具有芯片测试结果信息的芯片与检查芯片测试结果的方法

摘要

一种具有芯片测试结果信息的芯片与检查芯片测试结果的方法在此揭露。芯片包含芯片基板与设置在芯片基板上的记录模块。记录模块用以记录代表芯片是否通过芯片测试的状态代码。其方法包含下列步骤：对芯片执行芯片测试；以及在芯片的记录模块中记录状态代码，状态代码代表芯片是否通过芯片测试。透过本发明中将芯片测试结果的信息记录在记录模块上的芯片，使用者可以轻易地检查芯片是否通过芯片测试而不需要联系芯片制造商要求提供对应的测试记录文件。

说明书

技术领域

本发明是关于半导体制程，且特别是关于半导体制程中的芯片测试。

背景技术

近年来，多芯片封装(Multi-Chip-Package,MCP)技术被广泛的应用，将多 个记忆体芯片封装在一起以提升记忆体的容量。然而，当封装后的芯片发生错 误时，很难有效率地检查封装内的芯片是否有通过先前的芯片测试(chip probingtest)。传统上的作法是将芯片信息如晶圆批号(lotnumber)、晶圆刻号 (wafernumber)以及芯片座标等从芯片序号(chipID)中读出，并联系芯片制造商 要求提供对应的测试记录文件，来往过程对于封测厂商来说十分繁复不便。

发明内容

本发明的一方面是关于一种具有芯片测试结果信息的芯片。在本发明的一 实施例中，芯片包含芯片基板以及设置在该芯片基板上的记录模块。该记录模 块用以记录状态代码，用以代表该芯片是否通过芯片测试。

在一实施例中，记录模块的一部分为可熔材质，可用电流熔断。

在一实施例中，记录模块还用以记录错误代码用以表示芯片于芯片测试中 没有通过的测试项目。

在一实施例中，芯片还包含传输接口设置于芯片基板上，电性耦接记录模 块，用以对应读取指令信号输出状态代码。

在另一实施例中，传输接口用以当状态代码表示芯片没有通过芯片测试时 输出错误信号。

在一实施例中，记录模块还用以记录芯片识别代码。

在一实施例中，记录模块包含单次可编程非挥发性记忆体。

在一实施例中，芯片为动态随机存取记忆体芯片。

本发明的另一方面为一种检查芯片测试结果的方法。在本发明的一实施例 中，该方法包含下列步骤：对芯片执行芯片测试，以及在芯片的记录模块中记 录状态代码，状态代码代表芯片是否通过芯片测试。

在一实施例中该方法还包含：接收读取指令，输出状态代码以回应读取指 令，以及根据状态代码检查芯片是否通过芯片测试。

在一实施例中该方法还包含：当所记录的状态代码表示芯片没有通过芯片 测试时，输出错误信号。

在一实施例中，记录模块的多个部分为可用电流熔断，该方法还包含：以 该芯片测试所使用的多个探针，根据所记录的状态代码，选择性的提供电流给 记录模块中对应的部分。

在一实施例中，该方法还包含：以芯片测试所使用的探针，选择性的提供 电流给记录模块中对应的部分以同时记录状态代码以及记录芯片识别代码。

在另一实施例中，该方法还包含：在记录芯片识别代码的后记录状态代码。

在一实施例中，记录模块还用以记录错误代码，该方法还包含：当芯片没 有通过芯片测试时记录错误代码，其中错误代码用以表示芯片于芯片测试中没 有通过的测试项目；以及以芯片测试所使用的探针，根据所记录的错误代码， 选择性的提供电流给记录模块中对应的部分。

在一实施例中，该方法还包含：当所记录的状态代码表示芯片没有通过芯 片测试时，输出对应于错误代码的错误信号。

综上所述，透过应用上述实施例中将芯片测试结果的信息记录在芯片的记 录模块上的作法，使用者可以轻易地检查芯片是否通过芯片测试而不需要联系 芯片制造商要求提供对应的测试记录文件。

