一种氮氧化物荧光粉及其制备方法、氮氧化物发光体和发光器件

摘要

本发明涉及一种氮氧化物荧光粉，包括无机化合物，所述无机化合物包含M、A、B、O、N、R元素，其中：M元素是Ca、Sr、Ba、Mg、Li、Na、K中的至少一种，A元素是B、Al、Ga、In中的至少一种，B元素是C、Si、Ge、Sn中的至少一种，R元素是Ce、Eu、Lu、Dy、Gd、Ho中的至少一种，其特征在于，所述无机化合物形成结晶相晶体，所述结晶相晶体中的氧原子含量自晶体内核至晶体表面的区间内呈逐渐增加的结构分布。本发明的氮氧化物荧光粉、氮氧化物发光体的化学稳定性好，具有抗老化光衰和发光效率高的优点，适用于各种发光器件。本发明的制备方法简便可靠，适用于工业化批量生产制造。

说明书

技术领域

本发明属于LED荧光体及发光器件技术领域，特别是涉及一种可被紫外、 紫光或蓝光有效激发的一种氮氧化物荧光粉及其制备方法、氮氧化物发光体和发 光器件。

背景技术

当今以发光二极管(LED)为代表的半导体照明电光源被誉为继白炽灯、日 光灯和节能灯之后的第四代照明电光源，被称为“21世纪绿色光源”。

随着半导体照明进入普通照明领域，加快开发高显色、抗老化和低光衰的白 光LED迫在眉睫。现有制造白光LED的方法主要有：一是在蓝光LED芯片上 涂敷黄色荧光粉(YAG)而实现白光发射，但YAG荧光粉存在着色温偏高、显 色指数偏低的不足，不能满足半导体照明的要求；虽然YAG荧光粉的发射光谱 非常宽，但位于红光区域的发射强度非常弱，导致同蓝光LED芯片混合后存在 红光缺乏的现象，从而影响白光LED的相关色温及显色指数。二是在蓝光LED 芯片上涂敷绿色和红色荧光粉来解决上述问题，然而红色荧光粉也同样存在着不 少问题，如CaS:Eu²⁺光衰大、化学稳定性差，CaMoO₄:Eu²⁺激发范围窄，Y₂O₃:Eu³⁺和Y₂O₂S:Eu³⁺在蓝光区吸收弱能量转化效率低，M₂Si₅N₈:Eu²⁺抗光衰性能差，均 无法与LED芯片达到完美的配合，这些都是制约白光LED技术发展的瓶颈。 三是引用CaAlSiN₃晶体结构的氮化物荧光粉虽然其综合性能优于前述YAG荧光 粉和普通红色荧光粉，但还存在以下明显的不足：①由于对荧光粉合成过程中组 分扩散、成核和择优生长取向与一次晶粒尺寸内在规律的还没有完全研究透彻， 导致荧光粉的发光效率偏低，所以发光效率还需进一步提高；②荧光粉在高光密 度、高温和高湿三因素联合作用下会发生劣化，直接导致整灯光效下降，特别是 色坐标出现大幅度漂移，所以荧光粉的耐久性能还不能完全满足普通照明的要 求。

中国专利200480040967.7公开了一种荧光体，其包含无机化合物，所述无 机化合物具有与CaAlSiN₃相同的晶体结构。该方案以使用包含氮和氧的无机化 合物为基质的荧光体，并特别强调了由于发光亮度随氧的添加量增加而降低，因 此优选方案是在氧的添加量小的范围内组成，并为获得较好的高温耐久性，而使 得无机化合物中包含的O和N的原子数满足0.5≤N/(N+O)≤1(参见说明书第161 段、271段)。该方案存在的明显不足在于为保持荧光粉发光亮度，而限制了氧 含量的范围，所以荧光体的耐久性能反而降低。

2008年电化学杂志公开发表的“Syntheticmethodandluminescenceproperties ofSr_xCa_1-xAlSiN₃:Eu²⁺mixednitridephosphors”一文中提出采用合金法制备 (Sr,Ca)AlSiN₃红色荧光粉，该方法与采用氮化物原料合成的荧光粉相比，氧含量 更低，使得合金法制备(Sr,Ca)AlSiN₃红色荧光粉具有更好的一致性和相纯度，同 时具有较好的稳定性。但该方法还存在明显不足，因采用合金法制备得 (Sr,Ca)AlSiN₃红色荧光粉，强调以控制较低的氧含量来达到较高的一致性和相纯 度，而使得荧光粉的耐久性明显降低，实用性差，限制了它的应用。

2015年JournalofMaterialsChemistryC公开发表的“Reducedthermal degradationofthered-emittingSr₂Si₅N₈:Eu²⁺phosphorviathermaltreatmentin nitrogen”一文中，针对Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺的热劣化机理进行了研究，认为通过焙烧在 荧光粉表面形成一层氧化物保护膜，阻止了Eu²⁺的氧化，提高了热劣化性能，并 由此推测可以改进Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺在LED中的应用性能，但并没有实验数据的支 持，也没有从根本上解决Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺长期老化问题。实际上，在该体系中，由 于Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺本身稳定性较差，焙烧过程中表面晶体结构受到破坏，导致荧光 粉发光强度明显下降，因此不具有实际应用价值。

