首页> 中国专利> 用于增强局部电场、光吸收、光辐射、材料检测的结构以及用于制作和使用此结构的方法

用于增强局部电场、光吸收、光辐射、材料检测的结构以及用于制作和使用此结构的方法

摘要

公开了微米结构和纳米结构(100),其由基片(110)、以金属碟(130)盖顶的柱体(120)的阵列、敷设在柱体的侧壁上的金属点(簇群或颗粒)(140)以及金属背板(150)组成,其能够相互作用以增强局部电场、光的吸收和光的辐射。还公开了制造结构(100)的方法。还公开了增强结构表面上的分子和其他材料的检测中的光信号(如荧光、光致发光和表面增强拉曼散射(SERS))的结构的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN105911814A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 普林斯顿大学;

    申请/专利号CN201610091281.5

  • 发明设计人 斯蒂芬·Y.·周;李文迪;

    申请日2011-05-20

  • 分类号G03F7/00;G01N27/26;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人倪斌

  • 地址 美国新泽西州

  • 入库时间 2023-06-19 00:27:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F7/00 申请公布日:20160831 申请日:20110520

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/00 申请日:20110520

    实质审查的生效

  • 2016-08-31

    公开

    公开

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