须注意的是，上述发明内容说明以及后述的详细实施方式仅为示例，目的 在于让本发明的上述目的、技术特征和优点能更明显易懂。

附图说明

图1为根据本发明一实施例所绘示的芯片示意图；

图2为根据本发明一实施例所绘示的记录步骤；

图3为根据本发明一实施例所绘示的检查步骤；

图4为根据本发明一实施例所绘示的芯片示意图；

图5为根据本发明一实施例所绘示的记录步骤；

图6为根据本发明一实施例所绘示的检查方法的流程图；

图7为根据本发明一实施例所绘示的检查方法的流程图。

具体实施方式

下文是举实施例配合所附附图作详细说明，以更好地理解本发明的实施方 式，但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围，而结构操作的描述 非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效 的装置，皆为本发明所涵盖的范围。此外，根据业界的标准及惯常做法，附图 仅以辅助说明为目的，并未依照原尺寸作图，实际上各种特征的尺寸可任意地 增加或减少以便于说明。下述说明中相同元件将以相同的符号标示来进行说明 以便于理解。

在全篇说明书与权利要求书所使用的用词(terms)，除有特别注明外，通 常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露的内容中与特殊内容中的平常意 义。某些用以描述本发明的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领 域技术人员在有关本发明的描述上额外的引导。

关于本文中所使用的“约”、“大约”或“大致”一般通常是指数值的误差 或范围于百分之二十以内，较好地是于百分之十以内，而更佳地则是于百分之 五以内。文中若无明确说明，其所提及的数值皆视作为近似值，例如可如“约”、 “大约”或“大致”所表示的误差或范围，或其他近似值。

虽然本文中使用“第一”、“第二”、…等用语描述不同元件，该用语仅是 用以区别以相同技术用语描述的元件或操作。除非上下文清楚指明，否则该用 语并非特别指称或暗示次序或顺位，亦非用以限定本发明。

此外，在本文中所使用的用词“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等， 均为开放性的用语，即意指“包含但不限于”。此外，本文中所使用的“及/ 或”，包含相关列举项目中一或多个项目的任意一个以及其所有组合。

于本文中，当一元件被称为“连接”或“耦接”时，可指“电性连接”或 “电性耦接”。“连接”或“耦接”亦可用以表示二或多个元件间相互搭配操作 或互动。

图1为根据本发明一实施例所绘示的芯片100示意图。如图1中所示，芯 片100包含芯片基板120与设置在芯片基板120上的记录模块140。记录模块 140用以记录代表芯片100是否通过芯片测试的状态代码SC。举例来说，如 果芯片100通过芯片测试，状态代码SC可设置为第一预设值(如：1)，如果芯 片100没有通过芯片测试，状态代码SC可设置为第二预设值(如：0)。

在本实施例中，记录模块140包含可熔部分142，可用以代表一个二进位 数值以记录状态代码SC。举例来说，如果状态代码SC被设置为1(即，芯片 通过测试)，可熔部分142维持不熔断。另一方面，如果状态代码SC被设置为 0(即，芯片没有通过测试)，可熔部分142被熔断。如此一来，芯片测试结果 的信息便记录在芯片100上，以供需要的时候读出。

图2是根据本发明一实施例所绘示的上述记录步骤的示意图。记录步骤可 透过芯片测试中使用的探针220来实现。控制信号CTRL被用以控制电性耦接 到探针220的开关240。当控制信号被设置为ON时，开关240被设置在短路 状态，而电流I可穿过探针220并熔断可熔部分142，以代表状态代码SC被 设置为0(即：芯片没有通过测试)。另一方面，当控制信号被设置为OFF时， 开关240被设置在开路状态，而可熔部分142维持在没有被熔断的状态，以代 表状态代码SC被设置为1(即：芯片通过测试)。

