一种纳米晶体制备方法、纳米晶体及气体溶液的制备和保存装置

摘要

一种纳米晶体制备方法，包括以下步骤：将常温和常压下为气态的第一前体溶解在第一选定溶剂中，形成第一前体溶液；将第二前体溶解在第二选定溶剂中，形成第二前体溶液，所述第二前体为第I族、第II族、第III族或者第IV族金属元素的前体；在惰性气体氛围中，将所述第一前体溶液加入到装有所述第二前体溶液的反应容器中，所述第一前体与所述第二前体发生化学反应，生成纳米晶体。本发明还公开了一种由上述方法制备的纳米晶体以及一种气体溶液的制备和保存装置。通过本发明的制备方法，气态的第一前体的量可被精确控制，反应更均匀，更可控的，所制得的纳米晶体体积分布均匀，发光量子产率更高。

说明书

技术领域

本发明涉及一种纳米晶体的制备方法以及由该方法制得的一种纳米晶体。本发明还涉及 一种气体溶液的制备和保存装置。

背景技术

纳米晶体(nanocrystal)，又称为纳米晶，是具有几纳米的尺寸、通常为1-20纳米的范 围内、并具有晶体结构的材料。一般而言，纳米晶体是指内部一个球形或近球形的结晶核， 外层包裹一层或多层壳的结构。当然，纳米晶体也包括没有壳的结构。发光纳米晶体或者荧 光纳米晶体是指具有纳米晶体的结构，当在适当的光源或电压激发下发光的晶体。荧光纳米 晶体的光发射特性可以通过控制纳米晶体的组成，纳米晶体的大小，纳米晶体壳表面的结构。 因此，相对于有机材料一个荧光纳米晶体可以提供优异的色纯度，色多样性，光子和热稳定 性。发光的核可以是球形，条形，矩形的，或更少其它多面的形状的形状，并且其总的体积 不大于20nm×20nm×20nm。在纳米晶体核生长外壳或多个壳可以改善纳米晶体的发光稳 定性。荧光纳米晶体的核的组成可以是金属、金属氧化物和包括II-IV和III-V族结构的半导 体。改变荧光纳米晶体的组成还可以通过掺杂一种或多种过渡金属的的阳离子来改变纳米晶 体的发光波长和其他发光性能。

荧光纳米晶体由于其特殊的特性，如尺寸可调的光学特性，高量子效率，相对窄的半峰 宽和抗光降解性，在过去的二十年中已经被广泛地研究。和有机染料相比较，作为新一代发 光材料，荧光纳米晶体在许多应用中，例如发光显示器，光伏器件和生物标记物等领域有更 广泛的用途。

在一般情况下，荧光的纳米晶体可以通过在疏水性溶剂，在200-350摄氏度的温度下热 解金属络合物来合成。荧光纳米晶体，也可以在室温下或在升高的温度下使用水、乙二醇以 及其它亲水性溶剂作为反应溶剂来制备。为实现均匀的反应，反应物通常是溶解在常温或者 升高温度的溶剂中。不溶性无机物或气态反应物也可用于使半导体纳米晶体。然而，不均匀 的反应和非平衡化学一般会导致纳米晶体合成的重复性和质量较差。气态反应物，如硫化氢， 磷化氢和砷化氢，由于其高反应性也可用于制造纳米晶体。现有技术在利用上述气体制备纳 米晶体时，往往直接将制备的气体前体通入到金属前体中，如此也可以得到纳米晶体。

但是，采用上述原位气态前体合成纳米晶体存在以下几个问题：(1)反应不可控和不易 重复：因为气态前体的用量不能精确地控制，可能导致反应非可重复，另外会导致非均匀的 成核和纳米晶体生长。(2)未反应的多余气体的处理需要额外的设备和清理过程：附加气体 形成装置和干燥系统是必需的，因为氧气/水分会影响纳米晶体的质量。(3)剧毒，难以处 理：磷化氢和砷化氢等气体属于剧毒，需要严格的操作程序，只有训练有素的专业人员能够 安全地处理它们。

发明内容

本发明所要解决的技术问题为：提供一种纳米晶体的制备方法，该方法可以精确控制气 态前体的用量，使其与其它前体均匀反应，得到体积分布均匀、粒径可控、发光量子产率高 的纳米晶体。

本发明提供了一种纳米晶体制备方法，包括以下步骤：将常温和常压下为气态的第一前 体溶解在第一选定溶剂中，形成第一前体溶液；将第二前体溶解在第二选定溶剂中，形成第 二前体溶液，所述第二前体为第I族、第II族、第III族或者第IV族金属元素的前体；在惰 性气体氛围中，将所述第一前体溶液加入到装有所述第二前体溶液的反应容器中，所述第一 前体与所述第二前体发生化学反应，生成纳米晶体。

优选地，所述第一前体溶解在所述第一选定溶剂中是物理变化。

优选地，所述第一前体在溶解在所述第一选定溶剂之前，经过除水除氧。

优选地，将所述第一前体溶液以预定速度注入到所述第二前体溶液的液面以下。

优选地，将所述第一前体溶解在所述第一选定溶剂时，将所述第一选定溶剂的温度设定 为所述第一选定溶剂的熔点附近0-5℃范围内。

优选地，所述第一选定溶剂的熔点低于25℃，沸点高于150℃。

优选地，通过调节温度控制所述第一前体在所述第一选定溶剂中的溶解量。

优选地，所述第一前体溶液通过手工控制或者机械控制的方式以预先设定的速度和体积 加入到所述第二前体溶液。

优选地，所述第二前体溶液中还包括表面活性剂，所述表面活性剂包括如下物质中的至 少一种：三烷基膦、三烷基氧化膦、烷基胺、烯胺、烷基硫醇、芳基硫醇、烷基芳基硫醇、 脂肪酸。

优选地，所述烷基胺为单取代烷基胺、双取代烷基胺、三取代烷基胺中的至少一种，所 述脂肪酸为十四酸、油酸、硬脂酸中至少一种

优选地，所述第一前体溶液加入到所述第二前体溶液时，所述第二前体溶液的温度范围 为50-300℃，所述第一前体溶液加入到所述第二前体溶液后，所述第一前体溶液和所述第 二前体溶液的混合液的温度范围为150-350℃，保持时间范围为1分钟-1周。

优选地，所述化学反应的反应温度范围为150-350℃，反应时间范围为1分钟-1周。

优选地，所述第一前体包括如下物质中的至少一种：硫化氢、硒化氢、碲化氢、氨气、 磷化氢、砷化氢、锑化氢。

优选地，所述第二前体包括如下物质中的至少一种：烷基金属、金属氧化物、金属卤化 物、金属羧酸盐、金属膦酸盐、金属次膦酸盐、金属磷酸盐、金属磺酸盐、金属硼酸盐。

优选地，所述第二前体中的金属元素包括锌、锰、铟、镉、铅中的一种。

优选地，所述第一选定溶剂和所述第二选定溶剂为同一种溶剂。

优选地，所述第一选定溶剂与所述第一前体极性相似。

优选地，所述第一选定溶剂和第二选定溶剂分别包括如下物质中的至少一种：长链烷烃、 长链烯烃、长链烷醇、长链烷基胺、长链烷基酯、长链烷基脂肪酸、长链烷基硫醇、三烷基 膦、三烷基膦氧化物、水、水溶液。

