不易于产生缺口或破裂等品质上的问题的特性。从切割片拾取晶片时，减小施加于晶片之力，从而使晶片不易于产生缺口或破裂等的特性即拾取适性，被定为上述剥离性的一个具体例。若使用剥离性优异的半导体相关构件加工用片材，则从被粘物剥离半导体相关构件加工用片材时，不易产生被粘物的缺口或破裂等问题。

为了提高半导体相关构件加工用片材的剥离性，通常，半导体相关构件加工用片材的粘着剂层设计成其粘着性通过特定刺激而降低，作为特定的刺激，例如采用紫外线或电子束等能量射线照射。

并且，从消除拾取不良的角度考虑，即从提高拾取切割胶带的剥离性的角度考虑，专利文献1中公开了在粘着剂层中含有游离的含环氧基化合物的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-192917号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

如专利文献1所公开的，使粘着剂层含有游离的含环氧基化合物是用于缩短拾取时间或者减小拾取力的有效手段之一。然而，若仅以上述手段来欲进一步提高半导体相关构件加工用片材的剥离性，则需要增加粘着剂层内的游离的含环氧基化合物的含量。经本发明的发明人的研究表明，当利用具备增加了游离的含环氧基化合物的含量的粘着剂层的半导体相关构件加工用片材，由半导体相关构件制造晶片时，有可能不易维持具备该晶片的构件(作为具体例，可例举模晶片(mold chip)、带保护膜晶片等)的可靠性。

鉴于现状，本发明的课题为提供一种能够稳定地抑制具备晶片的构件的可靠性降低、优选为可提高半导体相关构件加工用片材的剥离性的半导体相关构件加工用片材，以及利用该片材的晶片的制造方法，所述晶片利用半导体相关构件加工用片材由半导体相关构件制造。

解决技术问题的技术手段

为了完成上述课题，本发明的发明人经过研究，结果获得了如下新的见解。即，粘着剂层含有具有能量射线聚合性官能基、并且具有分枝结构的聚合物(本说明书中，将该聚合物也称作“聚合性分枝聚合物”)，通过使用具备所述粘着剂层的半导体相关构件加工用片材，能够稳定地实现使具备晶片的构件的可靠性不易降低，所述晶片利用该半导体相关构件加工用片材由半导体相关构件制造。并且，与专利文献1中所公开的游离的含环氧基化合物相比，即使聚合性分枝聚合物在半导体相关构件加工用片材的粘着剂层中的含量为少量，也能够提高半导体相关构件加工用片材的剥离性。

基于该见解完成的本发明如下。

(1)一种半导体相关构件加工用片材，具备：基材；及粘着剂层，其设置于所述基材的一面的上方，所述半导体相关构件加工用片材的特征在于，所述粘着剂层含有具有能量射线聚合性官能基的能量射线聚合性化合物，所述能量射线聚合性化合物的至少一种为具有分枝结构的聚合物即聚合性分枝聚合物，将所述半导体相关构件加工用片材的所述粘着剂层侧的面贴附于硅晶圆的镜面，并将能量射线照射于所述半导体相关构件加工用片材，以使所述粘着剂层对所述硅晶圆的镜面的粘着性降低之后，将从所述硅晶圆剥离所述半导体相关构件加工用片材而获得的、所述硅晶圆中的粘贴过所述半导体相关构件加工用片材的镜面作为测定对象面，在25℃、相对湿度为50％的环境下，利用水滴而测定出的相对于水的接触角为40°以下。

(2)上述(1)所述的半导体相关构件加工用片材，其中，所述聚合性分枝聚合物的聚苯乙烯换算重均分子量为100,000以下。

(3)上述(1)或(2)所述的半导体相关构件加工用片材，其中，所述能量射线聚合性化合物包括聚苯乙烯换算重均分子量为100,000以上的物质即聚合性高分子化合物。

(4)上述(1)至(3)中任一项所述的半导体相关构件加工用片材，其中，所述半导体相关构件加工用片材将所述粘着剂层侧的主面作为测定对象面，将硅晶圆的镜面作为被粘面，将所述测定对象面和被粘面进行贴合之后，将能量射线照射于所述粘着剂层，从而降低所述测定对象面对所述被粘面的粘着性之后，以JIS Z0237：2000为基准进行180°剥离试验时测定出的粘着力为100mN/25mm以下。

(5)一种晶片的制造方法，其特征在于，具备：贴附工序，将上述(1)至(4)中任一项所述的半导体相关构件加工用片材的所述粘着剂层侧的面贴附于半导体相关构件的一面；分割工序，将所述半导体相关构件加工用片材上的所述半导体相关构件进行分割，获得粘贴于所述粘着剂层的多个晶片；照射工序，将能量射线照射于所述粘着剂层，从而降低所述粘着剂层对粘贴于所述粘着剂层的所述多个晶片表面的粘着性；及拾取工序，从所述半导体相关构件加工用片材的粘着剂层分离所述多个晶片，获得单个的晶片。

(6)上述(5)所述的制造方法，其中，所述半导体相关构件具备具有贯通电极的硅晶圆。

发明效果

通过使用本发明的半导体相关构件加工用片材，能够由半导体相关构件来制造不易降低具备该晶片的构件的可靠性的晶片。优选的一种形态中，也可实现提高半导体相关构件加工用片材的剥离性。

附图说明

图1为本发明的一个实施方案的半导体相关构件加工用片材的概略截面图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方案进行说明。

如第1图所示，本发明的一个实施方案的半导体相关构件加工用片材1具备基材2和设置于基材2的一面上方的粘着剂层3。本说明书中，半导体相关构件是指在半导体制造中使用的材料，例如，可例举硅、SiC、GaN等半导体晶圆、氧化铝、蓝宝石等陶瓷基板、半导体封装件、玻璃构件等。

1.基材

对于本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的基材2，当将半导体相关构件加工用片材1贴附于被粘物时，及将半导体相关构件加工用片材1从被粘物剥离时等，使用半导体相关构件加工用片材1时只要不断裂，则其构成材料并无限定，通常，由以树脂类材料为主要材料的膜构成。

作为该膜的具体例，可例举：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯类共聚物膜；低密度聚乙烯(LDPE)膜、直链低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜、中密度聚乙烯(MDPE)膜等聚乙烯膜；聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜；聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜等聚酯类膜；聚氨酯膜；聚酰亚胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟树脂膜等。并且，也可使用他们的交联膜、离聚物膜等改性膜。上述基材2可为由这些膜中的一种构成的膜，另外，也可为组合这些膜中的两种以上的层叠膜。另外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸以及甲基丙烯酸两者。关于其他类似用语也相同。

构成基材2的膜优选具备乙烯类共聚膜以及聚烯烃类膜中的至少一种。

乙烯类共聚膜通过改变共聚比等容易在较广的范围内控制其机械特性。因此，具备乙烯类共聚膜的基材2容易满足作为本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的基材而需要的机械特性。并且，乙烯类共聚膜对粘着剂层3的密合性比较高，因此，当使用半导体相关构件加工用片材1时，在基材2和粘着剂层3的界面不易发生剥离。

乙烯类共聚膜以及聚烯烃类膜中，对作为半导体相关构件加工用片材的特性带来不良影响的成分(例如，聚氯化乙烯类膜等中，该膜中所含有的增塑剂从基材2向粘着剂层3转移，进而分布于粘着剂层3的与基材2对置一侧的相反侧的面，从而有时会降低粘着剂层3对被粘物的面的粘着性)的含量少，因此不易产生粘着剂层3对被粘物的面的粘着性降低等问题。即，乙烯类共聚膜以及聚烯烃类膜的化学稳定性优异。