请参考图3。在本发明的一实施例中，芯片100可还包含设置于芯片基板 120上的传输接口160。传输接口160电性耦接记录模块140，用以与目标装 置180通讯。并透过检查步骤提供芯片测试结果的信息。

举例来说，在本发明一实施例中，传输接口160可从目标装置180接收读 取指令信号READ_CMD，并对应读取指令信号READ_CMD输出状态代码 SC。

具体来说，根据本实施例，在检查步骤中，当芯片100连接到目标装置 180时，传输接口160首先被设置监控是否接收到读取指令信号READ_CMD。 当接收到读取指令信号READ_CMD，传输接口160用以读出记录在记录模块 140中可熔部分142上的状态代码SC，并在数个周期后输出状态代码SC给目 标装置180。目标装置180用以从芯片100接收状态代码SC，使用者便能根 据目标装置180所接收的状态代码SC得知芯片100是否通过芯片测试。

在另一实施例中，当目标装置180连接到芯片100时，如果记录模块140 中所记录的状态代码SC表示芯片100没有通过芯片测试，传输接口160可输 出错误信号ERR给目标装置180，使用者便能根据目标装置180所接收的错 误信号ERR得知芯片100没有通过芯片测试。

图4为根据本发明另一实施例所绘示的芯片100示意图。在本实施例中， 记录模块140可包含可熔部分142，以及N个可熔部分144，其中N属于正整 数。每一可熔部分144代表一个二进位的位数以记录错误代码FC的一个位。 当芯片100没有通过芯片测试的情况下，错误代码FC用来代表芯片100没有 通过芯片测试的测试项目。N个可熔部分144可用来代表N个位的错误代码 FC。

在本实施例中，芯片100中的错误代码FC可代表芯片100没有通过的相 对应的测试项目。举例来说，如果芯片100为记忆体芯片，相对应的测试项目 可能包含安装性故障(stuckatfault，SAF)、转态延迟错误(transitionfault，TF)、 耦合错误(couplingfault，CF)、邻近图形敏感错误(neighborhoodpatternsensitive fault，NPSF)、位置解码故障(addressdecodingfault，AF)等等。如果芯片100 没有通过芯片测试的测试项目为转态延迟错误，错误代码FC可被设置为TF， 或是二进位中十六位的0101010001000110以代表转态延迟错误。

图5为根据本发明一实施例所绘示的记录步骤。与上述实施例中相似地， 记录步骤可透过芯片测试中使用的探针220来实现。控制信号CTRL被用以控 制电性耦接到探针220的开关240。控制信号CTRL可在不同时脉周期间在 ON和OFF之间切换。在每一个时脉周期中，控制信号CTRL依据要被记录在 相对应的可熔部分142和可熔部分144上的二进位值而被设置在ON或是 OFF。

具体来说，在一实施例中，当在目前的时脉周期中控制信号为ON时，开 关240被设置在短路状态，而电流I可穿过探针220并熔断可熔部分142或可 熔部分144，以代表状态代码SC或是错误代码FC所对应到的位被设置为0。 另一方面，当在目前的时脉周期中控制信号被设置为OFF时，开关240被设 置在开路状态，而可熔部分142或可熔部分144维持在没有被熔断的状态，以 代表状态代码SC或是错误代码FC所对应到的位被设置为1。

也就是说，如果错误代码FC的第K个位被设置为1，则第K级的可熔部 分144便维持不被熔断，相对地，如果错误代码FC的第K个位被设置为0， 则第K级的可熔部分144便被熔断，其中K为不大于N的正整数。因此，芯 片测试更详细的信息便可记录在芯片上，以便在有需要的时候读出。

与上述实施例相似地，在本实施例中，芯片测试更详细的信息可以在接收 到读取指令信号READ_CMD时被读出。传输接口160可用以在数个周期后读 出记录在记录模块140上的状态代码SC以及错误代码FC。使用者便能根据 从目标装置180所接收的状态代码SC以及错误代码DC得知芯片100是否通 过芯片测试，并(在芯片100没有通过芯片测试的情况下)得知芯片100没有通 过的测试项目。