优选地，所述长链烷烃包括如下物质中的至少一种：包括1-十八烷、1-十七烷、1-十六 烷、1-十二烷、1-十四烷、1-十三烷、1-姥鲛烷、1-植烷、1-十五烷、石蜡、1-二十烷、1-二 十八烷、1-二十四烷；所述长链烯烃包括如下物质中的至少一种：1-十八碳烯、1-十二碳烯、 1-十六碳烯、1-十四碳烯、1-十七碳烯、1-十九碳烯、1-二十碳烯、1-十三碳烯、1-十五碳烯； 所述长链烷基胺包括如下物质中的至少一种：十六烷基胺、十八烷基胺、十四烷基胺、癸烷 基胺、十二烷基胺、十一烷基胺、十三烷基胺、1,12-二氨基十二烷、1,18-二氨基十八烷、 1,16-二氨基十六烷、1,14-二氨基十四烷胺、油胺；所述长链烷醇包括如下物质中的至少一 种：1-十八烷醇、1-十六烷醇、1-二十烷醇、1-十二烷醇、1-十三烷醇、1-十四烷醇、1-二十 二烷醇、1-十五烷醇、1-十七烷醇、1-十九烷醇、1-二十烷醇；所述长链烷基酯包括如下物 质中的至少一种：硬脂基酯、乙酸十二烷基酯、乙酸十六烷基酯、乙酸二十烷基酯、十五烷 基酯、十七烷基酯；所述长链烷基脂肪酸包括如下物质中的至少一种：癸酸、十一烷酸、十 二烷酸、十三烷酸、十四烷酸、十五烷酸、十六烷酸、十七烷酸、硬脂酸、二十烷酸；所述 长链烷基硫醇包括如下物质中的至少一种：1-十一烷硫醇、1-十二烷硫醇、1-十四烷硫醇、 1-十五烷硫醇、1-十六烷硫醇、1-十八烷硫醇。

优选地，所述制备方法中还包括溶解有第三前体的第三前体溶液，在所述第一前体溶液 加入到所述第二前体溶液之前或者之后，将所述第三前体溶液加入到所述反应容器中。

优选地，所述第三前体与所述第一前体或者所述第二前体能发生化学反应生成纳米晶体。

优选地，所述第三前体在一定温度下自身发生化学反应生成纳米晶体。

优选地，所述制备方法还包括溶解有第四前体的第四前体溶液，在所述第三前体溶液加 入到所述反应容器之后，将所述第四前体溶液加入到所述反应容器中。

优选地，所述第一前体为磷化氢，所述第二前体为铟前体或者铟前体与锌前体的混合物， 所述第三前体为硫前体或者硫化锌前体。

优选地，所述第一前体为磷化氢，所述第二前体为铟前体或者铟前体与锌前体的混合物， 所述其它前体为硫前体或者硫化锌前体或者硫前体与锌前体的混合物。

本发明还提供了一种纳米晶体，由上述任一制备方法制得。

优选地，所述纳米晶体包括核和至少一层壳。

优选地，所述纳米晶体的核为磷化铟，壳为硫化锌。

优选地，所述纳米晶体为没有壳的纳米晶核。

优选地，所述纳米晶体为半导体纳米晶体，包括如下物质中的至少一种：II族-VIA族化 合物、IV族-VIA族化合物、III族-VA族化合物、I族-VIA族化合物、硫化铜铟、硒化铜铟。 所述II族-VIA族化合物包括：硒化锌、碲化锌、硫化锌、硒化镉、硫化镉、碲化镉、氧化锌、 硫化汞、碲化汞、氧化镁、硫化镁、碲化镁、硫硒化镉、硫碲化镉、硫硒化锌、硫碲化锌、 硒碲化锌、硫硒化汞、硫碲化汞、硒碲化汞、硒化锌镉、硫化锌镉、碲化锌镉、汞硫化镉、 硒碲化锌镉、硫碲化锌镉、硫硒化锌镉、硫碲化汞镉、硫硒化汞镉、硒碲化汞镉、硫碲化汞 锌、硫硒化汞锌、硒碲化汞锌、硫化镁锌、碲化镁锌、硒化镁锌、氧化镁锌、氧硫化镁锌、 硫硒化镁锌、碲硒化镁锌、硫碲化镁锌；所述IV族-VIA族化合物包括：硫化铅、硒化铅、 碲化铅、硫化锡、硒化锡、碲化锡、硫碲化锡、硫硒化锡、硒碲化锡、硫碲化铅、硫硒化铅、 硒碲化铅、硫化锡铅、碲化锡铅、硒化锡铅、硫硒化锡铅、硫碲化锡铅；所述III族-VA族化 合物包括：磷化铟、砷化铟、氮化镓、磷化镓、砷化镓、锑化镓、氮化铝、磷化铝、砷化铝、 锑化铝、氮化铟、锑化铟、氮磷化镓、氮砷化镓、氮锑化镓、磷锑化镓、磷砷化镓、氮磷化 铝、氮砷化铝、氮磷化铝镓、氮锑化铝镓、磷锑化铝镓、磷砷化铝镓、氮磷化铟镓、氮砷化 铟镓、氮锑化铟镓、磷锑化铟镓、磷砷化铟镓、氮化铟铝、磷化铟铝、砷化铟铝、锑化铟铝； 所述I族-VI族化合物包括:硫化铜、碲化铜、硒化铜、硫化银、硒化银、碲化银。

优选地，所述纳米晶体为化学掺杂一种或多种过渡金属阳离子的半导体纳米晶体，所述 纳米晶体包括如下物质中的至少一种：Mn²⁺掺杂硒化锌、Mn²⁺掺杂硫化锌、Mn²⁺掺杂碲化 锌、Mn²⁺掺杂硒化镉、Mn²⁺掺杂硫化镉、Mn²⁺掺杂碲化镉、Mn²⁺掺杂硒化锌、Mn²⁺掺杂硫 化锌、Mn²⁺掺杂碲化锌、Mn²⁺掺杂硒化镉、Mn²⁺掺杂硫化镉、Mn²⁺掺杂碲化镉、Co²⁺掺杂 硒化锌、Co²⁺掺杂硫化锌、Co²⁺掺杂碲化锌、Co²⁺掺杂硒化镉、Co²⁺掺杂硫化镉、Co²⁺掺杂碲 化镉、Ni²⁺掺杂硒化锌、Ni²⁺掺杂硫化锌、Ni²⁺掺杂碲化锌、Ni²⁺掺杂硒化镉、Ni²⁺掺杂硫化镉、 Ni²⁺掺杂碲化镉、Ag⁺掺杂硒化锌、Ag⁺掺杂硫化锌、Ag⁺掺杂碲化锌、Ag⁺掺杂硒化镉、Ag⁺掺 杂硫化镉、Ag⁺掺杂碲化镉、Cu⁺掺杂磷化铟、Cu⁺掺杂砷化铟、Ag⁺掺杂磷化铟、Ag⁺掺杂砷 化铟、Mn²⁺掺杂磷化铟、Mn²⁺掺杂砷化铟。