综上所述，现有技术在解决氮化物红色荧光粉抗老化光衰与提高荧光粉发光 效率的问题中存在着矛盾，基本规律是以降低荧光粉发光效率为代价来提高荧光 粉抗老化光衰性能，或者以降低荧光粉抗老化光衰性能为代价来提高荧光粉发光 效率，目前还未有既不降低荧光粉发光效率又能提高荧光粉抗老化光衰性能的综 合性解决方案。因此，如何克服现有技术的不足已成为当今LED荧光体及发光 器件技术领域中亟待解决的重大难题。

发明内容

本发明的目的是为克服现有技术所存在的不足而提供一种氮氧化物荧光粉 及其制备方法、氮氧化物发光体和发光器件，本发明的氮氧化物荧光粉、氮氧化 物发光体的化学稳定性好，具有抗老化光衰和发光效率高的优点，适用于各种发 光器件。本发明的制备方法简便可靠，适用于工业化批量生产制造。

根据本发明提出的一种氮氧化物荧光粉，包括无机化合物，所述无机化合物 包含M、A、B、O、N、R元素，其中：M元素是Ca、Sr、Ba、Mg、Li、Na、 K中的至少一种，A元素是B、Al、Ga、In中的至少一种，B元素是C、Si、Ge、 Sn中的至少一种，R元素是Ce、Eu、Lu、Dy、Gd、Ho中的至少一种，其特征 在于，所述无机化合物形成结晶相晶体，所述结晶相晶体中的氧原子含量自晶体 内核至晶体表面的区间内呈逐渐增加的结构分布；所述逐渐增加的结构分布是指 按照氧原子含量在结晶相晶体中的分布而分别形成结晶相晶体的内核区、过渡 区、晶体表层区；所述内核区的氧原子含量由内至外呈平缓增加的结构分布，即： 内核区外表面的氧原子含量/内核区核心点的氧原子含量≤1.5；所述过渡区的氧原 子含量由内至外呈急剧增加的结构分布，即：过渡区外表面的氧原子含量/过渡 区内表面的氧原子含量>1.5；所述表层区的氧原子含量由内至外呈平缓增加的结 构分布，即：表层区外表面的氧原子含量/表层区内表面的氧原子含量≤1.5。

本发明提出的一种氮氧化物发光体，其特征在于，包括上述的氮氧化物荧光 粉与其它晶体晶粒或非晶颗粒的混合物，所述混合物中氮氧化物荧光粉的比例不 小于50wt％。

本发明提出的一种氮氧化物荧光粉的制备方法1，其特征在于，包括如下基 本步骤：

步骤1：以M的氮化物、A的氮化物、B的氮化物、R的氮化物或氧化物为 原料，按化学通式M_m-rA_aB_bO_cN_n:R_m中化学组成中阳离子的化学计量比称取所需 原料，混合均匀形成混合料；

步骤2：将步骤1得到的混合料在焙烧气氛中进行高温焙烧，然后降温至预 定温度后通入氮氧混合气或空气进行低温焙烧，得到氮氧化物荧光粉半成品；

步骤3：将步骤2得到的氮氧化物荧光粉半成品进行后处理，即制得氮氧化 物荧光粉成品。

本发明提出的一种氮氧化物荧光粉的制备方法2，其特征在于，包括如下基 本步骤：

步骤1：以M的氮化物、A的氮化物、B的氮化物、R的氮化物或氧化物为 原料，按化学通式M_m-rA_aB_bO_cN_n:R_m中化学组成中阳离子的化学计量比称取所需 原料，混合均匀形成混合料；