基材2也可在以上述树脂类材料为主要材料的膜内含有颜料、染料、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、填充剂等各种添加剂。作为颜料，例如可例举二氧化钛、碳黑等。并且，作为填充剂，可例示出如三聚氰胺树脂等有机类材料、如烘制二氧化硅(fumed silica)等无机类材料以及如镍颗粒等金属类材料。这样的添加剂的含量并无限定，但应保持于基材2发挥所希望的功能且不失平滑性或柔软性的范围内。

当使用紫外线作为为了使粘着剂层3固化而照射的能量射线时，基材2相对于紫外线具有透过性为优选。另外，当使用电子束作为能量射线时，基材2具有电子束的透过性为优选。

并且，在基材2的粘着剂层3侧的面(以下，也称作“基材第一面”)上，存在具有选自羧基及其离子和盐构成组中的一种或两种以上的成分为优选。基材2中的上述成分和粘着剂层3的成分(例示出构成粘着剂层3的成分以及交联剂(C)等形成粘着剂层3时使用的成分)相互进行化学作用，由此能够降低他们之间发生剥离的可能性。

用于使所述成分存在于基材第一面的具体方法并无限定。也可使基材2本身为例如乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、离聚物树脂膜等，且充当构成基材2的材料的树脂也可以具有选自羧基及其离子和盐所构成的组中的一种或两种以上。作为使上述成分存在于基材第一面的其他方法，基材2例如为聚烯烃类膜，且于基材第一面侧施加有电晕处理，或者设置有底漆层。并且，基材2的基材第一面的相反侧的面上也可设置有各种涂膜。

使用半导体相关构件加工用片材1时，只要不产生断裂等不良情况，则基材2的厚度并无特别限定。20μm以上且450μm以下为优选，25μm以上且400μm以下为更加优选，50μm以上且350μm以下的范围为特别优选。

2.粘着剂层

具备本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3由含有主剂(A)以及能量射线聚合性化合物(B)、进一步根据需要含有交联剂(C)等的粘着剂组合物形成。如后述，当能量射线聚合性化合物(B)具有作为主剂(A)的性质的情况下，粘着剂组合物有时在含有具有作为主剂(A)的性质的能量射线聚合性化合物(B)以外，不另外含有成为主剂(A)的成分。

(1)主剂(A)

主剂(A)的种类只要能够对粘着剂层、尤其对照射能量射线之前的粘着剂层赋予适当的粘着性，则并无限定。作为该主剂(A)，可例示橡胶类、丙烯酸类、硅酮类、聚乙烯基醚类等树脂材料。以下，对丙烯酸类材料的一种即丙烯酸类聚合物(A1)稍微进行详细的说明。

作为丙烯酸类聚合物(A1)，能够使用以往公知的丙烯酸类聚合物。从涂布时的造膜性的角度考虑，丙烯酸类聚合物(A1)的聚苯乙烯换算重均分子量(Mw)为10,000以上且2,000,000以下为优选，100,000以上且1,500,000以下为更加优选。

另外，包括实施例在内，在本说明书中，聚苯乙烯换算重均分子量(Mw)的值是指，通过四氢呋喃(THF)作为溶剂的凝胶渗透色谱法(GPC)作为标准聚苯乙烯换算值而测定的值。具体而言，是使用GPC测定装置(Tosoh Co.,Ltd.制“HLC-8220GPC”)并在以下所示条件下进行的。

色谱柱：TSKgelGMHXL→TSKgelGMHXL→TSKgel2000HXL

测定温度：40℃

流速：1ml/分钟

检测器：差示折射计

丙烯酸类聚合物(A1)的玻璃化转变温度Tg为-70℃以上且30℃以下为优选，-60℃以上且20℃以下的范围为更加优选。玻璃化转变温度Tg能够通过Fox式进行计算。

上述丙烯酸类聚合物(A1)可为由一种丙烯酸类单体形成的均聚物，也可为由多种丙烯酸类单体形成的共聚物，也可为由一种或多种丙烯酸类单体和丙烯酸类单体以外的单体形成的共聚物。成为丙烯酸类单体的化合物的具体种类并无限定，作为具体例可例举(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、他们的衍生物(丙烯腈等)。关于(甲基)丙烯酸酯，若进而示出具体例，则可例举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十八酯等具有链状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、酰亚胺丙烯酸酯(imide acrylate)等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等具有羟基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸N-甲基氨基乙酯等具有羟基以外的反应性官能基的(甲基)丙烯酸酯。并且，作为丙烯酸类单体以外的单体，可例示乙烯、降冰片烯等烯烃、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。另外，丙烯酸类单体为(甲基)丙烯酸烷基酯的情况下，该烷基的碳原子数优选为1～18的范围。

当用于形成本实施方案的粘着剂层3的粘着剂组合物含有如后述能够将丙烯酸类聚合物(A1)进行交联的交联剂(C)的情况下，丙烯酸类聚合物(A1)所具有的反应性官能基的种类并无限定，根据交联剂(C)的种类等适当地确定即可。当交联剂(C)为聚异氰酸酯化合物的情况下，作为丙烯酸类聚合物(A1)所具有的反应性官能基的具体例，可例举羟基、羧基、氨基等。其中，当交联剂(C)为聚异氰酸酯化合物的情况下，优选采用与异氰酸酯基的反应性高的羟基作为反应性官能基。对丙烯酸类聚合物(A1)导入羟基作为反应性官能基的方法并无限定。作为一个例子，可例举丙烯酸类聚合物(A1)在骨架中含有基于(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯等具有羟基的丙烯酸酯的结构单元的情况。

(2)能量射线聚合性化合物(B)

用于形成本实施方案的粘着剂层3的粘着剂组合物所含有的能量射线聚合性化合物(B)具有能量射线聚合性基，且只要受到紫外线、电子束等能量射线的照射而能够进行聚合反应，则具体的结构并无限定。通过能量射线聚合性化合物(B)聚合，粘着剂层3对被粘物的面的粘着性降低而变得容易剥离。直至照射能量射线为止，实际上，并不发生能量射线聚合性基的聚合反应，因此本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3在照射能量射线之前的状态下含有能量射线聚合性化合物(B)。

能量射线聚合性基的种类并无限定。作为其具体例，可例举具有乙烯基、(甲基)丙烯酰基等烯属不饱和键的官能基等。当粘着剂组合物含有交联剂(C)的情况下，能量射线聚合性基优选具有烯属不饱和键的官能基，其中，从照射能量射线时的反应性高的角度考虑，(甲基)丙烯酰基为优选。

含有粘着剂组合物的能量射线聚合性化合物(B)可以为一种，也可为多种。构成能量射线聚合性化合物(B)的化合物的分子量并无限定。当该分子量过小的情况下，在制造过程中该化合物有可能会挥发，此时，粘着剂层3的组成的稳定性降低。从而，构成能量射线聚合性化合物(B)的化合物的分子量，作为重均分子量(Mw)为100以上为优选，200以上为更加优选，300以上为特别优选。

构成能量射线聚合性化合物(B)的化合物的具体种类并无限定。作为该化合物的具体例，可例举三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等具有链状骨架的(甲基)丙烯酸烷基酯；二环戊二烯二甲氧基二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸烷基酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、环氧改性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸酯类化合物等。当主剂(A)包含丙烯酸类聚合物(A1)的情况下，上述化合物中丙烯酸酯类化合物因对丙烯酸类聚合物(A1)的相溶性高而优选。