优选地，所述纳米晶体为稀土掺杂的上转换纳米晶体，所述稀土元素包括如下元素中的 至少一种：镱、铒、铥、钬、铈、钕、钆、钐、铕。

优选地，所述纳米晶体为金属氧化物纳米晶体，所述金属氧化物纳米晶体包括氧化钛纳 米晶体或者氧化钙纳米晶体中的至少一种。

优选地，所述纳米晶体的核为无机化合物，所述纳米晶体的立方体积小于100nm×100nm ×100nm。

本发明还公开了一种显示装置，所述显示装置包括显示面板及背光模组，所述背光模组 中包括如上述的制备方法制得的纳米晶体。

本发明还公开了一种照明装置，所述照明装置包括如上述的制备方法制得的纳米晶体。

本发明还公开了一种防伪标签，所述防伪标签包括如上述的制备方法制得的纳米晶体。

本发明还公开了一种气体溶液的制备和保存装置，包括储存装置和与所述储存装置相连 接的尾气吸收装置，其特征在于，所述储存装置包括提供低温的低温循环泵、搅拌器、导热 液体以及装有溶解气体的溶剂的保存瓶。

优选地，所述装置还包括与所述储存装置相连接的用于除氧除水的气体处理装置，所述 气体处理装置包括内装干燥剂的干燥管。

本发明的制备方法，具有以下有益效果：气态前体的量可被精确控制，纳米晶体的生成 反应更均匀，纳米晶体的尺寸更可控，且可重复；通过将气态前体溶解在溶剂中参与反应， 无需额外的设备或者步骤对未反应的气体进行清理；相对于气体直接参与反应的制备方法， 制备过程也得到简化，制备过程的难度得到降低。由本发明所制得的纳米晶体体积分布均匀， 半峰宽较小，发射峰不会发生红移或者红移很少，发光量子产率更高。本发明的制备和保存 气体溶液的装置将制备与保存合为一体，避免了气体溶液转移过程中温度对气体溶液的影响， 取用非常方便。

附图说明

图1是表示本发明制备纳米晶体方法的一个示例性实施流程图。

图2是实施例7的纳米晶体的紫外-可见吸收(ABS)和光致发光(PL，激发在330nm处) 光谱图。

图3是实施例8的纳米晶体的紫外-可见吸收(ABS)和光致发光(PL，激发在450nm处) 光谱图。

图4是实施例9的纳米晶体的紫外-可见吸收(ABS)和光致发光(PL，激发在450nm处) 光谱图。

图5是实施例15的纳米晶体的紫外-可见吸收(ABS)光谱图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施方式，对本发明实施例中的技术方案进行详细地描述，显然，所 描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本发明中的实 施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式， 都属于本发明保护范围。

本发明揭示了一种纳米晶体制备方法，包括以下步骤：将常温和常压下为气态的第一前 体溶解在第一选定溶剂中，形成第一前体溶液；将第二前体溶解在第二选定溶剂中，形成第 二前体溶液，所述第二前体为第I族、第II族、第III族或者第IV族金属元素的前体；在惰 性气体氛围中，将第一前体溶液加入到装有所述第二前体溶液的反应容器中，第一前体与第 二前体发生化学反应，生成纳米晶体。

本发明所制备的纳米晶体是指三维体积中每个维度的尺寸均在100nm以内的纳米粒子。 本发明的纳米晶体包括但不限于以下名称：纳米晶、纳米颗粒、荧光纳米粒子、荧光纳米颗 粒、发光纳米粒子、发光纳米颗粒、量子点、上转换粒子、上转换颗粒、上转换发光材料等。

在一个优选实施方式中，本发明中所述的纳米晶体为直径1-20nm的量子点。

在一个优选实施方式中，本发明还包括通过化学反应制备第一前体的步骤。本实施例的 具体步骤如图1所示。

由于纳米晶体制备过程中，氧气和水分会影响其质量，所以，所制备的气态的第一前体 经过除氧除水，再溶解在第一溶剂中。

在一个优选实施方式中，本发明还包括通过纳米晶体的纯化步骤。具体的，在第一前体 与第二前体发生化学反应生成纳米晶体后，通过离心得到纳米晶体固体，再通过分散剂将纳 米晶体固体分散，如此可重复多次。最后将纳米晶体保存在分散剂中。分散剂选择毒性较小 的有机溶剂。优选的，分散剂选用正己烷或者丙酮。

本发明通过物理手段将难以控制反应量的气态反应物溶解在溶液中，使气态反应物变为 液态，进而可以精确控制加入的气态反应物的量，对反应进行精细化的控制，使反应更加均 匀，得到体积分布均匀，发光性能更好的纳米晶体。

为避免将水分或者氧气带入到第一前体与第二前体的反应中，第一前体溶液是在氩气或 其它惰性气体保护下制备，第一前体在溶解到第一选定溶剂之前经过干燥。

第一前体溶解在第一选定溶剂中，是物理变化。溶解过程涉及到第一前体分子在第一选 定溶剂中的扩散以及第一选定溶剂对第一前体的溶剂化，并没有改变第一前体本身的化学结 构，不会影响第一前体与第二前体的化学反应。

通过向第一选定溶剂中以一定的速率通入气态的第一前体一段时间，形成第一前体溶液。 通入过程中，可以搅拌也可以不搅拌。第一前体溶液可以是饱和的或者不饱和的。

通过对温度的改变可以控制第一前体在第一选定溶剂中的溶解量。不同的温度，对应着 不同的溶解度。一般情况下，温度越低，越有利于气体在溶剂中的溶解。通过降低温度，增 大第一前体在第一选定溶剂中的溶解量。但是为避免溶剂凝固，温度不能任意下降。在一个 优选实施方式中，第一前体溶解在第一选定溶剂时，将第一选定溶剂的温度设定为所述第一 选定溶剂的熔点附近0-5℃范围内，以得到最大的气态第一前体吸收量。优选的，将第一选 定溶剂的温度设定为高于所述第一选定溶剂的熔点0-2℃。第一前体的吸收量越大，所需的 溶剂越少，在加入到第二前体溶液参与反应时，加入的溶剂越少，越有利于第一前体与第二 前体的反应，生成更好质量的纳米晶体。