步骤2：将步骤1得到的混合料在焙烧气氛中进行高温焙烧，得到氮氧化物 荧光粉半成品；

步骤3：将步骤2得到的氮氧化物荧光粉半成品进行后处理；

步骤4：将步骤3后处理后得到的氮氧化物荧光粉半成品进行低温焙烧制得 氮氧化物荧光粉成品。

本发明提出的一种发光器件，其特征在于，至少含有发紫外光、紫光或蓝光 的LED芯片和荧光粉，其中荧光粉至少使用上述的氮氧化物荧光粉。

本发明的实现原理是：本发明强调对所述氮化物荧光粉的结构设计，将氮氧 化物荧光粉的结构分设为表层区、过渡区和内核区，表层区、过渡区和内核区协 同成为以化学键连接的整体；在内核区内以保持混合料的原始原子组成来形成氮 化物晶体或固溶体，从而可保障高效发光；由于氮化物晶体的合成过程中，在晶 体表层容易形成较多的缺陷，特别在靠近晶体表面的一段区间内，缺陷数量随靠 近表面的距离的减少呈激增趋势，本发明中内核区的外表面在较低温度下以引入 氧的化学反应来依次形成过渡区和表层区，使得结晶相晶体中的氧原子含量可自 晶体内核至晶体表面的区间内呈逐渐增加的结构分布，特别是在过渡区的氧原子 含量由内至外呈急剧增加的结构分布、表层区的氧原子含量由内至外呈平缓增加 的结构分布的条件下，能够有效降低核外层所形成的不利于高效发光的缺陷，从 而保证整体颗粒的发光效率有明显提高，同时，内核区的外表面在较低温度下引 入氧，避免了晶体表层激活剂离子被氧化，进而保证了整体颗粒的发光效率；与 氮离子相比，氧离子的半径小电负性高，离子间的结合力更强，形成的氮氧化物 荧光粉的结晶相晶体中的氧原子含量自晶体内核至晶体表面的区间内呈逐渐递 增，整体颗粒中的过渡区和表层区的化学及热稳定性能逐渐提升，以致对颗粒的 内核区起到有效的保护和屏蔽作用，进而可有效提高荧光粉在LED应用环境中 的热稳定性与耐久性。

本发明与现有技术相比其显著优点在于：

第一，化学稳定性好。本发明在氮氧化物荧光粉的颗粒中引入适量的氧，形 成更加稳定的过渡区与表层区，使得结晶内核区更加坚实和稳定。

第二，抗老化光衰性能好。本发明将氮氧化物颗粒的结构设为内核区、过渡 区和表层区，在氮氧化物荧光粉结晶相晶体中的氧原子含量自晶体内核至晶体表 面的区间内呈逐渐递增，使得半径比氮离子小的氧离子能够更多的取代氮离子， 以增强荧光粉结晶相晶体中的离子间的结合力，从而使得荧光粉具有极其优异的 抗老化光衰的高温耐久性。同时，由于氮氧化物荧光颗粒的内核区因受到过渡区 和表层区的屏障保护作用，内核区不易受到外部不利环境的影响，使得氮氧化物 荧光粉的发光中心的稳定性显著提高。

第三，发光效率高。本发明在内核区内以保持混合料的原始组成来形成氮氧 化物结晶相晶体或其固溶体，从而可保障高效发光；内核区的外表面在较低温度 下以引入氧的化学反应来依次形成过渡区和表层区，使得结晶相晶体中的氧原子 含量可自晶体内核至晶体表面的区间内呈逐渐增加的结构分布，特别是在过渡区 的氧原子含量由内至外呈急剧增加的结构分布、表层区的氧原子含量由内至外呈 平缓增加的结构分布的条件下，能够有效降低核外层所形成的不利于高效发光的 缺陷，从而保证整体颗粒的发光效率有明显提高，同时，内核区的外表面在较低 温度下引入氧，避免了晶体表层激活剂离子被氧化，进而保证了整体颗粒的发光 效率。

第四，适用范围广泛。本发明的氮氧化物荧光粉适用于制造各种发光器件。

第五，制造方法简便可靠。本发明的制造方法简单易行，适用于工业化批量 生产制造。

附图说明

图1为本发明提出的氮氧化物荧光粉的单颗晶体的剖视示意图。

图2为本发明实施例1-4的氮氧化物荧光粉成品的X射线衍射图。

图3为本发明实施例5-8的氮氧化物荧光粉成品的发射光谱图。

图4为本发明实施例5-8的氮氧化物荧光粉成品的激发光谱图。

图5为本发明实施例5的氮氧化物荧光粉成品的扫描电镜图。

图6为本发明实施例6的氮氧化物荧光粉成品的扫描电镜图。

图7为本发明实施例7的氮氧化物荧光粉成品的扫描电镜图。

图8为本发明实施例8的氮氧化物荧光粉成品的扫描电镜图。

图9为本发明实施例9-12的氮氧化物荧光粉成品的发射光谱图。

图10为本发明实施例13-15的氮氧化物荧光粉成品的发射光谱图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步的详细描述。

结合图1，本发明提出的一种氮氧化物荧光粉，包括无机化合物，所述无机 化合物包含M、A、B、O、N、R元素，其中：M元素是Ca、Sr、Ba、Mg、Li、 Na、K中的至少一种，A元素是B、Al、Ga、In中的至少一种，B元素是C、 Si、Ge、Sn中的至少一种，R元素是Ce、Eu、Lu、Dy、Gd、Ho中的至少一种， 所述无机化合物形成结晶相晶体，所述结晶相晶体中的氧原子含量自晶体内核至 晶体表面的区间内呈逐渐增加的结构分布。

本发明提出的一种氮氧化物荧光粉的进一步优选方案是：

所述逐渐增加的结构分布是指按照氧原子含量在结晶相晶体中的分布而分 别形成结晶相晶体的内核区、过渡区、晶体表层区；所述内核区的氧原子含量由 内至外呈平缓增加的结构分布，即：内核区外表面的氧原子含量/内核区核心点 的氧原子含量≤1.5；所述过渡区的氧原子含量由内至外呈急剧增加的结构分布， 即：过渡区外表面的氧原子含量/过渡区内表面的氧原子含量>1.5；所述表层区的 氧原子含量由内至外呈平缓增加的结构分布，即：表层区外表面的氧原子含量/ 表层区内表面的氧原子含量≤1.5。

