对介电基板上以CCTBA为基础的CVD钴成核作用进行改良的表面处理

摘要

本发明的实施方式一般涉及无须培养延迟而在介电材料上形成钴层的方法。在使用CVD沉积钴层之前，介电材料的表面于100℃至250℃之间的温度预处理。由于后续的CVD钴工艺也在100℃至250℃之间的温度执行，所以使用一个处理腔室预处理介电材料与形成钴层。处理步骤的组合能够利用两个处理腔室沉积钴。