首页> 中国专利> 一种金属表面原位生长二氧化钛纳米阵列薄膜的制备方法

一种金属表面原位生长二氧化钛纳米阵列薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种金属表面原位生长二氧化钛纳米阵列薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)制备处理溶液:将盐酸和无机钛盐混合,制得前驱液,再将醇加入到前驱液,充分混合均匀制成处理溶液,所述的处理溶液中钛离子摩尔浓度是0.01~0.08mol/L;(2)二氧化钛纳米阵列薄膜的沉积处理:将金属基体和处理溶液同时置于容器中,在150~200℃下反应1~6小时,反应结束后将基体取出,经去离子水清洗后,基体表面即可获得二氧化钛纳米阵列薄膜。本发明制备方法简单、反应重复性好、能直接在不规则金属基体表面制备、薄膜具有很好的生物活性。

著录项

  • 公开/公告号CN105671531A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江工业大学;

    申请/专利号CN201610038380.7

  • 申请日2016-01-20

  • 分类号C23C20/08;

  • 代理机构杭州斯可睿专利事务所有限公司;

  • 代理人王利强

  • 地址 310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号浙江工业大学

  • 入库时间 2023-12-18 15:32:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-17

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C20/08 申请公布日:20160615 申请日:20160120

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C20/08 申请日:20160120

    实质审查的生效

  • 2016-06-15

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号