保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置

摘要

本发明提供保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置。包括：晶片保持工序，将晶片正面朝上地保持于旋转工作台；液态树脂滴下工序，将液态树脂滴下至晶片的正面中央区域；水层形成工序，对在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给水而在整个正面上形成水层；液态树脂扩散工序，使旋转工作台旋转，随着晶片旋转，作用于水层的离心力使得水层飞散，液态树脂扩散而在整个正面形成薄的保护膜层；液态树脂供给工序，旋转工作台以比液态树脂扩散工序慢的速度旋转，并向整个正面供给比液态树脂滴下工序多的量的液态树脂；以及保护膜形成工序，旋转工作台以比液态树脂供给工序快的速度旋转，随着晶片旋转，作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张而在整个正面形成保护膜。

说明书

技术领域

本发明涉及在半导体晶片等被加工物的加工面上覆盖保护膜的保护膜覆盖方法 和保护膜覆盖装置。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上利用呈格子状 排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域内形成IC (integratedcircuit：集成电路)、LSI(large-scaleintegration：大规模集成电路)等器 件。然后，通过将半导体晶片沿间隔道切断，来对形成有器件的区域进行分割，从而 制造出一个个器件。

作为将这样的半导体晶片或光器件晶片等晶片沿分割预定线分割的方法，提出有 以下方法：通过沿着形成于晶片的分割预定线照射脉冲激光光线来形成激光加工槽， 并沿着该激光加工槽利用机械破断装置进行切断。(例如，参照专利文献1)

可是,当沿晶片的分割预定线照射激光光线时，会产生如下所述的新的问题：热 能集中于被照射的区域从而产生碎屑，该碎屑附着在器件的表面上从而使器件的质量 降低。

为了消除由上述碎屑引起的问题，提出了如下所述的加工方法：在晶片的表面上 覆盖聚乙烯醇(PVA)等的保护膜，穿过保护膜对晶片照射激光光线，由此使飞散的 碎屑不会附着在器件上(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开平6-120334号公报

专利文献2：日本特开2004-188475号公报

作为在晶片的表面覆盖聚乙烯醇(PVA)等的保护膜的方法，采用了如下所述的 技术:将晶片抽吸保持在旋转工作台上，一边使旋转工作台旋转一边将聚乙烯醇等液 态树脂供给至晶片的中心部进行旋转涂覆。

可是，在通过旋转涂覆在晶片的表面形成保护膜的方法中，存在这样的问题：难 以在晶片的整个表面上均匀地形成保护膜，并且，被供给的液态树脂的大部分由于离 心力而飞散,因此,要使用相当大的量的液态树脂,不够经济。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种保护膜覆盖方 法和保护膜覆盖装置，其中，在通过旋转涂覆在晶片的表面形成保护膜的方法中，即 使减少形成保护膜的液态树脂的供给量,也能够在晶片的表面形成均匀的保护膜。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种保护膜覆盖方法，其是在 待进行激光加工的晶片的正面上覆盖液态树脂而形成保护膜的方法，其特征在于，该 保护膜覆盖方法包括：晶片保持工序，将晶片以该晶片的正面成为上侧的方式保持在 旋转工作台上；液态树脂滴下工序，将液态树脂滴下至被保持在旋转工作台上的晶片 的正面中央区域处；水层形成工序，对于在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给 水，在晶片的整个正面上形成水层；液态树脂扩散工序，使旋转工作台旋转，随着晶 片的旋转，作用于水层的离心力使得水层飞散，由此使液态树脂扩散而在晶片的整个 正面上形成薄的保护膜层；液态树脂供给工序，使旋转工作台以比该液态树脂扩散工 序慢的速度旋转，并向晶片的整个正面供给比该液态树脂滴下工序多的量的液态树 脂；以及保护膜形成工序，使旋转工作台以比该液态树脂供给工序快的速度旋转，随 着晶片旋转，作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张，从而在晶片的整个正面上形 成保护膜。