所述过渡区外表面氧原子含量/过渡区内表面氧原子含量>5。

所述结晶相晶体的表层区的厚度为100nm以内；所述结晶相晶体的过渡区的 厚度为200nm以内；所述结晶相晶体的内核区的厚度范围为从过渡区内表面至 内核区核心点。

所述内核区核心点氧原子含量为≤10％；所述表层区外表面氧原子含量为 30％-50％。

所述无机化合物形成结晶相晶体的化学通式为Mm-rAaBbNnOc：Rr，其中 0.9≤m≤1.1，0.8≤a≤1.2，0.8≤b≤1.2，2.5＜n≤3.5，0.001≤c≤1，0.001≤r≤0.1，且满 足2m+3a+4b-3n-2c＝0。

所述无机化合物中M为Sr、Ca中的一种或两种组合，A为Al，B为Si，R 为Eu。

所述无机化合物具有与CaAlSiN₃结晶相相同的晶体结构。

上述本发明提出的任一项氮氧化物荧光粉，在激发光波长300-500nm范围 内激发下，发出峰波长位于600nm-670nm的红光。

本发明提出的一种氮氧化物荧光粉及其优选方案的制备方法1，包括如下具 体步骤：

步骤1：以M的氮化物、A的氮化物、B的氮化物、R的氮化物或氧化物为 原料，按化学通式M_m-rA_aB_bO_cN_n:R_m化学组成中阳离子的化学计量比称取所需原 料，混合均匀形成混合料；

步骤2：将步骤1得到的混合料在焙烧气氛中进行高温焙烧，然后降温至预 定温度后通入氮氧混合气或空气进行低温焙烧，得到氮氧化物荧光粉半成品；其 中：所述高温焙烧温度为1600-2000℃，焙烧时间2-20h，焙烧气氛是纯氮气气 氛或还原气氛；所述低温焙烧温度为200-450℃，焙烧时间为0.5-24h；所述氮氧 混合气气氛中氧气体积百分含量不大于20％；

步骤3：将步骤2得到的氮氧化物荧光粉半成品进行后处理，即制得氮氧化 物荧光粉成品；其中：所述后处理包括一次研磨、过筛、水洗、烘干、二次研磨 及过筛，其中水洗至氮氧化物荧光粉成品电导率小于10μs/cm。

本发明提出的一种氮氧化物荧光粉及其优选方案的制备方法2，包括如下具 体步骤：

步骤1：以M的氮化物、A的氮化物、B的氮化物、R的氮化物或氧化物为 原料，按化学通式M_m-rA_aB_bO_cN_n:R_m化学组成中阳离子的化学计量比称取所需原 料，混合均匀形成混合料；

步骤2：将步骤1得到的混合料在焙烧气氛中进行高温焙烧，得到氮氧化物 荧光粉半成品；其中：所述高温焙烧温度为1600-2000℃，焙烧时间2-20h，焙 烧气氛是纯氮气气氛或还原气氛；

步骤3：将步骤2得到的氮氧化物荧光粉半成品进行后处理；其中：所述 后处理包括一次研磨、过筛、水洗、烘干、二次研磨及过筛，其中水洗至氮氧化 物荧光粉的电导率小于10μs/cm；

步骤4：将步骤3后处理后得到的氮氧化物荧光粉半成品进行低温焙烧制得 氮氧化物荧光粉成品；其中：所述低温焙烧温度为200-450℃，焙烧时间为 0.5-24h，焙烧气氛为空气。

本发明提出的一种发光器件，至少含有发紫外光、紫光或蓝光的LED芯片 和荧光粉，其中荧光粉至少使用上述本发明任一项中所述的氮氧化物荧光粉。

本发明提出的一种发光器件的进一步优选方案是：还包括混合其它类型的荧 光粉，以通过发光颜色的互补，满足照明需要或应用于高显色的背光源白光LED 中。

下面将本发明提出的一种氮氧化物荧光粉及其制备方法的具体实施例及比 较例进一步公开如下，其中：实施例是指按照本发明提出的氮氧化物荧光粉的结 构及制备方法而得到的氮氧化物荧光粉成品；比较例是指按照现有技术公开的氮 氧化物荧光粉及制备方法而得到的荧光粉成品。荧光粉中的平均氧原子含量和氮 原子含量通过氮氧分析仪测试得到。

实施例1：

称取Ca₃N₂3.95g，Sr₃N₂78.53g，AlN40.99g，Si₃N₄46.76g，Eu₂O₃3.52g，将 以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速移入管式炉中， 然后在氢气气氛保护下逐渐升温至1780℃，保温12h；然后10℃/min降至450℃， 通入氮气与氧气体积比为90％：10％的混合气体进行焙烧，焙烧时间为0.5h， 将所发光颗粒粉碎后过筛，将过筛后的颗粒放入去离子水中搅拌，搅拌30min， 然后抽滤，最后洗涤至电导率为8.56μs/cm，即可制得氮氧化物荧光粉颗粒成 品。X射线衍射图见图2，荧光粉晶体组成式为Sr_0.9Ca_0.08AlSiN_2.84O_0.22:Eu_0.02，经 过俄歇电子能谱配合离子刻蚀测得晶体表层区的厚度为30nm，晶体过渡区的厚 度为50nm，晶体内核区核心氧原子含量为3.3％，晶体过渡区内表面氧原子含 量4.2％,晶体过渡区外表面氧原子含量22％，晶体表层区外表面氧原子含量 31％。