能量射线聚合性化合物(B)在一个分子中所具有的能量射线聚合性基的数量并无限定，优选为多个，3以上为更加优选，5以上为特别优选。

本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3所含有的能量射线聚合性化合物(B)中的至少一种为具有分枝结构的聚合物即聚合性分枝聚合物(B1)。

本说明书中，聚合性分枝聚合物(B1)为能量射线聚合性化合物(B)中的一种，是指具有能量射线聚合性基及分枝结构的聚合物。聚合性分枝聚合物(B1)具有提高半导体相关构件加工用片材的剥离性的功能。由于聚合性分枝聚合物(B1)具有分枝结构，因此即使其混合量少，也容易提高半导体相关构件加工用片材的剥离性。并且，通过聚合性分枝聚合物(B1)的混合量得到抑制，后述剥离后水接触角的增加得到抑制。另外，由于聚合性分枝聚合物(B1)具有聚合性的能量射线聚合性基，因此由能量射线照射后的聚合性分枝聚合物(B1)生成的物质不易从粘着剂层转移到半导体相关构件加工用片材的被粘物。关于聚合性分枝聚合物(B1)的具体结构(作为具体例，可例举分子量、分枝结构的水平、一个分子中所具有的能量射线聚合性基的数量等)并无限定。作为获得这种聚合性分枝聚合物(B1)的方法，例如，通过使分子内具有2个以上的自由基聚合性双键的单体、分子内具有活性氢基及1个自由基聚合性双键的单体、分子内具有1个自由基聚合性双键的单体进行聚合，可获得具有分枝结构的聚合物，通过使其与分子内具有可与活性氢基反应而形成键的官能基以及至少1个自由基聚合性双键的化合物进行反应可获得聚合性分枝聚合物(B1)。

从容易适当地抑制与主剂(A)(也包括后述的具有作为主剂(A)的性质的能量射线聚合性化合物(B))之间的相互作用的角度考虑，聚合性分枝聚合物(B1)的聚苯乙烯换算重均分子量(Mw)为1,000以上且100,000以下为优选，3,000以上且30,000以下为更加优选。聚合性分枝聚合物(B1)的一个分子中所具有的能量射线聚合性基的数量并无限定。

粘着剂层3中的聚合性分枝聚合物(B1)的含量只要能够使后述剥离后水接触角在既定范围内则并无限定。若上述含量过高，则有机物转移到贴附有半导体相关构件加工用片材1的半导体相关构件表面的量增大，导致剥离后水接触角变大。在粘着剂层3中的聚合性分枝聚合物(B1)的含量过低的情况下，则会导致失去含有聚合性分枝聚合物(B1)的意义，因此，通常，关于用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物，相对于主剂(A)和后述聚合性高分子化合物(B2)的总和100质量份(上述粘着剂组合物还包含后述聚合性高分子化合物(B2)的情况下，在本说明书中，主剂(A)的质量份是指主剂(A)的质量份和聚合性高分子化合物(B2)的质量份的总和)，含有聚合性分枝聚合物(B1)0.01质量份以上为优选，含有0.1质量份以上为更加优选。由于聚合性分枝聚合物(B1)具有分枝结构，因此即使粘着剂层3中的含量比较少量，也能够获得剥离性优异的半导体相关构件加工用片材1。

依据聚合性分枝聚合物(B1)的种类，转移到半导体相关构件表面的聚合性分枝聚合物(B1)有时作为残留于半导体相关构件表面的颗粒而被测量。此颗粒(还包括非源自聚合性分枝聚合物(B1)之物。以下相同)有可能会降低基于半导体相关构件的产品的可靠性，因此残留于半导体相关构件表面的颗粒数少为优选。具体而言，残留于由硅晶圆构成的半导体相关构件表面的0.20μm以上的粒径的颗粒的数量设为小于200为优选，设为150以下为更加优选，设为小于100为进一步优选，设为50以下为特别优选。从容易满足对有关这种颗粒的要求的角度考虑，聚合性分枝聚合物(B1)的含量为相对于主剂(A)100质量份小于8.0质量份为优选，设为5.0质量份以下为更加优选，设为小于3.0质量份为进一步优选，设为2.5质量份以下为特别优选、设为2.0质量份以下为极其优选。

对于本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3所含有的能量射线聚合性化合物(B)，其构成材料的至少一种也可具有作为主剂(A)的性质。作为具有作为该主剂(A)的性质的能量射线聚合性化合物(B)的具体例，可例举具有能量射线聚合性基且聚苯乙烯换算重均分子量(Mw)为100,000以上的物质即聚合性高分子化合物(B2)。

聚合性高分子化合物(B2)具有作为主剂(A)的性质，因此具有如下优点：由于含有聚合性高分子化合物(B2)，因此能够简化用于形成粘着剂层3的组合物的组成(粘着剂层3含有聚合性高分子化合物(B2)的情况下，无需另外含有主剂(A))；及容易控制粘着剂层3中的能量射线聚合性基的存在密度等。从聚合性高分子化合物(B2)更稳定地具有作为主剂(A)的性质的角度考虑，聚合性高分子化合物(B2)的聚苯乙烯换算重均分子量(Mw)为200,000以上且2,000,000以下为优选，300,000以上且1,500,000以下为更加优选。

当能量射线聚合性化合物(B)含有聚合性高分子化合物(B2)的情况下，与能量射线聚合性化合物(B)由低分子量化合物构成的情况相比，剥离性能够容易提高。

其理由如下。若能量射线聚合性化合物(B)为低分子量化合物，则为了维持粘着剂层的凝聚性而需要添加不具有能量射线聚合性的主剂(A)，但该主剂(A)即使通过能量射线照射也不会被导入交联结构。另一方面，若为能量射线聚合性化合物(B)含有聚合性高分子化合物(B2)的情况，则不添加这种不具有能量射线聚合性的主剂(A)，或者即使所添加量为少量也可维持凝聚性。从而，通过能量射线照射而不导入交联结构的成分少，因此粘着剂层3中形成牢固的交联结构，粘着性显着降低，有剥离性提高的倾向。

另外，能量射线聚合性化合物(B)含有聚合性高分子化合物(B2)的情况下，聚合性分枝聚合物(B1)通过能量射线照射而被导入上述那样牢固的交联结构的概率提高。

作为聚合性高分子化合物(B2)的具体的一个例子，可例举为在主链或侧链具有含能量射线聚合性基的结构单元的丙烯酸类聚合物。该聚合性高分子化合物(B2)例如能够以如下方法来进行制备。使含有基于羟基、羧基、氨基、被取代的氨基、环氧基等官能基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元以及基于烷基(甲基)丙烯酸酯的结构单元而构成的共聚物即丙烯酸类聚合物，与1个分子内具有能够与上述官能基反应的官能基以及能量射线聚合性基(例如，具有烯属双键的基)的化合物进行反应，由此对上述丙烯酸类聚合物附加能量射线聚合性基，从而能够获得聚合性高分子化合物(B2)。