另外，在本发明中，提供一种保护膜覆盖装置，其是在晶片的正面上覆盖液态树 脂而形成保护膜的装置，其特征在于，所述保护膜覆盖装置具备：旋转工作台，其在 将晶片粘贴在保护带上的状态下保持该晶片，所述保护带安装在环状框架上；旋转驱 动构件，其驱动该旋转工作台旋转；供水机构，其向粘贴在保护带上的晶片供给水， 所述保护带安装在该旋转工作台所保持的环状框架上；液态树脂供给机构，其向粘贴 在保护带上的晶片供给液态树脂，所述保护带安装在该旋转工作台所保持的环状框架 上；以及控制单元，其控制该旋转驱动构件、该供水机构和该液态树脂供给机构，该 控制单元执行以下工序：液态树脂滴下工序，使该液态树脂供给机构工作而将液态树 脂滴下至被保持在该旋转工作台上的晶片的正面中央区域处；水层形成工序，在实施 了该液态树脂滴下工序之后，使该供水机构工作，对于在正面中央区域滴下有液态树 脂的晶片供给水，在晶片的整个正面上形成水层；液态树脂扩散工序，在实施了该水 层形成工序之后，使该旋转驱动构件工作而使旋转工作台旋转，随着晶片的旋转，作 用于水层的离心力使得水层飞散，由此使液态树脂扩散而在晶片的整个正面上形成薄 的保护膜层；液态树脂供给工序，在实施了该液态树脂扩散工序之后，使该旋转驱动 构件工作而使旋转工作台以比该液态树脂扩散工序慢的速度旋转，并且使该液态树脂 供给机构工作而向晶片的整个正面供给比该液态树脂滴下工序多的量的液态树脂；以 及保护膜形成工序，在实施了该液态树脂供给工序之后，使该旋转驱动构件工作而使 旋转工作台以比该液态树脂供给工序快的速度旋转，随着晶片的旋转，作用于液态树 脂的离心力使液态树脂扩张，从而在晶片的整个正面上形成保护膜。

本发明的保护膜覆盖方法包括：液态树脂滴下工序，将液态树脂滴下至被保持在 旋转工作台上的晶片的正面中央区域处；水层形成工序，对于在正面中央区域滴下有 液态树脂的晶片供给水，在晶片的整个正面上形成水层；液态树脂扩散工序，使旋转 工作台旋转，随着晶片的旋转，作用于水层的离心力使得水层飞散，由此使液态树脂 扩散而在晶片的整个正面上形成薄的保护膜层；液态树脂供给工序，使旋转工作台以 比该液态树脂扩散工序慢的速度旋转，并向晶片的整个正面供给比该液态树脂滴下工 序多的量的液态树脂；以及保护膜形成工序，使旋转工作台以比该液态树脂供给工序 快的速度旋转，随着晶片旋转，作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张，从而在晶 片的整个正面上形成保护膜，因此，利用水层使液态树脂在晶片的整个表面上扩散而 形成薄的保护膜层，然后，当向晶片的整个表面供给液态树脂时，能够与薄的保护膜 层融合而在晶片的整个表面上均匀地覆盖保护膜。另外，由于液态树脂与薄的保护膜 层良好地融合，因此液态树脂的流动性变得良好，因此，能够以较少的液态树脂量在 树脂膜的整个表面上形成均匀厚度的保护膜。