实施例2：

称取Ca₃N₂43.98g，Sr₃N₂7.76g，AlN40.99g，Si₃N₄46.76g，Eu₂O₃5.28g，将 以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速移入碳管炉中， 然后在纯氮气气氛保护下逐渐升温至2000℃，保温2h；然后以8℃/min降至 300℃，通入氮气与氧气体积比为80％：20％的混合气体进行焙烧，焙烧时间 为24h，将所得荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后荧光粉颗粒放入去离子水中 搅拌，搅拌30min，然后抽滤，最后洗涤至电导率为8.89μs/cm，即可制得氮 氧化物荧光粉颗粒成品。X射线衍射图见图2，荧光粉组成为 Sr_0.08Ca_0.89AlSiN_2.92O_0.12：Eu_0.03，经过俄歇电子能谱配合离子刻蚀测得晶体表层区 的厚度为99nm，晶体过渡区的厚度为198nm，晶体内核区核心氧原子含量为 1.6％，晶体过渡区内表面氧原子含量2％,晶体过渡区外表面氧原子含量30％， 晶体表层区外表面氧原子含量49％。

实施例3

称取Ca₃N₂46.95g，AlN40.99g，Si₃N₄46.76g，Eu₂O₃8.8g，将以上原料在氮 气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速移入管式炉中，然后在CO 气气氛保护下逐渐升温至1600℃，保温20h；然后10℃/min降至320℃，通入 氮气与氧气体积比为95％：5％的混合气体进行焙烧，焙烧时间为1h，将过 筛后的荧光粉颗粒放入去离子水中搅拌，搅拌30min，然后抽滤，最后洗涤至 电导率为9.52μs/cm，即可制得氮氧化物荧光粉颗粒成品。X射线衍射图见图2， 荧光粉晶体组成为Ca_0.95AlSiN_2.84O_0.24:Eu_0.05，经过俄歇电子能谱配合离子刻蚀测 得晶体表层区的厚度为9nm，晶体过渡区的厚度为30nm，晶体内核区核心氧原 子含量为2.8％，晶体过渡区内表面氧原子含量3.6％,晶体过渡区外表面氧原子 含量22％，晶体表层区外表面氧原子含量30％。

实施例4

称取Ca₃N₂9.39g，Sr₃N₂77.57g，AlN40.99g，Si₃N₄46.76g，Eu₂O₃1.76g，将 以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速移入碳管炉中， 然后在纯氮气气氛保护下逐渐升温至1870℃，保温10h；然后7℃/min降至 400℃，通入氮气与氧气体积比为96％：4％的混合气体进行焙烧，焙烧时间 为3h，将所得荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后的荧光粉颗粒放入去离子水 中搅拌，搅拌30min，然后抽滤，最后洗涤至电导率为9.45μs/cm，即可制得 氮氧化物荧光粉颗粒成品。X射线衍射图见图2，荧光粉晶体组成为 Sr_0.8Ca_0.19AlSiN_2.86O_0.21：Eu_0.01，经过俄歇电子能谱配合离子刻蚀测得晶体表层区 的厚度为35nm，晶体过渡区的厚度为70nm，晶体内核区核心氧原子含量为 2.5％，晶体过渡区内表面氧原子含量3.5％,晶体过渡区外表面氧原子含量30％， 晶体表层区外表面氧原子含量35％。

比较例1

称取Ca₃N₂3.95g，Sr₃N₂87.26g，AlN40.99g，Si₃N₄46.76g，Eu₂O₃3.52g，将以 上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速移入碳管炉中， 然后在纯氮气气氛保护下逐渐升温至1800℃，保温12h，将所得荧光粉颗粒粉 碎后过筛，将过筛后的荧光粉颗粒放入去离子水中搅拌，搅拌30min，然后抽 滤，最后洗涤至电导率为7.12μs/cm，即可制得荧光粉颗粒成品。发射光谱图 见图3，激发光谱图见图4，荧光粉组成为Sr_0.9Ca_0.08AlSiN₃:Eu_0.02。

将上述实施例和比较例所述的荧光粉分别制成发光器件，测试结果得到：比 较例1的发光强度和老化性能均低于实施例1-4，参见表1。其中老化条件为： SMD-2835型LED灯珠，芯片尺寸10×30mil，芯片波段452.5-455nm，电流 150mA，功率0.5W，环境条件：常温常湿。