作为使能量射线聚合性化合物(B)固化的能量射线，可例举电离辐射，即X射线、紫外线、电子束等。其中，比较容易导入照射设备的紫外线为优选。

当使用紫外线作为电离辐射的情况下，由操作容易度来看，使用包含波长为200～380nm程度的紫外线的近紫外线即可。作为紫外线量，根据能量射线聚合性化合物(B)的种类或粘着剂层3的厚度适当地进行选择即可，通常为50～500mJ/cm²程度，100～450mJ/cm²为优选，200～400mJ/cm²为更加优选。并且，紫外线照度通常为50～500mW/cm²程度，100～450mW/cm²为优选，200～400mW/cm²为更加优选。作为紫外线源并无特别限制，可使用例如高压汞灯、金属卤化物灯、UV-LED等。

当使用电子束作为电离辐射的情况下，关于其加速电压，则根据能量射线聚合性化合物(B)的种类和粘着剂层3的厚度适当地进行选定即可，通常，加速电压为10～1000kV程度为优选。并且，照射量设定于能量射线聚合性化合物(B)适当地进行反应的范围即可，通常，选定于10～1000krad的范围内。作为电子束源并无特别的限制，例如能够使用柯克罗夫特沃尔顿(Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫(Van DeGraff)型、共振变压器型、绝缘芯变压器型、或直线型、地纳米型、高频型等各种电子束加速器。

(3)交联剂(C)

如上所述，用于形成本实施方案的粘着剂层3的粘着剂组合物也可含有能够与丙烯酸类聚合物(A1)等主剂(A)反应的交联剂(C)。该情况下，本实施方案的粘着剂层3含有通过主剂(A)与交联剂(C)的交联反应而获得的交联物。

交联剂(C)的含量并无限定。从上述交联物的形成容易度的角度考虑，交联剂(C)的含量相对于主剂(A)100质量份为0.02质量份以上且10质量份以下为优选。作为交联剂(C)的种类，例如可例举异氰酸酯类化合物、环氧类化合物、金属螯合物类化合物、氮丙啶类化合物等聚亚胺化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、二醛类、羟甲基聚合物，金属醇盐，金属盐等。其中，由容易控制交联反应等理由，交联剂(C)优选为聚异氰酸酯化合物。

聚异氰酸酯化合物为在每1个分子内具有2个以上异氰酸酯基的化合物，例如可例举甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯，苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族聚异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二环庚烷三异氰酸酯、亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、甲基亚环己基二异氰酸酯、氢化苯二亚甲基二异氰酸酯等脂环式异氰酸酯化合物；六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯等具有链状骨架的异氰酸酯。

并且，也可使用这些化合物的缩二脲体、异氰脲酸酯体，或这些化合物与乙二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等非芳香族性低分子含活性氢化合物的反应物即加成物等改性体。上述聚异氰酸酯化合物可由一种物质构成，也可由多种类的物质构成。

用于形成本实施方案的粘着剂层3的粘着剂组合物含有交联剂(C)的情况下，根据该交联剂(C)的种类等含有适当的交联促进剂为优选。例如，当交联剂(C)由聚异氰酸酯化合物构成的情况下，用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物优选含有有机锡化合物等有机金属化合物类交联促进剂。

(4)其他成分

用于形成本实施方案的半导体相关构件加工用片材1所具备的粘着剂层3的粘着剂组合物，除了上述成分之外，也可含有光聚合引发剂、染料和颜料等着色材料、抗静电剂、阻燃剂、填充剂等各种添加剂。本实施方案的半导体相关构件加工用片材1所具备的粘着剂层3优选实际上不含有专利文献1所公开的游离的含环氧基化合物。

在此，对光聚合引发剂稍微进行详细的说明。作为光聚合引发剂，可例举苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物化合物等光引发剂、胺和醌等光敏剂等，具体而言，可例举1-羟基环己基苯基酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄基、丁二酮、β-氯蒽醌(β-chloranthraquinone)、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等。当使用紫外线作为能量射线的情况下，通过混合光聚合引发剂而能够减少照射时间、照射量。

(5)物性、形状等

i)剥离后水接触角

本实施方案的半导体相关构件加工用片材1中，如下定义的剥离后水接触角为40°以下。

首先，在未施加特别的表面处理的清洗结束的平坦的硅晶圆的镜面上，贴附本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3侧的面。接着，对半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3照射能量射线，以降低粘着剂层3对硅晶圆的镜面的粘着性之后，从硅晶圆剥离半导体相关构件加工用片材1。将如此获得的、在硅晶圆中的粘贴过半导体相关构件加工用片材1的镜面(本说明书中也称为“剥离后硅表面”)作为测定对象面，在25℃、相对湿度为50％的环境下利用水滴测定的接触角，在本说明书中称为“剥离后水接触角”。

该剥离后水接触角低表示附着于剥离后硅表面的有机物少，即从粘着剂层3转移到硅晶圆的镜面的有机物少。从粘着剂层3转移到半导体相关构件表面的有机物也残留于通过分割加工而获得的晶片的表面，因此该有机物有可能构成降低具备晶片的构件的可靠性的要因之一。并且，转移到硅晶圆的镜面的有机物有时会形成被称作颗粒的颗粒状残渣，当使用由这种晶圆获得的晶片的情况下，有可能会降低封装树脂的润湿性，或者在进行高度可靠性评价的情况下有可能会降低可靠性。

关于此点，将具备含有专利文献1所公开的游离的含环氧基化合物的粘接剂层的半导体相关构件加工用片材作为保护片进行使用的情况下，如作为模拟试验进行的实施例所示，容易降低保护膜对半导体相关构件的粘接可靠性。这可以认为是因为从半导体相关构件加工用片材转移到被粘物的游离的含环氧基化合物的量多。

与此相对，如上所述，聚合性分枝聚合物(B1)即使在半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3内的含量比较少量，也能够提高半导体相关构件加工用片材1的剥离性。因此，在本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的情况下，当从被粘物剥离半导体相关构件加工用片材1时，从粘着剂层3转移的有机物比较少。由此，本实施方案的半导体相关构件加工用片材1中，剥离后水接触角不易增大。从而，利用本实施方案的半导体相关构件加工用片材1而由半导体相关构件制造的晶片，其剥离性优异，尤其拾取适性优异、且具备晶片的构件的可靠性不易降低。

如以上已进行的说明，通过在本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3中，以剥离后水接触角为40°以下的范围含有聚合性分枝聚合物(B1)，能够更加稳定地实现：获得剥离性优异的半导体相关构件加工用片材1；及使具备利用半导体相关构件加工用片材1由半导体相关构件制造的晶片的构件的可靠性不易降低。

由于附着于剥离后硅表面的有机物少为优选，因此剥离后水接触角为30°以下为优选，25°以下为更加优选，22.5°以下为进一步优选，20°以下为特别优选，16°以下为极其优选。剥离后水接触角的下限为，以半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3贴附之前的硅晶圆的镜面作为测定对象面进行测定的情况下获得的13°。

ii)照射后粘着力

本实施方案的半导体相关构件加工用片材1中，如下定义的照射后粘着力优选为100mN/25mm以下。

首先，将作为测定对象面的本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3侧的面贴附于作为被粘面的硅晶圆的镜面。接着，从半导体相关构件加工用片材1侧照射能量射线，以降低粘着剂层3对硅晶圆的镜面的粘着性。接着，将被粘面从不锈钢试验板表面变更为上述硅晶圆的镜面，除此之外，以JIS Z0237：2000为基准，进行180°剥离试验。将通过该试验而测定的半导体相关构件加工用片材1的粘着力在本说明书中称作“照射后粘着力”。