附图说明

图1是装备有根据本发明构成的保护膜覆盖兼清洗装置的激光加工机的立体图。

图2是被加工物即作为晶片的半导体晶片的立体图。

图3是将安装在图1所示的激光加工机中的保护膜覆盖兼清洗装置的一部分剖切 后示出的立体图。

图4是示出将图3所示的保护膜覆盖兼清洗装置的旋转工作台定位于被加工物搬 入搬出位置的状态的说明图。

图5是示出将图3所示的保护膜覆盖兼清洗装置的旋转工作台定位于作业位置的 状态的说明图。

图6是示出构成图3所示的保护膜覆盖兼清洗装置的控制单元的结构框图。

图7是本发明的保护膜覆盖方法中的液态树脂滴下工序的说明图。

图8是本发明的保护膜覆盖方法中的水层形成工序的说明图。

图9是本发明的保护膜覆盖方法中的液态树脂扩散工序的说明图。

图10是本发明的保护膜覆盖方法中的液态树脂供给工序的说明图。

图11是本发明的保护膜覆盖方法中的保护膜形成工序的说明图。

图12是本发明的保护膜覆盖方法中的干燥工序的说明图。

图13是示出使用图1所示的激光加工机实施的激光加工工序的说明图。

图14是通过图13所示的激光加工工序形成有激光加工槽的半导体晶片的重要部 分的放大剖视图。

标号说明

2：装置壳体；

3：卡盘工作台；

4：激光光线照射构件；

41：激光光线振荡构件；

42：聚光器；

5：摄像构件；

6：显示构件；

7：保护膜覆盖兼清洗构件；

71：旋转工作台机构；

711：旋转工作台；

712：电动马达；

72：清洗液接收构件；

74：液态树脂供给机构；

740：液态树脂供给构件；

741：树脂供给喷嘴；

75：供水机构；

750：供水构件；

751：供水喷嘴；

76：空气供给机构；

760：空气供给构件；

761：空气供给喷嘴；

10：半导体晶片；

11：盒；

12：位置对准构件；

13：晶片搬出搬入构件；

14：第1晶片搬送构件；

15：第2晶片搬送构件；

F：环状框架；

T：保护带。

具体实施方式

以下，对于本发明的保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置的优选实施方式，参照附 图详细地进行说明。

在图1中，示出了装备有根据本发明而构成保护膜覆盖装置的激光加工机的立体 图。

图1所示的激光加工机1具备大致长方体状的装置壳体2。在该装置壳体2内， 以能够在箭头X所示的加工进给方向和与该加工进给方向X垂直的分度进给方向Y 上移动的方式配设有保持作为被加工物的晶片的卡盘工作台3。卡盘工作台3具备吸 附卡盘支承座31和安装在该吸附卡盘支承座31上的吸附卡盘32，通过未图示的抽 吸构件，将作为被加工物的晶片保持在该吸附卡盘32的表面即载置面上。此外，卡 盘工作台3构成为通过未图示的旋转机构而能够转动。在这样构成的卡盘工作台3 的吸附卡盘支承座31上，配设有用于固定后述环状框架的夹紧器34。并且，激光加 工机1具备:使上述卡盘工作台3沿加工进给方向X进行加工进给的未图示的加工进 给构件；和使上述卡盘工作台3沿分度进给方向Y进行分度进给的未图示的分度进 给构件。

图示的激光加工机1具有激光光线照射构件4，该激光光线照射构件4对保持在 上述卡盘工作台3的作为被加工物的晶片实施激光加工。激光光线照射构件4具备： 激光光线振荡构件41；和聚光器42，其使由该激光光线振荡构件41振荡出的激光光 线聚光。另外，激光加工机1具备使激光光线振荡构件41沿箭头Z所示的聚光点位 置调整方向移动的未图示的移动构件，所述聚光点位置调整方向是与卡盘工作台3 的上表面即载置面垂直的方向。

图示的激光加工机1具备摄像构件5，该摄像构件5对保持在上述卡盘工作台3 的吸附卡盘32上的被加工物的表面进行摄像，检测出要利用从上述激光光线照射构 件4的聚光器42照射出的激光光线进行加工的区域。该摄像构件5除了利用可见光 进行摄像的通常的摄像元件(CCD：电荷耦合器件)之外，还由下述部分构成：向被 加工物照射红外线的红外线照明构件；捕捉由该红外线照明构件照射出的红外线的光 学系统；以及输出与由该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号的摄像元件(红外线 CCD)等，上述摄像构件5将拍摄到的图像的信号输送至后述的控制单元。此外，图 示的激光加工机1具备显示构件6，该显示构件6对由摄像构件5拍摄到的图像进行 显示。