在一个温度条件下获得的第一前体溶液，应保持在这个温度条件或者更低的温度条件下 进行保存，以免温度改变，第一前体溶出。优选地，在制备第一前体溶液后，恒温密封保存。

在制备第一前体溶液后，可通过滴定法确定第一前体的精确浓度。如此，在将第一前体 溶液加入到第二前体溶液时，可以通过加入体积精确控制所加入的第一前体的量。

在一个优选实施例中，第一前体为H₂S气体，其在溶剂中的溶解性依赖于溶剂极性和温 度。在20摄氏度下，H₂S在n-十六烷和1-十六烷中的溶解度分别是0.07M和0.24M。优选 地，第一前体为硫化氢时，使用1-十六烷为第一选定溶剂。硫化氢溶液中硫化氢的浓度可 通过滴定AgNO₃酒精溶液的来确定。在另一个实施例中，第一前体为磷化氢，磷化氢在环 己烷和苯中的溶解浓度分别为0.1M和0.3M。

制备第一前体溶液时，过量的第一前体，由另一溶剂或废物处理溶液吸收处理。选择性 溶剂吸收是用于除去不需要杂质来净化气体的主要方法。

由于第一前体溶液中气体在高温下容易溢出，所以在第一前体溶液加入到第二前体溶液 时，将第一前体溶液注入到第二前体溶液的液面以下，以避免第一前体溢出。

本发明中，第一前体与第二前体发生化学反应的反应温度优选范围为150℃-350℃，进 一步优选范围200℃-350℃。反应时间优选范围为0.1分钟-1周，进一步优选范围为1分钟 -1小时。反应温度和反应时间为第一前体溶液加入到第二前体溶液的瞬间开始一直到纳米 晶体完成制备的过程中的温度和时间。反应温度一方面要促使反应发生，另一方面不能超过 第一选定溶剂或者第二选定溶剂的沸点。

本发明中，在第一前体溶液加入到第二前体溶液前，将第二前体溶液温度范围控制为 50℃-300℃。在第一前体溶液加入到第二前体溶液时，将第二前体溶液温度范围控制为50℃ -300℃，优选100-300℃。在第一前体溶液加入到第二前体溶液后，将第一前体溶液与第二 前体溶液的混合溶液温度范围控制为150℃-350℃，保持时间范围为1分钟-1周，进一步优 选范围为1分钟-1小时。

第一前体与第二前体的化学反应是瞬间的，第一前体溶液加入到第二前体溶液的速度应 越快越好，并使反应溶液不断搅拌，以避免时间过长第一前体溢出而未参与反应。

本发明在不同反应阶段，可以设置不同的反应温度。在一个优选的实施方式中，第一前 体溶液加入到第二前体溶液后的30分钟-2个小时内，控制反应温度在200-350℃，在之后， 将反应温度控制在200-350℃的另一个反应温度。

本发明的第一前体可以是直接购买得到，也可以通过自己合成制备得到。本发明第一前 体主要由第二族和第三族元素组成的化合物。优选地，第一前体包括如下物质中的至少一种： 硫化氢、硒化氢、碲化氢、氨气、磷化氢、砷化氢、锑化氢。最优选地，第一前体为磷化氢。

在一个优选实施例中，第一前体为硫化氢；硫化氢气体是通过在氩气保护下Na₂S和HCl 溶液反应生成。在另一个优选实施例中，第一前体为磷化氢；磷化氢气体通过在氩气保护下 Zn₃P₂和H₂SO₄溶液反应生成。

第二前体包括所有从一个化学角度能和气态的第一前体合成纳米晶体的前体。优选地， 第二前体包括如下物质中的至少一种：烷基金属、金属氧化物、金属卤化物、金属羧酸盐、 金属膦酸盐、金属次膦酸盐、金属磷酸盐、金属磺酸盐、金属硼酸盐。

优选地，第二前体所包括得到金属元素选自第II族、第III族或者第IV族元素。更优选 地，第二前体所包括得到金属元素为锌、锰、铟、镉、铅中的一种。在一个优选实施方式中， 第二前体为锌盐前体，其选自硬脂酸锌、醋酸锌、磷酸锌、次磷酸锌、磺酸锌、硼酸锌、卤 化锌、氧化锌中的至少一种。

在一个优选实施方式中，本发明合成的是一种核壳结构的纳米晶体，第一前体为磷化氢， 第二前体为锌盐前体和铟盐前体。

第一选定溶剂的目的是溶解第一前体，让气态的第一前体转化为液态形式，从而可以更 好的控制第一前体参与反应，使反应更加均匀。第一选定溶剂的选择范围为任何可以溶解第 一前体的溶剂或者溶液。第二选定溶剂的目的是溶解第二前体。第二选定溶剂的选择范围或 者优选范围与第一选定溶剂一样。第一选定溶剂和第二选定溶剂的沸点要高于第一前体与第 二前体发生纳米晶体生成反应所需的最低温度。由于不同纳米晶体的生成反应最低温度不尽 相同且最低温度也随其它条件的变化而变化，所以具体的选定溶剂的选择需要具体情况具体 分析。

一方面，第一选定溶剂需要较低的熔点，通过将温度降至熔点附近以获得较高的第一前 体溶解量，另一方面，第一选定溶剂的沸点要高于纳米晶体生成反应所需的最低温度。第一 选定溶剂的选择需要平衡上述两个方面。优选地，第一选定溶剂的熔点低于25℃，沸点高 于150℃。在一个优选实施例中，在制备磷化氢溶液时，第一选定溶剂为1-十八烯、1-十六 烯、油胺中的一种。

在一个优选实施方式中，第一选定溶剂与第二选定溶剂一样。如此，在第一前体溶液与 第二前体溶液反应时，更有利于第一前体与第二前体的接触和充分反应。当然，第一选定溶 剂与第二选定溶剂不一样时，并不妨碍第一前体与第二前体发生反应。只要两者在液相环境 中混合，借助于搅拌等外力，使第一前体与第二前体能够接触，就能够促使两者发生化学反 应，从而生成纳米晶体。