表1

实施例5：

称取Ca₃N₂12.85g，Sr₃N₂67.87g，AlN36.89g，Si₃N₄42.08g，Eu₂O₃1.76g， Li₂CO₃1.48g,GaN₃11.17g，Ge₃N₄27.4g将以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装 入钼坩埚中，再将其迅速移入碳管炉中，然后在纯氮气气氛保护下逐渐升温至 1690℃，保温19h；然后6℃/min降至200℃，通入氮气与氧气体积比为97％： 3％的混合气体进行焙烧，焙烧时间为15h，将所得荧光粉颗粒粉碎后过筛， 将过筛后的荧光粉颗粒放入去离子水中搅拌，搅拌30min，然后抽滤，最后洗 涤至电导率为9.5μs/cm，即可制得氮氧化物荧光粉颗粒成品。发射光谱图见图 3，激发光谱图见图4，荧光粉晶体组成为 Li_0.06Sr_0.08Ca_0.89Al_0.9Ga_0.1Si_0.9Ge_0.1N_2.88O_0.15:Eu_0.01，经过俄歇电子能谱配合离子刻蚀 测得晶体表层区的厚度为15nm，晶体过渡区的厚度为42nm，晶体内核区核心氧 原子含量为1.8％，晶体过渡区内表面氧原子含量2％,晶体过渡区外表面氧原子 含量37％，晶体表层区外表面氧原子含量42％。

实施例6：

称取Ca₃N₂24.71g，Sr₃N₂38.78g，AlN40.998g，Si₃N₄46.76g，Eu₂O₃8.8g， BaO7.66g将以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速移 入碳管炉中，然后在氮气气氛保护下逐渐升温至1790℃，保温18h；然后7℃/min 降至300℃，通入空气进行焙烧，焙烧时间为6h，将所得荧光粉颗粒粉碎后 过筛，将过筛后的荧光粉颗粒放入去离子水中搅拌，搅拌30min，然后抽滤， 最后洗涤至电导率为7.5μs/cm，即可制得氮氧化物荧光粉颗粒成品。发射光谱 图见图3，激发光谱图见图4，荧光粉晶体组成为Ba_0.05Sr_0.4Ca_0.5AlSiN_2.76O_0.24： Eu_0.05，经过俄歇电子能谱配合离子刻蚀测得晶体表层区的厚度为25nm，晶体过 渡区的厚度为45nm，晶体内核区核心氧原子含量为3.2％，晶体过渡区内表面 氧原子含量3.9％,晶体过渡区外表面氧原子含量29％，晶体表层区外表面氧原 子含量33％。

实施例7：

称取Ca₃N₂9.88g，Sr₃N₂58.18g，AlN32.8g，Si₃N₄37.4g，Eu₂O₃3.52g， MgO7.25g,InN₃31.37g，Sn₃N₄82.43g将以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入 钼坩埚中，再将其迅速移入碳管炉中，然后在纯氮气气氛保护下逐渐升温至 1780℃，保温15h；将所得荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后的荧光粉颗粒放 入去离子水中搅拌，搅拌30min，然后抽滤，最后洗涤至电导率为6.9μs/cm， 然后将其置于450℃的烘箱中进行焙烧，焙烧时间为0.5h，过筛后即可制得 氮氧化物荧光粉颗粒成品，发射光谱图见图3，激发光谱图见图4，荧光粉组成 为Mg_0.2Sr_0.6Ca_0.18Al_0.8In_0.2Si_0.8Sn_0.2N_2.76O_0.18：Eu_0.02，经过俄歇电子能谱配合离子 刻蚀测得晶体表层区的厚度为23nm，晶体过渡区的厚度为72nm，晶体内核区 核心氧原子含量为2.6％，晶体过渡区内表面氧原子含量3.5％,晶体过渡区外表 面氧原子含量38％，晶体表层区外表面氧原子含量41％。

实施例8：

称取Ca₃N₂2.22g，Sr₃N₂89.2g，AlN40.998g，Si₃N₄46.76g，Eu₂O₃3.52g， Dy₂O₃3.73g，将以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速 移入碳管炉中，然后在氮气气氛保护下逐渐升温至1750℃，保温10h；将所得 荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后的氮化物荧光粉颗粒放入去离子水中搅拌， 搅拌30min，然后抽滤，最后洗涤至电导率为9.8μs/cm，然后将其置于280℃ 的烘箱中进行焙烧，焙烧时间为18h，过筛后即可制得氮氧化物荧光粉颗粒成 品。发射光谱图见图3，激发光谱图见图4，氮化物荧光粉晶体结构式为 Dy_0.01Sr_0.92Ca_0.45AlSiN_2.85O_0.21：Eu_0.02，经过俄歇电子能谱配合离子刻蚀测得晶体 表层区的厚度为87nm，晶体过渡区的厚度为14nm，晶体内核区核心氧原子含量 为2.5％，晶体过渡区内表面氧原子含量3.6％,晶体过渡区外表面氧原子含量 36％，晶体表层区外表面氧原子含量45％。