图示的激光加工机1具有盒载置部11a，该盒载置部11a用于载置对被加工物即 作为晶片的半导体晶片10进行收纳的盒。在盒载置部11a处，以能够通过未图示的 升降构件上下移动的方式配设有盒工作台111，盒11被载置于该盒工作台111上。半 导体晶片10被粘贴在安装于环状框架F的保护带T的表面上，并且以经由保护带T 支承于环状框架F的状态收纳在上述盒11内。另外，如图2所示，在半导体晶片10 的正面10a上通过呈格子状地排列的多条分割预定线101划分出多个区域，在该划分 出的区域内形成有IC、LSI等器件102。关于这样构成的半导体晶片10，如图1所示， 以正面10a即形成有分割预定线101和器件102的面为上侧将背面粘贴到安装于环状 框架F的保护带T上。

图示的激光加工机1具有：晶片搬出搬入构件13，其将收纳在上述盒11内的加 工前的半导体晶片10搬出至配设于临时放置部12a的位置对准构件12上，并且将加 工后的半导体晶片10搬入到盒11中；第1晶片搬送构件14，其将搬出到位置对准 构件12上的加工前的半导体晶片10搬送到后述的保护膜覆盖兼清洗装置7，并且将 利用保护膜覆盖兼清洗装置7在表面覆盖了保护膜的半导体晶片10搬送到上述卡盘 工作台3上；以及第2晶片搬送构件15，其将在卡盘工作台3上加工过的半导体晶 片10搬送至保护膜覆盖兼清洗装置7。

接着，参照图3至图5对保护膜覆盖兼清洗装置7进行说明，该保护膜覆盖兼清 洗装置7用于在加工前的被加工物即半导体晶片10的表面(被加工面)覆盖保护膜， 并且将覆盖于加工后的半导体晶片10的表面上的保护膜除去。

图示的实施方式中的保护膜覆盖兼清洗装置7具有旋转工作台机构71和被配设 成包围该旋转工作台机构71的清洗液接收构件72。旋转工作台机构71具备：旋转 工作台711；作为旋转驱动构件的电动马达712，其驱动该旋转工作台711旋转；以 及支承构件713，其将该电动马达712支承成能够在上下方向上移动。旋转工作台711 具备由多孔性材料形成的吸附卡盘711a，该吸附卡盘711a与未图示的抽吸构件连通。 因此，旋转工作台711将作为被加工物的晶片载置在吸附卡盘711a上，并利用未图 示的抽吸构件使负压起作用，由此将晶片保持在吸附卡盘711a上。电动马达712的 驱动轴712a的上端与上述旋转工作台711连接。上述支承构件713由多个(在图示 的实施方式中为三个)支承腿713a和多个(在图示的实施方式中为三个)气缸713b 构成，所述多个气缸713b分别与该支承腿713a连结，且安装于电动马达712。关于 这样构成的支承构件713，通过使气缸713b工作，能够将电动马达712以及旋转工 作台711定位在被加工物搬入搬出位置和作业位置，上述被加工物搬入搬出位置为图 4所示的上方位置，上述作业位置为图5所示的下方位置。

上述清洗液接收构件72具备：清洗液接收容器721；支承该清洗液接收容器721 的三个(在图3中示出两个)支承腿722；以及安装在上述电动马达712的驱动轴712a 上的罩部件723。如图4和图5所示，清洗液接收容器721由圆筒状的外侧壁721a、 底壁721b和内侧壁721c构成。在底壁721b的中央部，设置有供上述电动马达712 的驱动轴712a贯穿插入的孔721d，并且形成有从该孔721d的周缘向上方突出的内 侧壁721c。此外，如图3所示，在底壁721b上设有排液口721e，并且在该排液口 721e上连接有排泄管724。上述罩部件723形成为圆盘状，并具有从其外周缘向下方 突出的罩部723a。如此构成的罩部件723被定位成：当电动马达712和旋转工作台 711被定位在图5所示的作业位置时，罩部723a在构成上述清洗液接收容器721的 内侧壁721c的外侧带有间隙地与内侧壁721c重合。