第一选定溶剂可以是水或者包括其它溶质的水溶液，也可以是有机溶剂或者有机溶液。

优选地，第一选定溶剂为有机物，包括如下物质中的至少一种：长链烷烃、长链烯烃、 长链烷醇、长链烷基胺、长链烷基酯、长链烷基脂肪酸、长链烷基硫醇、三烷基膦、三烷基 膦氧化物。上述长链包括但不限于碳原子个数为8-30的直链。长链烷烃包括如下物质中的 至少一种：1-十八烷、1-十七烷、1-十六烷、1-十二烷、1-十四烷、1-十三烷、1-姥鲛烷、1- 植烷、1-十五烷、石蜡、1-二十烷、1-二十八烷、1-二十四烷。长链烯烃包括如下物质中的 至少一种：1-十八碳烯、1-十二碳烯、1-十六碳烯、1-十四碳烯、1-十七碳烯、1-十九碳烯、 1-二十碳烯、1-十三碳烯、1-十五碳烯。长链烷基胺包括如下物质中的至少一种：十六烷基 胺、十八烷基胺、十四烷基胺、癸烷基胺、十二烷基胺、十一烷基胺、十三烷基胺、1,12-二 氨基十二烷、1,18-二氨基十八烷、1,16-二氨基十六烷、1,14-二氨基十四烷胺、油胺、辛胺。 长链烷醇包括如下物质中的至少一种：1-十八烷醇、1-十六烷醇、1-二十烷醇、1-十二烷醇、 1-十三烷醇、1-十四烷醇、1-二十二烷醇、1-十五烷醇、1-十七烷醇、1-十九烷醇、1-二十烷 醇。长链烷基酯包括如下物质中的至少一种：硬脂基酯、乙酸十二烷基酯、乙酸十六烷基酯、 乙酸二十烷基酯、十五烷基酯、十七烷基酯。长链烷基脂肪酸包括如下物质中的至少一种： 脂肪酸包括不限于癸酸、十一烷酸、十二烷酸、十三烷酸、十四烷酸、十五烷酸、十六烷酸、 十七烷酸、硬脂酸、二十烷酸。长链烷基硫醇包括如下物质中的至少一种：1-十一烷硫醇、 1-十二烷硫醇、1-十四烷硫醇、1-十五烷硫醇、1-十六烷硫醇、1-十八烷硫醇。

第二前体溶液中，除了第二前体和第二选定溶剂，还可以添加表面活性剂。表面活性剂 可以对第二前体产生活化作用，促进纳米晶体的生长。表面活性剂也可称为配体。表面活性 剂对纳米晶体生成后的稳定性非常重要，可以使纳米晶体在形成后稳定的分散在溶剂中。优 选地，表面活性剂包括如下物质中的至少一种：三烷基膦、三烷基氧化膦、烷基胺、烷基硫 醇、芳基硫醇、脂肪酸。优选地，表面活性剂为烷基胺，其包括单取代烷基胺、双取代烷基 胺、三取代烷基胺中的至少一种。优选地，烷基胺为十八胺。在一个优选实施方式中，表面 活性剂为油胺。

表面活性剂与第二选定溶剂的体积比值范围为0.1-10。第二前体与表面活性剂的摩尔比 范围为1:0-1:5。

在一个优选实施方式中，第二前体加入第二选定溶剂之前，经过与稳定剂的反应，以使 其在第二选定溶剂中保持一定的稳定性。在一个具体实施例中，第二前体与稳定剂，在真空 高温下发生反应，得到由稳定剂包覆的第二前体。优选地，稳定剂为金属配位剂，选自十四 酸、油酸、硬脂酸等饱和或者不饱和的脂肪酸。

在一个优选实施方式中，第一前体为磷化氢，第二前体为铟前体。第一选定溶剂包括但 不限于1-十八烯、1-十六烯、油胺、辛胺中的至少一种。第二选定溶剂为1-十八烯，第二前 体溶液中还包括表面活性剂，表面活性剂包括但不限于十四酸、油酸、硬脂酸。第二前体溶 液中还包括油胺。

第一前体溶液加入到第二前体溶液的步骤是发生化学反应的步骤。加入方式为手工加入 或者通过机械控制加入。机械控制加入的方法，如使用机械泵将第一前体溶液注入到第二前 体溶液。

由于第一前体溶液需在一定的温度下保存，而反应温度却在150-350℃范围内，如果控 制不当，第一前体很可能在与第二前体发生反应之前就从溶剂中溢出。所以，第一前体溶液 加入到第二前体溶液的时间点、体积、速度和温度对纳米晶体的有重要影响，决定了纳米晶 体的发光强度，发射带的宽窄，稳定性和发射波长。

为确保第一前体溶液加入到第二前体溶液时，第一前体不溶出，应在加入第一前体溶液 之前，将第二前体溶液加热至所需的反应温度。优选地，第一前体溶液加入第二前体溶液时， 第二前体的温度应控制在150℃-350℃。加入第一前体溶液的速度要尽量快，使得第一前体 溶液加入后，第一前体迅速和第二前体发生反应，并形成纳米晶体。第一前体溶液的加入速 度对纳米晶体的纯度会产生影响。如果一次性加入第二前体溶液的第一前体溶液量过大，可 将第一前体溶液分成小份加入到第二前体溶液。目的是使第一前体溶液加入第二前体溶液时 能够充分发生反应，避免反应不充分时第一前体在当前反应温度下溶出。在一个优选实施方 式中，每次加入到第二前体溶液的第一前体溶液量不超过2ml。

第一前体溶液加入到第二前体溶液的时间点可以是在纳米晶体合成的成核反应之前，成 核反应过程中，壳体的增长反应期间或壳体生长反应之后。时间点的具体选择则要根据具体 的反应要求以及产品要求进行设置。

第一前体溶液加入第二前体溶液的体积取决于第一前体与第二前体的配比。理论上，第 一前体与第二前体的摩尔比可以是任意比例，任意浓度，在本发明的制备方法中，只要两者 混合，相应的就会有纳米晶体的生成。但是，第一前体的浓度、第二前体的浓度以及第一前 体与第二前体的摩尔比对所生成的纳米晶体的质量有影响。

优选地，第一前体与第二前体的摩尔比值范围为0.1-5，第一前体的浓度优选范围为 0.01-10M，第二前体的浓度优选范围为0.01-10M。更优选地，第一前体的浓度优选范围为 0.1-1M。

在一个优选实施方式中，本发明的制备方法中还包括溶解有第三前体的第三前体溶液， 在第一前体溶液加入到第二前体溶液之前或者之后，将第三前体溶液加入到反应容器中。第 三前体可以是第I族、第II族、第III族或者第IV族金属元素的前体，也可以是第V族、第 VI族元素的前体。

在一个优选实施方式中，本发明公开了一种核为磷化铟壳为硫化锌的纳米晶体的制备方 法，具体步骤为：制备磷化氢气体；将磷化氢气体经除氧除水后通入到惰性气体氛围的有机 溶剂中，形成磷化氢气体溶液；将一定量的铟盐前体、锌盐前体、1-十八烯(1-octadencene， 简称ODE)、表面活性剂加入到反应容器中，铟盐前体与锌盐前体的摩尔比为1:1-1:10。将 反应溶剂加热到100℃-150℃，在惰性气体氛围中，继续升温到200℃-270℃，搅拌中向反 应容器中液面下注入一定量的磷化氢气体溶液，保持时间0.1min-2h，之后向反应容器中液 面下注入硫前体、硫前体溶液、硫化锌前体或者硫化锌前体溶液，然后保持温度在150-350℃， 保持时间0.5min-24h。表面活性剂优选油胺，溶解磷化氢的有机溶剂优选1-十八烯、1-十六 烯、油胺、辛胺中的一种，硫前体优选硫化氢气体溶液或十二烷基硫醇。优选地，铟盐前体 和锌盐前体在加入到反应容器之前，惰性气体氛围下与脂肪酸、ODE混合，在110-120℃反 应形成脂肪酸包覆的铟或者锌前体。锌盐前体与脂肪酸的摩尔比范围为1:0-1:5。脂肪酸优 选十四酸、油酸或者硬脂酸。

