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CMOS图像传感器像素、制造方法及图像捕获设备

摘要

一种CMOS图像传感器像素、制造方法及图像捕获设备。所述CMOS图像传感器制造方法包括:提供衬底材料,该衬底材料特征在于第一尺度和第二尺度;在衬底材料上限定有源区,该有源区特征在于第三尺度和第四尺度;在衬底材料上限定非有源区,该非有源区不同于有源区,该非有源区特征在于第五尺度和第六尺度,该非有源区主要包括纯硅材料;在有源区内限定耗尽区;在耗尽区上方形成n型区,该n型区在有源区内;在有源区内形成栅极区;形成掺杂区,该掺杂区在非有源区内,该掺杂区特征在于包括在预定浓度范围的至少一种物质;以及对掺杂区退火形成复数个空隙。从而可以减少光晕效应。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-12-12

    授权

    授权

  • 2012-12-05

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/822 变更前: 变更后: 登记生效日:20121101 申请日:20090828

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-05-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/822 申请日:20090828

    实质审查的生效

  • 2011-04-06

    公开

    公开

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