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一种面阵巨磁阻磁传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种面阵巨磁阻磁传感器及其制造方法,包括数据采集处理单元和巨磁阻阵列。数据采集处理单元包括电源模块、地址选择器、模拟前端和模数转换器;电源模块通过地址选择器连接至巨磁阻阵列,巨磁阻阵列经过模拟前端模块连接至模数转换器,巨磁阻阵列包括256个采用纳米多层膜结构的蜿蜒型电阻形式的巨磁阻磁传感器,组成16*16面阵形式的巨磁阻阵列。本发明基于标准CMOS集成电路工艺,先对外部的数据采集处理单元电路进行单独加工,外部电路加工完成后,再通过两步光刻处理加工所述巨磁阻阵列。本发明的面阵巨磁阻磁传感器可以实现精确的平面磁场高速同步检测,并且小型化、集成化程度高,产品工艺兼容、便于批量生产。

著录项

  • 公开/公告号CN105699920A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201610023905.X

  • 申请日2016-01-14

  • 分类号G01R33/09(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人徐文权

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-12-18 15:41:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R33/09 申请公布日:20160622 申请日:20160114

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R33/09 申请日:20160114

    实质审查的生效

  • 2016-06-22

    公开

    公开

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