通过本发明制备方法制得的纳米晶体可以是多种结构。在一个优选实施方式中，纳米晶 体为单一的纳米晶核，外层除了功能基团没有壳的存在。在一个优选实施方式中，纳米晶体 包括核和至少一层壳。在一个具体实施方式中，纳米晶体包括核和一层壳，呈核壳结构。在 另一个具体实施方式中，纳米晶体包括核和两层壳，呈核壳结构。

在一个具体实施例中，纳米晶体的核为硫化锰，壳为硫化锌。在制备本实施例的纳米晶 体时，锰前体和锌前体同时加入到第二选定溶剂中。当然，锌前体也可以在形成硫化锰纳米 晶核之后，再加入到第二选定溶剂中。

在一个具体实施例中，纳米晶体的核为磷化铟，壳为硫化锌。

通过本发明的制备方法，可以制备半导体纳米晶体，包括如下物质中的至少一种：II族 -VIA族化合物(特指由II族元素与VIA族元素组成的化合物)、IV族-VIA族化合物(特指由 IV族元素与VIA族元素组成的化合物)、III族-VA族化合物(特指由III族元素与VA族元素组 成的化合物)、I族-VIA族化合物(特指由I族元素与VIA族元素组成的化合物)。其中I族元 素包括IA族元素和IB族元素，II族元素包括IIA族元素和IIB族元素，III族元素包括IIIA族 元素和IIIB族元素，IV族元素包括IVA族元素和IVB族元素。

II族-VIA族化合物包括：硒化锌、碲化锌、硫化锌、硒化镉、硫化镉、碲化镉、氧化锌、 硫化汞、碲化汞、氧化镁、硫化镁、碲化镁、硫硒化镉、硫碲化镉、硫硒化锌、硫碲化锌、 硒碲化锌、硫硒化汞、硫碲化汞、硒碲化汞、硒化锌镉、硫化锌镉、碲化锌镉、汞硫化镉、 硒碲化锌镉、硫碲化锌镉、硫硒化锌镉、硫碲化汞镉、硫硒化汞镉、硒碲化汞镉、硫碲化汞 锌、硫硒化汞锌、硒碲化汞锌、硫化镁锌、碲化镁锌、硒化镁锌、氧化镁锌、氧硫化镁锌、 硫硒化镁锌、碲硒化镁锌、硫碲化镁锌。在一个优选实施方式中，纳米晶体包括上述II族-VIA 族化合物中的至少一种。

IV族-VIA族化合物包括：硫化铅、硒化铅、碲化铅,硫化锡、硒化锡、碲化锡、硫碲化 锡、硫硒化锡、硒碲化锡、硫碲化铅、硫硒化铅、硒碲化铅、硫化锡铅、碲化锡铅、硒化 锡铅、硫硒化锡铅、硫碲化锡铅；在一个优选实施方式中，纳米晶体包括上述IV族-VIA族 化合物中的至少一种。

III族-VA族化合物包括：磷化铟、砷化铟、氮化镓、磷化镓、砷化镓、锑化镓、氮化铝、 磷化铝、砷化铝、锑化铝、氮化铟、锑化铟、氮磷化镓、氮砷化镓、氮锑化镓、磷锑化镓、 磷砷化镓、氮磷化铝、氮砷化铝、氮磷化铝镓、氮锑化铝镓、磷锑化铝镓、磷砷化铝镓、氮 磷化铟镓、氮砷化铟镓、氮锑化铟镓、磷锑化铟镓、磷砷化铟镓、氮化铟铝、磷化铟铝、砷 化铟铝、锑化铟铝；所述I族-VI族化合物包括:硫化铜、碲化铜、硒化铜、硫化银、硒化银、 碲化银。在一个优选实施方式中，纳米晶体包括上述III族-VIA族化合物中的至少一种。

在一个优选实施方式中，纳米晶体为硫化铜铟(CuInS₂)或者硒化铜铟(CuInSe)。其制 备方法中，第一前体为硫化氢或者硒化氢，第二前体为铜盐前体和铟盐前体。

通过本发明的制备方法，可以制备化学掺杂一种或多种过渡金属阳离子的半导体纳米晶 体，具体方法为，在第二前体溶液中加入所掺杂的过渡金属阳离子的前体，再加入第一前体 溶液，使第一前体与第二前体以及所掺杂的过渡金属阳离子前体发生反应，生成纳米晶体。

掺杂一种或者多种的过渡金属阳离子的半导体纳米晶体包括如下物质中的至少一种： Mn²⁺掺杂硒化锌、Mn²⁺掺杂硫化锌、Mn²⁺掺杂碲化锌、Mn²⁺掺杂硒化镉、Mn²⁺掺杂硫化镉、 Mn²⁺掺杂碲化镉、Mn²⁺掺杂硒化锌、Mn²⁺掺杂硫化锌、Mn²⁺掺杂碲化锌、Mn²⁺掺杂硒化镉、 Mn²⁺掺杂硫化镉、Mn²⁺掺杂碲化镉、Co²⁺掺杂硒化锌、Co²⁺掺杂硫化锌、Co²⁺掺杂碲化锌、 Co²⁺掺杂硒化镉、Co²⁺掺杂硫化镉、Co²⁺掺杂碲化镉、Ni²⁺掺杂硒化锌、Ni²⁺掺杂硫化锌、Ni²⁺掺杂碲化锌、Ni²⁺掺杂硒化镉、Ni²⁺掺杂硫化镉、Ni²⁺掺杂碲化镉、Ag⁺掺杂硒化锌、Ag⁺掺杂 硫化锌、Ag⁺掺杂碲化锌、Ag⁺掺杂硒化镉、Ag⁺掺杂硫化镉、Ag⁺掺杂碲化镉、Cu⁺掺杂磷化铟、 Cu⁺掺杂砷化铟、Ag⁺掺杂磷化铟、Ag⁺掺杂砷化铟、Mn²⁺掺杂磷化铟、Mn²⁺掺杂砷化铟。

通过本发明的制备方法，可以制备稀土掺杂的上转换纳米晶体，此种纳米晶体通过纳米 粒子的上转换过程产生荧光。在一个优选实施方式中，纳米晶体包括稀土元素掺杂的NaYF₄纳米晶体，稀土元素包括如下元素中的至少一种：镱、铒、铥、钬、铈、钕、钆、钐、铕。 在一个优选实施方式中，纳米晶体为核壳结构的稀土掺杂的上转换纳米晶体。

