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一种去合金化制备微米纳米多孔铜块体的方法

摘要

本发明是一种去合金化制备微米纳米多孔铜块体的方法,该方法是先采用熔炼工艺制备铜含量为10~30at.%前驱体铜铝合金,而后利用化学去合金化法选择性的腐蚀合金中的铝,从而获得具备微米纳米孔结构、高孔隙率的多孔铜块体。本发明的优点在于:改善了去合金化法制备多孔铜难以制备具有一定强度的块体的不足,且制备的微米纳米多孔铜的微米纳米孔结构有利于去合金化的彻底进行,从而进一步提高了制备的多孔铜块体的孔隙率,具有工艺简单,生产周期短,成本低,以及积极的工程应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN105543531A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201610003022.2

  • 申请日2016-01-04

  • 分类号C22C3/00;C22C1/08;

  • 代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人王守仁

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2023-12-18 15:42:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C22C3/00 申请公布日:20160504 申请日:20160104

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C3/00 申请日:20160104

    实质审查的生效

  • 2016-05-04

    公开

    公开

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