扩大Ti/TiN应力窗口的工艺方法

摘要

本发明公开了一种扩大Ti/TiN应力窗口的工艺方法，包含：第1步，形成器件之后，进行接触孔沟槽的刻蚀；第2步，进行第一次快速热处理；第3步，淀积Ti/TiN膜层；第4步，进行第二次快速热处理。本发明工艺在Ti/TiN膜形成之前，加入特殊的热处理，扩大了避免膜层剥离的工艺窗口，减小Ti/TiN膜层出现与硅基底剥离的概率。