图示的实施方式中的保护膜覆盖兼清洗装置7具备液态树脂供给机构74，该液 态树脂供给机构74向保持于上述旋转工作台711的加工前的被加工物即半导体晶片 10的表面(被加工面)供给液态树脂。液态树脂供给机构74具有：树脂供给喷嘴741， 其向保持于旋转工作台711的加工前的半导体晶片10的表面(被加工面)供给液态 树脂；以及电动马达742，其能够正转和反转，使该树脂供给喷嘴741摆动，并且树 脂供给喷嘴741与液态树脂供给构件740(参照图4和图5)连接。树脂供给喷嘴741 由水平地延伸的喷嘴部741a和从该喷嘴部741a向下方延伸的支承部741b构成，支 承部741b被配设成贯穿插入在构成上述清洗液接收容器721的底壁721b上设置的未 图示的贯穿插入孔中，并与液态树脂供给构件740(参照图4和图5)连接。另外， 在树脂供给喷嘴741的支承部741b所贯穿插入的未图示的贯穿插入孔的周缘上安装 有对贯穿孔和支承部741b之间进行密封的密封部件(未图示)。

图示的实施方式中的保护膜覆盖兼清洗装置7具备供水机构75，该供水机构75 用于向保持于上述旋转工作台711上的加工后的被加工物即半导体晶片10供给水。 供水机构75具有：供水喷嘴751，其向保持于旋转工作台711的晶片供给水；以及 电动马达752，其能够正转和反转，用于使该供水喷嘴751摆动，该供水喷嘴751与 供水构件750(参照图4和图5)连接。供水喷嘴751由水平地延伸且末端部向下方 弯曲的喷嘴部751a、和从该喷嘴部751a的基端向下方延伸的支承部751b构成，支 承部751b被配设成贯穿插入在构成上述清洗液接收容器721的底壁721b上设置的未 图示的贯穿插入孔中，并与供水构件750(参照图4和图5)连接。另外，在供水喷 嘴751的支承部751b所贯穿插入的未图示的贯穿插入孔的周缘处安装有对该贯穿孔 和支承部751b之间进行密封的密封部件(未图示)。

此外，图示的实施方式中的保护膜覆盖兼清洗装置7具备空气供给机构76，该 空气供给机构76用于向保持于上述旋转工作台711上的加工后的被加工物即半导体 晶片10供给空气。空气供给机构76具有：空气供给喷嘴761，其向保持于旋转工作 台711的清洗后的晶片喷射空气；以及电动马达762，其能够正转和反转，用于使该 空气供给喷嘴761摆动，该空气供给喷嘴761与空气供给构件760(参照图4和图5) 连接。空气供给喷嘴761由水平地延伸且末端部向下方弯曲的喷嘴部761a、和从该 喷嘴部761a的基端向下方延伸的支承部761b构成，支承部761b被配设成贯穿插入 在构成上述清洗液接收容器721的底壁721b上设置的未图示的贯穿插入孔中，并与 空气供给构件760(参照图4和图5)连接。另外，在空气供给喷嘴761的支承部761b 所贯穿插入的未图示的贯穿孔的周缘处安装有对该贯穿孔和支承部761b之间进行密 封的密封部件(未图示)。

图示的实施方式中的保护膜覆盖兼清洗装置7具有图6所示的控制单元8。该控 制单元8按照控制程序对上述旋转工作台机构71的电动马达712和气缸713b、液态 树脂供给机构74的液态树脂供给构件740和电动马达742、供水机构75的供水构件 750和电动马达752、空气供给机构76的空气供给构件760和电动马达762等进行控 制。另外，控制单元8也可以兼用作使激光加工机的各机构工作的控制单元。