本发明的制备方法适合制备所有需要以气态前体参与反应的纳米晶体。

通过本发明制备方法制备的纳米晶体，还可以制备显示装置。显示装置包括显示面板及 背光模组，背光模组中包括量子点膜片。量子点膜片中包括本发明制备的发光纳米晶体。

本发明还公开了一种气体溶液的制备和保存装置，包括储存装置和与储存装置相连接的 尾气吸收装置。储存装置包括提供低温的低温循环泵、搅拌器、导热液体以及装有溶解气体 的溶剂的保存瓶。优选地，尾气吸收装置由装有指示物的U型管和装有碱性物质的吸收瓶 构成。指示物可指示气体是否存在，以知道气体是否过量。

将气体通入设置好温度的储存装置中，直至饱和，多余的尾气通过尾气吸收装置吸收， 避免污染。

在一个优选实施方式中，气体溶液制备和保存装置还包括与储存装置相连接的气体处理 装置。通过气体处理装置除水或者除氧或者同时除水除氧。气体处理装置包括内装干燥剂的 干燥管。

在一个优选实施方式中，气体溶液制备和保存装置还包括与气体处理装置相连的气体制 备装置。

实施例1

以磷化氢为第一前体，1-十八烯(1-octadencene，简称ODE)为第一选定溶剂，制备第 一前体溶液。具体方法如下：

向100ml两口烧瓶中加入16g磷化钙(Ca₃P₂)，利用自动注射泵向其中缓慢注入40ml 浓度为6M的盐酸，生成的磷化氢气体通入干燥管后，再通入装有10mlODE、温度控制在 18℃、经过除水除氧的储存装置中。储存装置包括提供低温的低温循环泵、搅拌器、导热液 体以及装有溶解气体的溶剂的保存瓶，ODE装在保存瓶中，储存装置连接有设有磷化氢指示 物硫酸铜的尾气处理装置，尾气处理装置中装有氢氧化钠溶液。当尾气处理装置中指示物显 示时，说明磷化氢的ODE溶液已经饱和，停止向两口烧瓶中加入盐酸。得到磷化氢的ODE 溶液，记为第一前体溶液A1。将A1保存在储存装置的保存瓶中备用。

实施例2

以磷化氢为第一前体，1-十六烯为第一选定溶剂，制备第一前体溶液。具体方法同实施 例1，所不同的在于：储存装置的保存瓶中装有10ml1-十六烯，将温度控制在5℃。得到 磷化氢的十六烯溶液，记为第一前体溶液A2。将A2保存在储存装置的保存瓶中备用。

实施例3

以磷化氢为第一前体，油胺为第一选定溶剂，制备第一前体溶液。具体方法同实施例1， 所不同的在于：储存装置的保存瓶中装有10ml油胺，将温度控制在18℃。得到磷化氢的 油胺溶液，记为第一前体溶液A3。将A3保存在储存装置的保存瓶中备用。

实施例4

以磷化氢为第一前体，辛胺为第一选定溶剂，制备第一前体溶液。具体方法同实施例1， 所不同的在于：储存装置的保存瓶中装有10ml辛胺，将温度控制在0℃。得到磷化氢的辛 胺溶液，记为第一前体溶液A4。将A4保存在储存装置的保存瓶中备用。

实施例5

以硫化氢为第一前体，ODE为第一选定溶剂，制备第一前体溶液。具体方法同实施例1， 所不同的在于：通过在氩气保护下Na₂S和HCl溶液反应生成硫化氢(H₂S)气体。得到硫化 氢的ODE溶液，记为第一前体溶液A5。将A5保存在储存装置的保存瓶中备用。通过硝酸 银(AgNO₃)的酒精溶液对A5进行滴定，测得浓度为0.2M。

实施例6

以硫化氢为第一前体，1-十六烯为第一选定溶剂，制备第一前体溶液。具体方法同实施 例5，所不同的在于：储存装置的保存瓶中装有10ml1-十六烯，将温度控制在5℃。得到 硫化氢的1-十六烯溶液，记为第一前体溶液A6。将A6保存在储存装置的保存瓶中备用。

实施例7

一种Mn²⁺掺杂的核壳结构ZnS纳米晶体(简称ZnS-Mn²⁺)的制备方法，包括如下步骤： 在三颈圆底烧瓶中，加入6ml溶剂ODE和0.67g十八胺(octyldecylamine)，将100mg醋 酸锌和125mg醋酸锰加入烧瓶，抽真空并通入氩气，循环多次，形成除水除氧的惰性气体 氛围；将烧瓶加热到220℃，在搅拌过程中，通过针筒向第二前体溶液的液面下注射10ml 实施例5中制备的A5溶液，将反应温度逐渐升高到240℃时，注入5ml浓度为0.2M的硬 脂酸锌的ODE/油酸溶液，再向液面下注入6mlA5溶液，之后通过自动注射泵再注入10ml0.1 M硫化锌前体，注入速度为2ml/小时，反应24h，得到纳米晶体分散液。

实施例8

一种核为磷化铟、壳为硫化锌的核壳结构的纳米晶体(简称InP/ZnS)的制备方法，包 括如下步骤：在三颈圆底烧瓶中，加入8ml溶剂ODE和77mg棕榈油酸，再将36.8mg醋 酸锌和58.2mg醋酸铟加入烧瓶，在氩气保护下逐渐加热升温到210℃，保持30min后，在 搅拌过程中，通过自动注射泵分6次向第二前体溶液的液面下注入6ml由实施例1制备的 A1溶液，每次注入不超过2ml，注入速度为2ml/小时；之后通过自动注射泵再注入4ml0.1 M硫化锌前体，注入速度为2ml/小时，并进一步反应12h，得到纳米晶体。

实施例9

一种核为磷化铟、壳为硫化锌的核壳结构的纳米晶体的制备方法，包括如下步骤：在三 颈圆底烧瓶中，加入4ml溶剂ODE和2.93mg油酸，再将36.8mg醋酸锌和29.4mg醋酸铟 加入烧瓶，在氩气保护下逐渐加热升温到210℃，通过自动注射泵向第二前体溶液的液面下 注入1mlPH₃/ODE溶液，注入速度为2ml/小时；之后通过机械泵再注入4ml0.1M硫化锌 前体，注入速度为2ml/小时，并进一步反应16h，得到纳米晶体。

实施例10

一种核为磷化铟、壳为硫化锌的核壳结构的纳米晶体的制备方法，包括如下步骤：向三 颈圆底烧瓶中加入1mM醋酸铟、1mM十四酸和10mlODE，加热至120℃，真空泵抽真空， 再通入氩气，循环多次，保持1h，得到浓度为0.1M的铟前体；向新的三颈圆底烧瓶中加 入5mM醋酸锌、5mM油酸和10mlODE，加热至120℃，真空泵抽真空，再通入氩气，循 环多次，保持1h，得到浓度为0.5M的锌前体；在新的三颈圆底烧瓶中，加入1ml铟前体、 1ml锌前体、0.5ml油胺和3mlODE，加热至120℃，真空泵抽真空，再通入氩气，循环多 次，反应20min，再升温至250℃，搅拌中迅速向液面下注入0.2ml实施例1制备的A1溶 液，搅拌10min，再升温至300℃，滴加1ml十二烷基硫醇，保温30min，降至室温，得 到纳米晶体分散液。将分散液离心并用有机溶剂洗涤，最后将纳米晶体再分散在有机溶剂中。