本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的照射后粘着力为100mN/25mm以下，由此，能够容易地获得剥离性优异的半导体相关构件加工用片材1。从更稳定地提高半导体相关构件加工用片材1的剥离性的角度考虑，半导体相关构件加工用片材1的照射后粘着力为90mN/25mm以下为优选，70mN/25mm以下为更加优选，50mN/25mm以下为进一步优选、40mN/25mm以下为特别优选，35mN/25mm以下为极其优选。

iii)拾取力

本实施方案的半导体相关构件加工用片材1中，如下定义的拾取力优选为2.5N以下。

首先，利用研磨装置(作为具体的装置，可例示DISCO Co.,Ltd.制“DFG8540”)，将硅晶圆(直径153mm、厚度650μm)磨削成厚度100μm为止。将半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3侧的面贴附于磨削面。此时，半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3侧的面也可贴附于以内部包含硅晶圆的方式配置的环状夹具即环状框架。利用切割装置(作为具体的切割装置，可例示Tokyo Seimitsu Co.,Ltd.制“A-WD-4000B”)，将硅晶圆切割为10mm×10mm的晶片尺寸。切割之后，将半导体相关构件加工用片材1在23℃、相对湿度为50％的环境下放置24小时。其后，将能量射线从基材2侧的面照射于半导体相关构件加工用片材1，以降低粘着剂层3对硅晶圆的磨削面的粘着性。接着，将圆筒状的夹具推到半导体相关构件加工用片材1的基材2侧的面中的、环状框架的内周与晶圆周端部之间的区域。然后，拉下该环状框架2mm，以使半导体相关构件加工用片材1伸长。

其后，使上顶销接触于半导体相关构件加工用片材1的基材2侧的面并拾取晶片。上顶销的数量为4个，销的位置为1边8mm的正方形的顶点。销的上顶量为1.5mm，上顶速度为0.3mm/秒。用以上条件进行拾取时，将施加于上顶销的最大负载(单位：N)在本说明书中称作“拾取力”。

由于本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的拾取力为2.5N以下，因此容易获得剥离性优异的半导体相关构件加工用片材1。从提高半导体相关构件加工用片材1的剥离性的角度考虑，半导体相关构件加工用片材1的照射后粘着力优选为2.0N以下。

iv)厚度

本实施方案的半导体相关构件加工用片材1所具备的粘着剂层3的厚度并无限定。粘着剂层3的厚度通常为从3μm～100μm，5μm～80μm的程度为优选。

v)剥离片

本实施方案的半导体相关构件加工用片材1在将粘着剂层3贴附于半导体相关构件为止的期间，以保护粘着剂层3为目的，在粘着剂层3的对置于基材2的一侧的相反侧的面也可贴合剥离片的剥离面。剥离片的结构任意，可例示通过剥离剂等对塑料膜经过剥离处理的结构。作为塑料膜的具体例，可例举聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、以及聚丙烯和聚乙烯等聚烯烃膜。作为剥离剂，能够使用硅酮类、氟类、长链烷基类等，其中，廉价且可获得稳定的性能的硅酮类为优选。关于剥离片的厚度并无特别的限制，通常为20μm以上且250μm以下程度。

3.半导体相关构件加工用片材的制造方法

半导体相关构件加工用片材1的制造方法只要将由所述粘着剂组合物形成的粘着剂层3设置于基材2的一面的上方，则详细的方法并无限定。举一个例子，制备所述粘着剂组合物以及根据需要还含有溶剂的涂布用组合物，且于基材2的一面上，通过模具涂布机、帘式涂布机、喷雾涂布机、狭缝涂布机、刮刀涂布机等，涂布所述粘着剂组合物或涂布用组合物而形成涂膜，通过干燥该一面上的涂膜能够形成粘着剂层3。粘着剂组合物或涂布用组合物只要能够进行涂布，则其性状并无限定。

当粘着剂组合物或涂布用组合物含有交联剂(C)的情况下，通过改变上述干燥条件(温度、时间等)，或者另外设置加热处理，进行涂膜内的主剂(A)与交联剂(C)的交联反应，只要在粘着剂层3内以所希望的存在密度形成交联结构即可。为了使该交联反应充分地进行，也可通过上述方法等将粘着剂层3层叠于基材2之后，将所获得的半导体相关构件加工用片材1例如在23℃、相对湿度为50％的环境下静置数日进行养护。

作为半导体相关构件加工用片材1的制造方法的另一个例子，在所述剥离片的剥离面上涂布粘着剂组合物或涂布用组合物而形成涂膜，并对其进行干燥，形成由粘着剂层3和剥离片构成的层叠体，也可将该层叠体中的粘着剂层3侧的面贴附于基材2的基材第一面，获得半导体相关构件加工用片材1和剥离片的层叠体。该层叠体中的剥离片可作为工程材料而剥离，也可直至贴附于半导体相关构件期间保护粘着剂层3。

4.晶片的制造方法

近年来，作为获取晶片的半导体相关构件，开始使用具备通过TSV(硅通孔技术(Through Silicon Via))技术形成的具有贯通电极的硅晶圆的构件(本说明书中，将具有该贯通电极的半导体相关构件也称作“TSV晶圆”)。当对于由该TSV晶圆形成的晶片(本说明书中，也称作“TSV晶片”)实施拾取的情况下，利用筒夹等并隔着切割片(为半导体相关构件加工用片材的具体的应用例之一)上顶TSV晶片时，为了在贯通孔部分不使TSV晶片发生破裂，要求充分降低切割片的粘着剂层对TSV晶片表面的粘着性。即，由TSV晶圆制造TSV晶片时使用的半导体相关构件加工用片材需要剥离性优异。

由于本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的剥离性优异，因此能够适当地用作用于由TSV晶圆制造TSV晶片的半导体相关构件加工用片材。作为将本实施方案的半导体相关构件加工用片材1用作切割片并由TSV晶圆制造TSV晶片的情况的具体例，对利用本实施方案的半导体相关构件加工用片材1由半导体相关构件制造晶片的方法进行说明。

首先，将本实施方案的半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3侧的面贴附于相当于半导体相关构件的一面的TSV晶圆的一个主面(贴附工序)。若存在TSV晶圆的一个主面也为平滑面的情况，则也存在其为具有凹凸的面的情况。半导体相关构件加工用片材1的外周附近的区域通常贴附于环状框架。

接着，将半导体相关构件加工用片材1上的TSV晶圆进行分割，获得粘贴于半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3上的多个TSV晶片(分割工序)。用于分割TSV晶圆的具体方法并无限定。可例示利用旋转刀刃(刀片)进行分割的方法，通过激光烧蚀进行分割的方法，利用激光等预先于TSV晶圆内部形成改性层，其后对TSV晶圆施加力进行分割的方法等。

分割工序之后，将能量射线照射于半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3，以使粘着剂层3内的能量射线聚合性化合物(B)进行聚合反应，以降低粘着剂层3对粘贴于粘着剂层3上的多个TSV晶片表面的粘着性(照射工序)。能量射线的种类和照射条件等如已进行的说明。在此，也可进行使半导体相关构件加工用片材1向主面内方向伸长的扩展工序，以便对配置于半导体相关构件加工用片材1上的多个TSV晶片容易实施后续的拾取工序。该伸长程度则考虑邻接的TSV晶片应具有的间距、基材2的拉伸强度等适当地设定即可。