装备了上述的保护膜覆盖兼清洗装置7的激光加工机1如以上那样构成，下面对 其动作进行说明。

如图1所示，经由保护带T支承在环状框架F上的加工前的半导体晶片10(以 下，简称为半导体晶片10)以作为被加工面的正面10a成为上侧的方式收纳在盒11 的规定的位置。通过利用未图示的升降构件使盒工作台111上下移动，来将收纳在盒 11的规定的位置处的加工前的半导体晶片10定位在搬出位置。接着，晶片搬出搬入 构件13进行进退动作，将定位在搬出位置的半导体晶片10搬出至配设于临时放置部 12a处的位置对准构件12上。利用位置对准构件12使搬出至位置对准构件12上的 半导体晶片10对准规定的位置。接着，借助第1晶片搬送构件14的回转动作将通过 位置对准构件12进行了位置对准的加工前的半导体晶片10搬送至构成保护膜覆盖兼 清洗装置7的旋转工作台711的吸附卡盘711a上，并抽吸保持于该吸附卡盘711a(晶 片保持工序)。此时，旋转工作台711被定位在图4所示的被加工物搬入搬出位置， 树脂供给喷嘴741、供水喷嘴751和空气供给喷嘴761如图3和图4所示那样被定位 在从旋转工作台711的上方离开的待机位置。

在实施了将加工前的半导体晶片10保持到保护膜覆盖兼清洗装置7的旋转工作 台711上的晶片保持工序后，实施在半导体晶片10的被加工面即正面10a上覆盖保 护膜的保护膜覆盖工序。在该保护膜覆盖工序中，首先实施液态树脂滴下工序，在该 液态树脂滴下工序中，向保持于旋转工作台711上的半导体晶片10的作为被加工面 的正面10a的中央区域滴下液态树脂。即，控制单元8使支承构件713的气缸713b 工作以将旋转工作台711定位于作业位置，并且使液态树脂供给机构74的电动马达 742工作以将树脂供给喷嘴741的喷嘴部741a如图7所示那样定位至保持于旋转工 作台711上的半导体晶片10的被加工面即正面10a的中央部上方。接着，控制单元 8使液态树脂供给构件740工作，实施液态树脂滴下工序，在该液态树脂滴下工序中， 向被保持于旋转工作台711上的半导体晶片10的被加工面即正面10a的中央区域滴 下规定量的液态树脂110。当作为被加工物的半导体晶片10的直径为200mm的情况 下，在该液态树脂滴下工序中滴下的液态树脂110的量为2～3cc即可。另外，在液 态树脂滴下工序中滴下的液态树脂110优选为例如PVA(PolyVinylAlcohol：聚乙烯 醇)、PEG(PolyEthyleneGlycol：聚乙二醇)、PEO(PolyEthyleneOxide：聚氧化乙 烯)等水溶性的抗蚀剂。

在实施了上述液态树脂滴下工序后，实施水层形成工序，在该水层形成工序中， 对于在表面中央区域滴下有液态树脂的半导体晶片10供水，在半导体晶片10的整个 表面上形成水层。即，控制单元8使液态树脂供给机构74的电动马达742工作而将 树脂供给喷嘴741的喷嘴部741a定位于待机位置。接着，控制单元8使供水机构75 的电动马达752工作而将供水喷嘴751的喷嘴部751a如图8所示地定位至保持于旋 转工作台711上的半导体晶片10的正面10a的中央部上方。接着，控制单元8使供 水构件750工作，从供水喷嘴751的喷嘴部751a供给水。另外，当作为被加工物的 半导体晶片10的直径为200mm的情况下，在水层形成工序中供给的水的量为200cc 左右即可。像这样供给的水在到达安装有粘贴了半导体晶片10的保护带T的环状框 架F的上表面后，水会充满由环状框架F的内周面和保护带T所形成的区域，由此 形成对被保持在旋转工作台711上的半导体晶片10的被加工面即正面10a进行覆盖 的、厚度为1～3mm左右的水层120。