比较例2：

称取Ca₃N₂2.22g，Sr₃N₂89.2g，AlN40.998g，Si₃N₄46.76g，Eu₂O₃3.52g， Dy₂O₃3.73g，将以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速 移入管式炉中，然后在纯氮气气氛保护下逐渐升温至1750℃，保温15h，将所 得荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后的荧光粉颗粒放入去离子水中搅拌，搅拌 30min，然后抽滤，最后洗涤至电导率为8.12μs/cm，即可制得荧光粉颗粒成 品。发射光谱图见图3，激发光谱图见图4，荧光粉组成为Sr_0.92Ca_0.045AlSiN₃： Eu_0.02Dy_0.01。

将上述实施例和比较例所述的荧光粉分别制成发光器件，测试结果得到：比 较例2的发光强度和老化性能均低于实施例5-8，参见表2。其中老化条件为： SMD-2835型LED灯珠，芯片尺寸10×30mil，芯片波段452.5-455nm，电流 150mA，功率0.5W，环境条件：常温常湿。

表2

实施例9：

称取Ba₃N₂7.1g，Ca₃N₂2.47g，Sr₃N₂77.56g，MgO2.015g，AlN49.19g， Si₃N₄37.41g，Eu₂O₃3.52g，Lu₂O₃1.99g，Ho₂O₃1.89g，将以上原料在氮气气氛中 充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速移入碳管炉中，然后在纯氮气气氛保 护下逐渐升温至1870℃，保温10h，将所得荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后 的荧光粉颗粒放入去离子水中搅拌，搅拌30min，然后抽滤，最后洗涤至电导 率为9.8μs/cm，然后将其置于300℃的烘箱中进行焙烧，焙烧时间为12h，过 筛后即可制得氮氧化物荧光粉颗粒成品。发射光谱见图9，荧光粉晶体组成式为 Sr_0.8Ca_0.0.05Ba_0.05Mg_0.05Al_1.2Si_0.8N_2.71O_0.33:Eu_0.02Lu_0.01Ho_0.01，经过俄歇电子能谱配合 离子刻蚀测得晶体表层区的厚度为56nm，晶体过渡区的厚度为24nm，晶体内核 区核心氧原子含量为4％，晶体过渡区内表面氧原子含量5.6％,晶体过渡区外表 面氧原子含量33％，晶体表层区外表面氧原子含量39％。

实施例10：

称取Ca₃N₂4.45g，Sr₃N₂67.87g，Li₂CO₃0.37g，AlN32.79g，Si₃N₄56.11g， Eu₂O₃15.84g，Gd₂O₃1.81g将以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中， 再将其迅速移入碳管炉中，然后在纯氮气气氛保护下逐渐升温至1780℃，保温 8h，将所得荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后的荧光粉颗粒放入去离子水中搅 拌，搅拌30min，然后抽滤，最后洗涤至电导率为5.7μs/cm，然后将其置于 350℃的烘箱中进行焙烧，焙烧时间为2h，过筛后即可制得氮氧化物荧光粉颗 粒成品。发射光谱见图9，荧光粉组成式为 Li_0.01Ca_0.09Sr_0.7Al_0.8Si_1.2N_2.68O_0.48:Eu_0.09Gd_0.01，经过俄歇电子能谱配合离子刻蚀测得 晶体表层区的厚度为34nm，晶体过渡区的厚度为14nm，晶体内核区核心氧原子 含量为6.5％，晶体过渡区内表面氧原子含量8.2％,晶体过渡区外表面氧原子含 量25％，晶体表层区外表面氧原子含量35％。

实施例11：

称取Ca₃N₂32.12g，Sr₃N₂38.78g，K₂CO₃0.69g，AlN45.09g，Si₃N₄42.08g， Eu₂O₃5.28g，CeN1.54g将以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中， 再将其迅速移入碳管炉中，然后在纯氮气气氛保护下逐渐升温至1680℃，保温 19h，将所得荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后的荧光粉颗粒放入去离子水中 搅拌，搅拌30min，然后抽滤，最后洗涤至电导率为6.9μs/cm，然后将其置 于400℃的烘箱中进行焙烧，焙烧时间为13h，过筛后即可制得氮氧化物荧光 粉颗粒成品。发射光谱见图9，荧光粉组成式为 K_0.01Ca_0.65Sr_0.4Al_0.9Si_1.1N_2.85O_0.27:Eu_0.03Ce_0.01，经过俄歇电子能谱配合离子刻蚀测得 晶体表层区的厚度为102nm，晶体过渡区的厚度为56nm，晶体内核区核心氧原 子含量为3.7％，晶体过渡区内表面氧原子含量4.8％,晶体过渡区外表面氧原子 含量37％，晶体表层区外表面氧原子含量42％。