照射工序之后，从半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3分离出多个TSV晶片，获得单个的TSV晶片(拾取工序)。通常，利用筒夹并隔着半导体相关构件加工用片材1将一个TSV晶片顶出，以使该TSV晶片与其他TSV晶片分离，并且减小顶出的TSV晶片对粘着剂层3的粘贴面积。然后，通过吸取设备等拾起该顶出的TSV晶片。通过以上拾取工序拾取的TSV晶片被供给到运送工序等后续工序。

在拾取工序中，粘着剂层对TSV晶片表面的粘着性高(并非充分低)的情况下，根据贯通电极的孔径或间距等，形成有贯通电极的部分或其附近的TSV晶片的机械特性有可能会降低。当该TSV晶片的机械特性显著降低的情况下，还会导致TSV晶片在拾取工序的实施过程中破裂。

在所述专利文献1中公开的、粘着剂层含有游离的含环氧基化合物的切割片中，当对晶片与切割片之间施加剥离力以拾取晶片时，优选在游离的含环氧基化合物与构成粘着剂层的其他成分的界面，或者在游离的含环氧基化合物内发生分离(损坏)，从而降低拾取力。然而，若在这些部分发生分离(损坏)，则不可避免地发生游离的含环氧基化合物从粘着剂层到晶片的转移。

与此相对，由于本发明的一个实施方案的半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3含有聚合性分枝聚合物(B1)，因此能够抑制从粘着剂层3向半导体相关构件转移的有机物的量，并且能够减小在拾取工序中半导体相关构件所承受的机械负载。对于同时实现该转移物质量的减小和拾取负载的减小，聚合性分枝聚合物(B1)如何起作用并不明确，但有可能会存在如下影响：可认为聚合性分枝聚合物(B1)具有在粘着剂层3中容易存在于与半导体相关构件(TSV晶圆)的界面附近的倾向；聚合性分枝聚合物(B1)通过能量射线照射而与其他能量射线聚合性化合物(B)聚合等。

如以上已进行说明的，依据本实施方案的晶片的制造方法，能够使晶片的不适当的拾取不易发生，并且能够抑制从粘着剂层3向晶片的有机物的转移量。从而，本实施方案的晶片的制造方法能够制造品质优异的晶片，并且使具备通过本实施方案的制造方法制造的晶片的构件的可靠性不易降低。

以上说明的实施方案是为了容易理解本发明而记载的，并非用于限定本发明。从而，上述实施方案所公开的各要素也旨在包括属于本发明的技术范围内的所有的设计变型或等价物。

例如，也可在基材与粘着剂层之间具有中间层。通过改变粘着剂层与中间层的物理性质，也可对半导体相关构件加工用片材赋予其他功能。作为具体例，在照射能量射线之前的状态下，若将粘着剂层在23℃下的储存弹性模量G’设为比中间层在23℃下的储存弹性模量G’大，则如上述TSV晶圆那样，即使在半导体相关构件具有凹凸区域的情况下，通过根据凹凸区域整体形成的凸形状而发生中间层的变形，容易以追随半导体相关构件的凹凸区域的方式发生粘着剂层的变形。因此，具有此物理性质的粘着剂层以及具有中间层的半导体相关构件加工用片材在用作切割片时，在切割工序中，不易产生晶圆与片材之间的水侵入或碎屑等不良情况。而且，在具有上述结构的情况下，在具有凹凸区域的半导体相关构件的凹部，构成储存弹性模量G’高的粘着剂层的材料(粘着剂)不易进入，因此在拾取通过半导体相关构件分割而成的晶片时，粘着剂残留于该晶片的凹部内的不良情况不易产生。

本发明的一个实施方案的半导体相关构件加工用片材具有中间层的情况下，粘着剂层固化前的23℃下的储存弹性模量G’并不受限定。如例示所示，粘着剂层固化前的23℃下的储存弹性模量G’为3×10⁵Pa以上为优选，3.5×10⁵Pa以上且1×10⁷Pa以下为更加优选。通过将粘着剂层固化前的23℃下的储存弹性模量G’设为上述范围，在具有凹凸区域的半导体相关构件被分割而成的晶片的凹部内残留有粘着剂的不良情况不易产生。

本发明的一个实施方案的半导体相关构件加工用片材具有中间层的情况下，中间层的23℃下的储存弹性模量G’并无限定。如例示所示，中间层的23℃下的储存弹性模量G’为1×10⁴Pa以上且小于1×10⁵Pa为优选，1×10⁴Pa以上且9×10⁴Pa以下为更加优选，1×10⁴Pa以上且8×10⁴Pa以下为特别优选。通过将中间层的23℃下的储存弹性模量G’调整为上述范围内，粘着剂层更容易追随半导体相关构件的凹凸区域整体所形成的凸形状。

中间层的厚度为5μm以上且50μm以下为优选。中间层的厚度在上述范围内的情况下，与粘着剂层的变形相应地中间层容易变形。中间层的厚度为10μm以上且40μm以下为优选，15μm以上且35μm以下为更加优选，20μm以上且30μm以下为特别优选。

中间层例如可通过以往公知的各种粘着剂形成。作为这种粘着剂并无任何限定，例如可使用橡胶类、丙烯酸类、氨基甲酸酯类、硅酮类、聚乙烯基醚等粘着剂。并且，也可使用能量射线固化型或加热发泡型、水溶胀型粘着剂。作为能量射线固化(紫外线固化、电子束固化等)型粘着剂，使用紫外线固化型粘着剂为特别优选。

当构成中间层的材料为丙烯酸类材料的情况下，也可为与作为构成本发明的一个实施方案的半导体相关构件加工用片材1的粘着剂层3的材料而例示的丙烯酸类粘着剂具有相同组成的材料。具体而言，可含有主剂(A)以及能量射线聚合性化合物(B)，进一步根据需要也可含有交联剂(C)等。主剂(A)也可含有丙烯酸类聚合物(A1)，能量射线聚合性化合物(B)也可含有聚合性高分子化合物(B2)。

当构成中间层的材料为氨基甲酸酯类材料的情况下，该材料也可由日本特开2013-197390号公报中记载的含氨基甲酸酯固化物构成。在此，含氨基甲酸酯固化物为使含有氨基甲酸酯低聚物以及/或氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物和根据需要所添加的能量射线固化型单体的混合物进行能量射线固化的固化物。

实施例

以下，通过实施例等对本发明进行进一步具体的说明，但本发明的范围并不限定于这些实施例等。

[实施例1]

(1)粘着剂组合物的制备

制备出具有如下组成的粘着剂组合物(溶剂：甲苯，成分混合量均为固体成分换算)。

i)聚合性高分子化合物(B2)100质量份，其为使相对于丙烯酸2-羟基乙酯为80％当量的甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯与丙烯酸聚合物(丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝60/10/30(质量比)，聚苯乙烯换算重均分子量＝60万)进行反应而获得反应物，

ii)聚合性分枝聚合物(B1)(Nissan Chemical Industries Co.,Ltd.制“OD-007”，聚苯乙烯换算重均分子量：14,000)0.15质量份、

iii)作为交联剂(C)的异氰酸酯成分(TOYO INK CO.,LTD.制“BHS-8515”)1.0质量份，以及

iv)光聚合引发剂(BASF Agency制“IRGACURE(注册商标)184”)3.0质量份。

(2)半导体相关构件加工用片材的制作

准备了在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的一个主面上形成硅酮类剥离剂层而构成的剥离片(Lintec Corporation制“SP-PET381031”)。在该剥离片的剥离面上，以最终获得的粘着剂层成为10μm的方式涂布了所述粘着剂组合物。使所获得的涂膜连同剥离片于100℃的环境下经过1分钟，由此干燥涂膜，获得由剥离片和粘着剂层构成的层叠体。