实施例11

一种核为磷化铟、壳为硫化锌的核壳结构的纳米晶体的制备方法，与实施例10的制备 步骤相同，所不同的在于：在注入0.2ml实施例1制备的A1溶液后，立马迅速加入1ml 十二烷基硫醇，再升温至300℃，保温30min，降至室温。

实施例12

一种核为磷化铟、壳为硫化锌的核壳结构的纳米晶体的制备方法，与实施例10的制备 步骤相同，所不同的在于：在新的三颈圆底烧瓶中，加入1ml铟前体、1ml锌前体、0.5ml 油胺和3mlODE，加热至120℃，真空泵抽真空，再通入氩气，循环多次，反应20min，再 升温至240℃，搅拌中迅速向液面下注入0.2ml实施例3制备的A3溶液，搅拌10min，滴 加1ml十二烷基硫醇，保温30min，降至室温。

实施例13

一种核为磷化铟、壳为硫化锌的核壳结构的纳米晶体的制备方法，与实施例10不同的 是：在新的三颈圆底烧瓶中，加入1ml铟前体、1ml锌前体、0.5ml油胺和3mlODE，加热 至120℃，真空泵抽真空，再通入氩气，循环多次，反应20min，再升温至240℃，搅拌中 迅速向液面下注入0.2mlA3溶液，搅拌10min，滴加1ml十二烷基硫醇，升温至260℃， 滴加0.5ml锌前体，保温10min，滴加0.5ml十二烷基硫醇，保温10min，再升温至280℃， 滴加0.5ml锌前体，保温10min，再升温至300℃，保温30min，降至室温，得到纳米晶体 分散液。将分散液加入有机溶剂离心并用有机溶剂洗涤，最后将纳米晶体再分散在有机溶剂 中。

实施例14

一种核为磷化铟、壳为硫化锌的核壳结构的纳米晶体的制备方法，包括如下步骤：在 50ml三颈瓶中加入30mg醋酸铟、20mg醋酸锌、120mg油酸以及8mlODE，抽真空并加 热到110℃-130℃1h。向三颈瓶中通入氩气。在230℃，向液面下先注入0.2mlA3溶液，再 注入0.2ml三丁基磷。将温度保持在230℃10min，然后降至200℃。向三颈瓶中再注入1.5 mlA1溶液，注入速度2ml/h。加热到230℃，再每隔30min加入8ml硫化锌前体溶液，共 加入3次，之后将前体溶液在190℃保持12h。将反应液离心并用丙酮洗涤纯化两次，最后 将纳米晶体再分散在有机溶剂中。

实施例15

一种硫化铜铟(CuInS₂)纳米颗粒的制备方法，包括如下步骤：在50ml三颈瓶中加入 29mg醋酸铟、19mg碘化亚铜、340mg十八胺以及8mlODE，抽真空并加热到110℃1h。 向三颈瓶中通入氩气。在110℃，向液面下先注入0.3mlA5溶液，将反应容器置入暗处， 加热温度到180℃，再每隔20min加入1mlA5溶液，共三次，将反应液保持在180℃4h， 得到硫化铜铟纳米颗粒的分散液。将分散液离心并用有机溶剂洗涤，将沉淀再分散在有机溶 剂中。

测试结果：

图2为实施例7合成的Mn²⁺掺杂的核壳结构ZnS纳米晶体的紫外-可见吸收(ABS)和 光致发光(PL，激发在330nm处)光谱图。由图可以看出，实施例7的纳米晶体的发射峰 在580nm处，半峰宽约为30nm。本实施例制备的纳米晶体的量子产率达32％，且没有出 现红移。以上说明通过本发明的制备方法制备的ZnS-Mn²⁺纳米晶体颗粒体积分布比较均匀。

图3为实施例8合成的核为磷化铟、壳为硫化锌的核壳结构纳米晶体的紫外-可见吸收 (ABS)和光致发光(PL，激发在450nm处)光谱图。由图可以看出，实施例7的纳米晶体 的发射峰在615nm处，半峰宽约为60nm。本实施例制备的纳米晶体的量子产率达33％。 以上说明通过本发明的制备方法制备的InP/ZnS纳米晶体颗粒体积分布比较均匀。

图4为实施例9合成的纳米晶体的紫外-可见吸收(ABS)和光致发光(PL，激发在450nm 处)光谱图。实施3合成的纳米晶体是发绿光。由图可以看出，实施例9的纳米晶体的发射 峰在523nm处，半峰宽约为50nm。本实施例制备的纳米晶体的量子产率达10％。

实施例7-9中所加入的乙基黄原酸锌是一种硫化锌前体，通过高温下反应生成硫化锌包 覆在纳米晶体核的表面，此处加入其它硫化锌前体也是可行的。

由实施例8和9表明，通过对气态的第一前体的加入量的控制，可以调控第一前体与第 二前体的配比，可以制备不同发射峰的纳米晶体。通过本发明的方法，可以制备发射峰在 480nm和750nm之间的核为磷化铟、壳为硫化锌的核壳结构纳米晶体。

实施例11与实施例10相比，由于磷化铟的生长时间较短，因而磷化铟的生长尺寸较小， 所制得的纳米晶体发射波长较短。实施例12相比于实施例10-11，使用了磷化氢的油胺溶 液。由于油胺本身对纳米晶体的生成反应有促进作用，因而可以在较低240℃的温度下发生 纳米晶体的生成反应。由实施例13制备的纳米晶体，壳层的硫化锌更加细致，缺陷较少。

实施例14得到的InP/ZnS纳米晶体，发射峰570nm，发光量子产率达53％，半峰宽约 为59nm。

图5为实施例15合成的硫化铜铟纳米晶体的紫外-可见吸收(ABS)。由图可知，实施例 15合成的硫化铜铟纳米晶体的吸收峰在700nm左右。

综上，通过上述实施例的数据表明，通过本发明制备方法，可以控制气体前体的加入量 以及加入速度，从而更好的调控纳米晶体的生长，制备出发射波长可控的纳米晶体。此外， 本发明制备的纳米晶体的体积分布较为均匀，半峰宽较窄，不会发生或者较少发生红移现象。

尽管发明人已经对本发明的技术方案做了较详细的阐述和列举，应当理解，对于本领域 技术人员来说，对上述实施例作出修改和/或变通或者采用等同的替代方案是显然的，都不 能脱离本发明精神的实质，本发明中出现的术语用于对本发明技术方案的阐述和理解，并不 能构成对本发明的限制。