实施例12：

称取Ca₃N₂32.12g，Sr₃N₂38.78g，K₂CO₃0.69g，AlN36.89g，BN2.48g， GaN83.73g，Si₃N₄42.08g，Eu₂O₃5.28g，CeN1.54g将以上原料在氮气气氛中充分 混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速移入碳管炉中，然后在纯氮气气氛保护下 逐渐升温至1600℃，保温20h，将所得荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后的荧 光粉颗粒放入去离子水中搅拌，搅拌30min，然后抽滤，最后洗涤至电导率为 6.9μs/cm，然后将其置于200℃的烘箱中进行焙烧，焙烧时间为24h，过筛后 即可制得氮氧化物荧光粉颗粒成品。发射光谱见图9，荧光粉组成式为 K_0.01Ca_0.65Sr_0.4Al_0.9B_0.1Ga_0.1Si_0.9N_2.85O_0.27:Eu_0.03Ce_0.01，经过俄歇电子能谱配合离子 刻蚀测得晶体表层区的厚度为67nm，晶体过渡区的厚度为56nm，晶体内核区核 心氧原子含量为3.6％，晶体过渡区内表面氧原子含量4.2％,晶体过渡区外表面 氧原子含量37％，晶体表层区外表面氧原子含量42％。

实施例13：

称取Ca₃N₂5.44g，Sr₃N₂82.41g，AlN36.89g，Ge₃N₄9.13g，Sn₃N₄13.74g， Si₃N₄42.08g，Eu₂O₃7.04g将以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中， 再将其迅速移入碳管炉中，然后在纯氮气气氛保护下逐渐升温至1680℃，保温 19h，将所得荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后的荧光粉颗粒放入去离子水中 搅拌，搅拌30min，然后抽滤，最后洗涤至电导率为6.9μs/cm，然后将其置 于380℃的烘箱中进行焙烧，焙烧时间为10h，过筛后即可制得氮氧化物荧光 粉颗粒成品。发射光谱见图10，荧光粉组成式为 Ca_0.11Sr_0.85Al_0.9Ge_0.1Sn_0.1Si_0.9N_2.57O_0.3：Eu_0.04，经过俄歇电子能谱配合离子刻蚀测 得晶体表层区的厚度为87nm，晶体过渡区的厚度为102nm，晶体内核区核心氧 原子含量为4.2％，晶体过渡区内表面氧原子含量5.2％,晶体过渡区外表面氧原 子含量35％，晶体表层区外表面氧原子含量44％。

实施例14：

称取Ca₃N₂4.89g，Sr₃N₂95.99g，AlN47.5g，Si₃N₄56.1g，EuN0.17g将以上原 料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速移入碳管炉中，然后 在纯氮气气氛保护下逐渐升温至1730℃，保温19h，将所荧光粉颗粒粉碎后过 筛，将过筛后荧光粉颗粒放入去离子水中搅拌，搅拌30min，然后抽滤，最后 洗涤至电导率为8.5μs/cm，然后将其置于250℃的烘箱中进行焙烧，焙烧时 间为2h，过筛后即可制得氮氧化物荧光粉颗粒成品。发射光谱见图10，荧光粉 组成式为Ca_0..099Sr_0.99Al_1.16Si_1.2N_3.47O_0.03:Eu_0.001，经过俄歇电子能谱配合离子刻蚀 测得晶体表层区的厚度为25nm，晶体过渡区的厚度为9nm，晶体内核区核心氧 原子含量为0.4％，晶体过渡区内表面氧原子含量0.6％,晶体过渡区外表面氧原 子含量10％，晶体表层区外表面氧原子含量14％。

实施例15：

称取Ca₃N₂9.88g，Sr₃N₂71.75g，AlN19.68g，Al₂O₃20.39g，Si₃N₄37.4g， EuN10.56g将以上原料在氮气气氛中充分混合3h，装入钼坩埚中，再将其迅速 移入碳管炉中，然后在纯氮气气氛保护下逐渐升温至1690℃，保温20h，将所 得荧光粉颗粒粉碎后过筛，将过筛后的荧光粉颗粒放入去离子水中搅拌，搅拌 30min，然后抽滤，最后洗涤至电导率为8.7μs/cm，然后将其置于290℃的烘 箱中进行焙烧，焙烧时间为17h，过筛后即可制得氮氧化物荧光粉颗粒成品。 发射光谱见图10，荧光粉组成为Ca_0..2Sr_0.74Al_0.8Si_0.8N_2.2O_0.5：Eu_0.06，经过俄歇电 子能谱配合离子刻蚀测得晶体表层区的厚度为38nm，晶体过渡区的厚度为 125nm，晶体内核区核心氧原子含量为9％，晶体过渡区内表面氧原子含量12.5％, 晶体过渡区外表面氧原子含量40％，晶体表层区外表面氧原子含量48％。

将上述实施例和比较例2所述的荧光粉分别制成发光器件，测试结果得到： 比较例2的发光强度和老化性能均低于实施例9-15，参见表3。其中老化条件 为：SMD-2835型LED灯珠，芯片尺寸10×30mil，芯片波段452.5-455nm， 电流150mA，功率0.5W，环境条件：常温常湿。

表3

本发明的具体实施方式中凡未涉到的说明属于本领域的公知技术，可参考公 知技术加以实施。

本发明经反复试验验证，取得了满意的试用效果。

以上具体实施方式及实施例是对本发明提出的一种氮氧化物荧光粉及其制 备方法、氮氧化物发光体和发光器件技术思想的具体支持，不能以此限定本发明 的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在本技术方案基础上所做的任何 等同变化或等效的改动，均仍属于本发明技术方案保护的范围。