将对单面实施电晕处理的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)膜(厚度80μm、电晕处理面的表面张力54mN/m)的电晕处理面作为基材第一面，在该面贴附上述层叠体的粘着剂层侧的面，从而，以剥离片进一步层叠于粘着剂层侧的面的状态，获得由如第1图所述的基材和粘着剂层构成的半导体相关构件加工用片材。

[实施例2]

在实施例1中，除了将粘着剂组合物中所含有的聚合性分枝聚合物(B1)的含量设为0.03质量份之外，进行与实施例1相同的操作，获得半导体相关构件加工用片材。

[实施例3]

在实施例1中，除了使粘着剂组合物中不含聚合性分枝聚合物(B1)之外，进行与实施例1相同的操作，获得半导体相关构件加工用片材。

[实施例4]

在实施例1中，除了将粘着剂组合物中所含有的聚合性分枝聚合物(B1)的含量设为3.0质量份之外，进行与实施例1相同的操作，获得半导体相关构件加工用片材。

[实施例5]

除了将实施例1的粘着剂组合物的组成进行如下变更以外，进行与实施例1相同的操作，获得半导体相关构件加工用片材。

i)聚合性高分子化合物(B2)的100质量份，其为使相对于丙烯酸2-羟基乙酯为80％当量的甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯与丙烯酸聚合物(丙烯酸2-乙基己酯/醋酸乙烯酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝40/40/20(质量比)，聚苯乙烯换算重均分子量＝55万)进行反应而获得反应物，

ii)含环氧基化合物(Dainichiseika agency制“SEIKASEVEN SS02-063”)8.75质量份，

iii)作为交联剂(C)的异氰酸酯成分(TOYOCHEM CO.,LTD.制“BHS-8515”)1质量份，以及

iv)光聚合引发剂(BASF Agency制“IRGACURE 184”)3质量份。

[实施例6]

(1)粘着剂组合物A的制作

使聚合性高分子化合物(B2)(聚苯乙烯换算重均分子量＝40万)100质量份、光聚合引发剂(α-羟基环己基苯基酮(BASF Agency制“IRGACURE 184”))3质量份、交联剂(多元异氰酸酯化合物(TOYOCHEM CO.,LTD.制“BHS-8515”))8质量份(固体成分换算)、以及聚合性分枝聚合物(B1)(Nissan Chemical Industries Inc.制“OD-007”，聚苯乙烯换算重均分子量＝14,000)0.15质量份混合于溶剂中，获得粘着剂组合物A，聚合性高分子化合物(B2)由使丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝62/10/28(质量比)反应而获得的丙烯酸聚合物与相对于每100摩尔单位该丙烯酸粘着性聚合物的丙烯酸2-羟基乙酯为80摩尔甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯进行反应而获得。

(2)中间层用组合物的制作

使丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝95/5(质量比)反应，获得丙烯酸聚合物(聚苯乙烯换算重均分子量＝90万)。将上述丙烯酸聚合物100质量份、以及交联剂(多元异氰酸酯化合物(TOYOCHEM CO.,LTD.制“BHS-8515”))0.5质量份(固体成分换算)混合于溶剂中，获得中间层用组合物。

(3)半导体相关构件加工用片材的制作

对剥离膜(Lintec Corporation制“SP-PET381031(PF)”)涂布上述中间层用组合物并进行干燥(干燥条件：100℃、1分钟)，获得形成于剥离膜上的中间层(厚度：20μm)。接着，将中间层和基材(乙烯甲基丙烯酸共聚膜，厚度：80μm)进行粘贴，并从中间层上剥离出剥离膜，将中间层转印到基材上。

并且，在剥离膜(Lintec Corporation制“SP-PET381031(PF)”)行涂布上述粘着剂组合物A并进行干燥(干燥条件：100℃、1分钟)，获得形成于剥离膜上的粘着剂层(厚度：10μm)。

其后，将带基材中间层和带剥离膜粘着剂层进行粘贴，从而获得半导体相关构件加工用片材。

[实施例7]

使聚合性高分子化合物(B2)(聚苯乙烯换算重均分子量＝60万)100质量份、光聚合引发剂(α-羟基环己基苯基酮(BASF Agency制“IRGACURE 184”))3质量份、交联剂(多元异氰酸酯化合物(TOYOCHEM CO.,LTD.制“BHS-8515”))8质量份(固体成分换算)、以及聚合性分枝聚合物(B1)(Nissan Chemical Industries Inc.制“OD-007”、聚苯乙烯换算重均分子量＝14,000)0.15质量份混合于溶剂中，获得粘着剂组合物B，所述聚合性高分子化合物(B2)由使丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝62/10/28(质量比)反应而获得的丙烯酸粘着性聚合物与相对于每100摩尔单位该丙烯酸粘着性聚合物的丙烯酸2-羟基乙酯为80摩尔的甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯反应而获得。

使用所获得的粘着剂组合物B代替粘着剂组合物A，除此之外，进行与实施例6相同的操作，获得半导体相关构件加工用片材。

[实施例8]

将在实施例6中制备的聚合性高分子化合物(B2)100质量份、光聚合引发剂(α-羟基环己基苯基酮(BASF社制“IRGACURE 184”))3质量份、以及交联剂(多元异氰酸酯化合物(TOYOCHEM CO.,LTD.制“BHS-8515”))8质量份(固体成分换算)混合于溶剂中，获得粘着剂组合物C。

使用所获得的粘着剂组合物C代替粘着剂组合物A，除此之外，进行与实施例6相同的操作，获得半导体相关构件加工用片材。

[实施例9]

除了将粘着剂层的厚度设为30μm以外，以与实施例6相同的方式获得半导体相关构件加工用片材。

[实施例10]

除了将实施例1的粘着剂组合物的组成进行如下变更以外，进行与实施例1相同的操作，获得半导体相关构件加工用片材。

i)聚合性高分子化合物(B2)100质量份，其为使相对于丙烯酸2-羟基乙酯为80％当量的甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯与丙烯酸聚合物(丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝60/10/30(质量比)，聚苯乙烯换算重均分子量＝60万)进行反应而获得的反应物，

ii)聚合性分枝聚合物(B1)(Nissan Chemical Industries Co.,Ltd.制“OD-007”，聚苯乙烯换算重均分子量＝14,000)8.75质量份，

iii)作为交联剂(C)的异氰酸酯成分(TOYO INK CO.,LTD.制“BHS-8515”)1.0质量份，以及

iv)光聚合引发剂(BASF Agency制“IRGACURE(注册商标)184”)3.0质量份。

以下，利用所获得的粘着剂组合物进行与实施例1相同的操作，获得半导体相关构件加工用片材。

[试验例1]＜剥离后水接触角的测定＞

首先，在未实施特别表面处理的清洗结束的干法抛光硅晶圆(直径153mm、厚度650μm)的镜面上贴附实施例以及比较例中所制造的半导体相关构件加工用片材的各自的粘着剂层侧的面。该硅晶圆以及半导体相关构件加工用片材在23℃、相对湿度为50％的环境下保管了24小时。接着，利用紫外线照射装置(Lintec Corporation制“RAD2000m/8”)，将能量射线照射于半导体相关构件加工用片材(照度：230mW/cm²，光量：190mJ/cm²，有流量30L/分钟的吹氮)，以降低粘着剂层对硅晶圆镜面的粘着性。另外，照度以及光量测定时使用了Eye>