在实施了上述的水层形成工序后，实施液态树脂扩散工序，在该液态树脂扩散工 序中，使旋转工作台711旋转，随着半导体晶片10旋转，作用于水层的离心力使得 水层飞散，由此使液态树脂扩散，在半导体晶片10的整个表面上形成较薄的保护膜 层。即，实施这样的液态树脂扩散工序：如图9的(a)所示，控制单元8使旋转工作台 机构71的电动马达712工作而使旋转工作台711旋转，随着半导体晶片10的旋转， 作用于水层120的离心力使得水层飞散并使液态树脂110扩张，由此，如图9的(b) 这样在半导体晶片10的正面10a的整个表面上形成较薄的保护膜层111。在该液态 树脂扩散工序中，能够利用水层120使液态树脂110在半导体晶片10的正面10a的 整个表面上扩散而形成较薄的保护膜层111。另外，在液态树脂扩散工序中，控制单 元8使旋转工作台机构71的电动马达712工作而使旋转工作台711沿箭头所示的方 向以例如2000rpm的转速旋转5秒钟。

在实施了上述的液态树脂扩散工序后，实施液态树脂供给工序，在该液态树脂供 给工序中，使旋转工作台711以比液态树脂扩散工序慢的速度旋转，并向半导体晶片 10的整个表面供给比上述液态树脂滴下工序多的量的液态树脂。即，控制单元8如 图10所示这样使旋转工作台机构71的电动马达712工作以使旋转工作台711以比液 态树脂扩散工序慢的速度即例如45rpm的转速旋转15秒钟，并且，使液态树脂供给 构件740工作以向被保持于旋转工作台711的半导体晶片10的被加工面即正面10a 的整个表面供给比上述液态树脂滴下工序多的量的液态树脂110。此时，控制单元8 使液态树脂供给机构74的电动马达742工作以使树脂供给喷嘴741的喷嘴部741a在 所需要的角度范围内摆动，并如图10所示地在保持于旋转工作台711上的半导体晶 片10的中央部至外周部之间移动。该液态树脂滴下工序中供给的液态树脂110的量 为15cc左右即可。

在实施了上述的液态树脂供给工序后，实施保护膜形成工序，在该保护膜形成工 序中，使旋转工作台711以比液态树脂供给工序快的速度旋转，并且，随着半导体晶 片10的旋转，作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张，从而在半导体晶片10的整 个正面10a上形成保护膜。即，控制单元8如图11所示地使旋转工作台机构71的电 动马达712工作以使旋转工作台711以比上述液态树脂供给工序快的速度即例如 2000rpm的转速旋转60秒钟。其结果是，随着保持于旋转工作台711上的半导体晶 片10旋转，作用于液态树脂110的离心力使液态树脂110扩张，从而在半导体晶片 10的整个正面10a上形成保护膜112。在该液态树脂供给工序中，通过实施上述液态 树脂扩散工序而在半导体晶片10的正面10a形成了较薄的保护膜层111(参照图10)， 因此，液态树脂的流动性变得良好，因此，能够以较少的液态树脂量在树脂膜的整个 表面上形成均匀厚度的保护膜112。

接着，实施下述这样的干燥工序：控制单元8如图12所示那样使旋转工作台机 构71的电动马达712工作以使旋转工作台711沿箭头所示的方向以500rpm的转速旋 转120秒钟，由此，进行旋转干燥。此时，优选的是，控制单元8使空气供给机构 76的电动马达762工作，将空气供给喷嘴761的喷嘴部761a如图12所示地定位在 保持于旋转工作台711上的半导体晶片10的被加工面即正面10a的中央部上方，一 边使空气供给构件760工作以向覆盖于半导体晶片10的被加工面即正面10a上的保 护膜112供给空气，一边使空气供给喷嘴761的喷嘴部761a在所需要的角度范围内 摆动。