相似地，传输接口160亦可根据记录在记录模块140中的状态代码SC以 及错误代码DC，输出对应的错误信号ERR给连接到芯片100的目标装置180， 使用者便能根据目标装置180所接收的错误信号ERR得知芯片100没有通过 芯片测试。

再次参照图5。记录模块140可还包含N个可熔部分146，其中N属于正 整数。每一可熔部分146代表一个二进位的位数以记录芯片识别代码ID的一 个位。芯片识别代码ID用以表示芯片信息如晶圆批号(lotnumber)、晶圆刻号 (wafernumber)等等。N个可熔部分146可用来代表N个位的芯片识别代码ID。 芯片识别代码ID的记录方法与以上段落中所揭露的状态代码SC与错误代码 FC的记录方法相似，于此不再赘述。

上述所揭露的实施例中提及的记录模块140可由非挥发性记忆体所实作。 例如说，记录模块140可包含单次可编程非挥发性记忆体。可熔部分142可由 与芯片制程过程中所使用的相同物质所实作，如多晶硅、铝、铜、钨等等。

在本实施例中所揭露的技术可应用于使用多芯片封装(Multi-Chip Package)技术的芯片，如动态随机存取记忆体芯片。

图6为根据本发明一实施例所绘示的检查方法的流程图。图6中所示的方 法包含步骤610以及步骤620。在步骤610中，对芯片100执行芯片测试。在 步骤620中，在芯片100的记录模块140中记录状态代码SC，其中状态代码 SC代表芯片100是否通过芯片测试。

检查芯片测试结果的方法可还包含步骤630、步骤632以及步骤634。在 步骤630中，接收读取指令信号READ_CMD。在步骤632中，输出状态代码 SC以回应读取指令信号READ_CMD。在步骤634中，根据状态代码SC检查 芯片100是否通过芯片测试。

图7为根据本发明另一实施例所绘示的检查方法的流程图。在本实施例 中，检查方法包含步骤610、步骤620且还包含步骤640。在步骤640中，当 所记录的状态代码SC表示芯片100没有通过该芯片测试时，输出错误信号 ERR。

在本发明的一实施例中，上述方法可还包含以芯片测试所使用的探针 220，根据所记录的状态代码SC，选择性的提供电流给记录模块140中对应的 所述部分142，以及以芯片测试所使用的探针220，选择性的提供电流给记录 模块140中对应的部分146以记录芯片识别代码ID。由于上述的记录步骤皆 以芯片测试所使用的探针220实作，因此记录步骤可同时执行，亦可根据实际 需求分别依序执行。

在本发明的另一实施例中，上述方法还包含当芯片100没有通过芯片测试 时记录错误代码FC，并以芯片测试所使用的探针220，根据所记录的错误代 码FC，选择性的提供电流给记录模块140中对应的所述部分144。此外，上 述方法可还包含当所记录的状态代码SC表示芯片100没有通过芯片测试时， 根据所记录的错误代码FC输出错误信号ERR。

在上述实施例中，开关240可由双极接面晶体管(BipolarJunction Transistors，BJTs)、金属氧化物半导体场效晶体管(MetalOxideSemiconductor FieldEffectTransistors，MOSFETs)、薄膜晶体管(Thin-FilmTransistors，TFTs) 或为熟悉此技艺者所知其他种类的晶体管等所实作。

综上所述，如于前述实施例中所揭露的，通过将芯片测试结果的信息记录 在芯片100的记录模块140中，使用者可以轻易而有效率的检查芯片100是否 通过芯片测试，不需联系芯片制造商要求提供对应的测试记录文件。

虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉 此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种更动与润饰，因此本 发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。