将由此获得的、硅晶圆中的粘贴过半导体相关构件加工用片材的镜面(剥离后硅表面)作为测定对象面，在25℃、相对湿度为50％的环境下，利用自动接触角计(KRUSS Co.,Ltd.制“DSA100S”)，将通过2μl的水滴求出的接触角作为剥离后水接触角进行了测定。剥离后水接触角的测定结果于表1中示出。

[试验例2]＜颗粒数的测量＞

将实施例及比较例中制造的半导体相关构件加工用片材分别贴附于干法抛光硅晶圆(直径153mm、厚度650μm)的镜面，以该状态在23℃、相对湿度为50％的环境下放置了24小时。进行放置后，从半导体相关构件加工用片材的基材面对半导体相关构件加工用片材照射作为能量射线的与试验例1相同条件的紫外线。其后，从硅晶圆剥离切割胶带，并利用晶圆表面检查装置(Hitachi High-Technologies Co.,Ltd.制“LS-6600”)测量残留于硅晶圆的剥离面的0.20μm以上粒径的颗粒数。颗粒数的测量结果于表1示出。

[试验例3]＜照射后粘着力的测定＞

将在实施例以及比较例中制造的半导体相关构件加工用片材的各自的粘着剂层侧的面作为测定对象面，并贴附于作为被粘面的硅晶圆的镜面。将该硅晶圆以及半导体相关构件加工用片材在23℃、相对湿度为50％的环境下保管了20分钟。接着，从半导体相关构件加工用片材侧，以与试验例1相同的条件照射能量射线，以降低粘着剂层对被粘面的粘着性。

接着，除了将被粘面从不锈钢试验板表面变更为上述硅晶圆的镜面之外，以JIS Z0237：2000为基准进行了180°剥离试验。将通过该试验而测定的半导体相关构件加工用片材的粘着力作为该片材的照射后粘着力。照射后粘着力的测定结果于表1中示出。

[试验例4]＜拾取力的测定＞

利用研磨装置(DISCO Co.,Ltd.制“DFG8540”)对硅晶圆(直径153mm、厚度650μm)进行磨削直至厚度为100μm。将在实施例以及比较例中制造的半导体相关构件加工用片材分别贴附于硅晶圆的磨削面。并且，将半导体相关构件加工用片材的粘着剂层侧的面也贴附于环状框架，该环状框架为以内部包含硅晶圆的方式配置的环状夹具。

接着，利用切割装置(Tokyo Seimitsu Co.,Ltd.制“A-WD-4000B”)，并利用作为切割刀片的DISCO Co.,Ltd.制“NBC-ZH2050 27HECC”，对半导体相关构件加工用片材进行切入20μm的全切加工，由此将硅晶圆切割成10mm×10mm的晶片尺寸。

在切割之后，将半导体相关构件加工用片材在23℃、相对湿度为50％的环境下放置了24小时。其后，从基材面以与试验例1相同的条件将能量射线照射于半导体相关构件加工用片材，以降低粘着剂层对硅晶圆的磨削面的粘着性。

接着，将圆筒状的夹具推到半导体相关构件加工用片材的基材侧的面中的、环状框架的内周与晶圆周端部之间的区域。并且，拉下该环状框架2mm，以使半导体相关构件加工用片材伸长。

照射能量射线之后，使上顶销接触于半导体相关构件加工用片材的基材面并拾取晶片。上顶销数量为4个，销位置为1边8mm的正方形的顶点。销的上顶量为1.5mm，上顶速度为0.3mm/秒。在以上条件下进行拾取时，将施加于上顶销的最大负载(单位：N)作为拾取力。拾取力的测定结果于表1示出。

[试验例5]＜带保护膜晶片的粘接可靠性试验＞

为了评价从半导体相关构件加工用片材转移到被粘物的物质对包含晶片的产品带来的影响，进行了如下模拟试验。

将实施例以及比较例中所制造的半导体相关构件加工用片材分别贴附于硅晶圆(#2000研磨产品，厚度：350μm)上，并在23℃、相对湿度为50％的环境下放置了1天。对放置后的半导体相关构件加工用片材，以与试验例1相同的条件照射能量射线，以降低粘着剂层对硅晶圆的研磨面的粘着性。

其后，剥离半导体相关构件加工用片材，并利用贴片机(Lintec Corporation制“RAD3600F/12”)将保护膜形成用胶带(Lintec Corporation制“Adwill LC285022”)以70℃加热贴附于通过所述剥离而露出的硅晶圆表面，获得保护膜形成用胶带和硅晶圆的层叠结构体。在130℃的气氛下对此层叠结构体进行加热2小时，由此使保护膜形成用胶带固化，从而获得保护膜。

利用贴片机(Lintec Corporation制“RAD2700F/12Sa”)将切割胶带(Lintec Corporation制“Adwill D-686H”)贴附于由此获得的保护膜的表面。接着，利用切割装置(DISCO Co.,Ltd.制“DFD651”)将带保护膜硅晶圆切割为3mm×3mm的带保护膜晶片。接着，拾取切割胶带上的带保护膜晶片。

将通过上述方法而获得的带保护膜晶片在125℃气氛下加热24小时。接着，通过在温度85℃、相对湿度85％的环境下放置168小时而吸湿之后，在预热160℃下，进行3次最高温度成为260℃加热时间1分钟的IR回流焊(回流焊炉：Sagami Polytechnic Inc.制“WL-15-20DNX型”)。其后，将-65℃与150℃之间的温度变化于各温度下交替保持10分钟的循环重复进行1000个循环(使用装置：Espec Inc.制，小型冷热冲击装置)。

为了评价带保护膜晶片中的保护膜的粘接可靠性，利用扫描型超声波探伤装置(Hitachi Construction Machinery Fine Tech制“Hye-Focus”)对保护膜的粘接状态进行了观察。从在带保护膜晶片的端部是否存在保护膜剥离的角度进行了粘接可靠性的评价。当观察到的带保护膜晶片的端部上不存在保护膜的剥离的情况下设为“A”(良好)，存在的情况下设为“B”(不良)。评价结果于表1中示出。

[试验例6]＜对凹凸的追随性的确认＞

从实施例6～9中制作的半导体相关构件加工用片材剥离出剥离片，并利用贴附装置(Lintec Corporation制“RAD-3510F/12”)将露出的粘着剂层的表面贴附于形成有2行5列直径28μm、间距35μm、高度12μm的凹凸的晶圆。贴附装置的条件如下。

压入量：15μm

突出量：150μm

贴附应力：0.35MPa

贴附速度：5mm/秒

贴附温度：23℃

从半导体相关构件加工用片材的基材侧的面观察凹凸周边的粘着剂层的贴附状态。具体而言，观察半导体相关构件加工用片材与晶圆之间产生的气泡。将上述晶圆的2行5列的电极设为1组的情况下，能够以无气泡的方式贴入到存在于邻接组之间的晶圆表面，将未贴入电极组的内侧即35μm间距的晶圆表面的状态设为良好(表1中为“A”)，将未贴入邻接组之间的情况设为不良(表1中为“B”)。利用数字光学显微镜(KEYENCE制“VHX-1000”)进行了观察。结果于表1中示出。

[表1]

工业实用性

本发明的半导体相关构件加工用片材能够适当地用作硅晶圆、TSV晶圆等半导体相关构件的背面研磨片、保护片、切割片等。

附图标记说明

1：半导体相关构件加工用片材

2：基材

3：粘着剂层