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一种钆钬离子注入的镀镍钕铁硼磁体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种钆钬离子注入的镀镍钕铁硼磁体,由下述组分按质量百分比组成:Pr‑Nd:25‑35%、B:0.5‑1.5%、Al:0.1‑1%、Cu:0‑0.2%、Co:1‑2%、Ga:0.1‑1%、Nb:0.02‑0.08%、Zr:0.01‑0.05%、介孔二氧化硅0.1‑1%,余量为Fe和材料中少量不可避免的杂质;本发明生产的烧结钕铁硼磁体晶型结构均匀,靠近磁体核心的区域重稀土含量偏低,保证了磁体的剩磁基本不受影响,靠近磁体表面的区域重稀土含量偏高,显著提高了磁体的矫顽力,钕铁硼烧结磁体的缺点得到全面改善、优点得到大幅提高。

著录项

  • 公开/公告号CN105931785A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安徽万磁电子有限公司;

    申请/专利号CN201610555168.8

  • 发明设计人 唐睿;沈军;

    申请日2016-07-14

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 231500 安徽省合肥市庐江县石头镇工业园区

  • 入库时间 2023-06-19 00:30:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-25

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01F1/057 申请公布日:20160907 申请日:20160714

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-10-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01F1/057 申请日:20160714

    实质审查的生效

  • 2016-09-07

    公开

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