在如上所述那样实施了在半导体晶片10的加工面即正面10a上覆盖保护膜112 的保护膜覆盖工序后，将旋转工作台711定位于图4所示的被加工物搬入搬出位置， 并且解除对保持于旋转工作台711上的半导体晶片10的抽吸保持。接着，旋转工作 台711上的半导体晶片10被第2晶片搬送构件15被搬送至卡盘工作台3的吸附卡盘 32上，并被该吸附卡盘32抽吸保持。通过未图示的加工进给构件，将这样抽吸保持 着半导体晶片10的卡盘工作台3定位至配设于激光光线照射构件4的摄像构件5的 正下方。

当卡盘工作台3被定位在摄像构件5的正下方时，利用摄像构件5和未图示的控 制单元实施图案匹配等图像处理，来执行激光光线照射位置的校准，所述图案匹配等 图像处理是用于进行沿规定的方向形成于半导体晶片10的分割预定线101、和沿分 割预定线101照射激光光线的激光光线照射构件4的聚光器42的位置对准的处理。 另外，对于形成在半导体晶片10上的沿着与上述规定的方向成直角地延伸的分割预 定线101，也同样地执行激光光线照射位置的校准。此时，虽然在半导体晶片10的 形成有分割预定线101的正面10a上形成有保护膜112，但是，在保护膜112不透明 的情况下，可以利用红外线进行摄像来从表面进行校准。

在如上述那样检测出在保持于卡盘工作台3的半导体晶片10上形成的分割预定 线101、并进行了激光光线照射位置的校准之后，如图所示将卡盘工作台3移动至照 射激光光线的激光光线照射构件4的聚光器42所位于的激光光线照射区域，将规定 的分割预定线101定位在聚光器42的正下方。此时，如图13的(a)所示，将半导 体晶片10定位成使分割预定线101的一端(在图13的(a)中为左端)位于聚光器 42的正下方。接着，从激光光线照射构件4的聚光器42照射脉冲激光光线，同时使 卡盘工作台3向在图13的(a)中以箭头X1所示的方向以规定的加工进给速度移动。 然后，如图13的(b)所示，当分割预定线101的另一端(在图13的(b)中为右端) 到达聚光器42的正下方位置后，停止照射脉冲激光光线，并使卡盘工作台3即半导 体晶片10停止移动。在该激光加工槽形成工序中，将脉冲激光光线的聚光点P对准 分割预定线101的表面附近。

通过实施上述激光光线照射工序，如图14所示，在半导体晶片10的分割预定线 101处形成激光加工槽140。此时，如图14所示，即使由于照射激光光线而产生了碎 屑150，该碎屑150也会被保护膜112阻隔而不会附着到器件102和焊盘等上。在该 激光光线照射工序中，由于形成于半导体晶片10的加工面即正面10a上的保护膜112 如上所述是均匀的，因此能够形成稳定的激光加工槽140。并且，对半导体晶片10 的所有分割预定线101实施上述激光光线照射工序。

另外，上述激光光线照射工序例如在以下的加工条件下进行。

激光光线的光源：YVO4激光器或者YAG激光器

波长：355nm

重复频率：50kHz

输出：4W

光斑直径：9.2μm

加工进给速度：200mm/秒

在沿着半导体晶片10的所有分割预定线101实施了上述激光光线照射工序后， 使保持着半导体晶片10的卡盘工作台3返回至最初抽吸保持半导体晶片10的位置， 并在此处解除对半导体晶片10的抽吸保持。然后，利用第2晶片搬送构件15将半导 体晶片10搬送至构成保护膜覆盖兼清洗装置7的旋转工作台711的吸附卡盘711a上， 并抽吸保持于该吸附卡盘711a。此时，如图3和图4所示，树脂供给喷嘴741、空气 喷嘴751和清洗液喷嘴761被定位在从旋转工作台711的上方离开的待机位置。

在将加工后的半导体晶片10保持在保护膜覆盖兼清洗装置7的旋转工作台711 上后，执行清洗工序。即，将旋转工作台711定位在作业位置，并使供水机构75的 电动马达752工作，将供水喷嘴751的喷嘴部751a定位至保持于旋转工作台711上 的半导体晶片10的中心部上方。然后，使旋转工作台711以例如800rpm的转速旋转， 同时使供水构件750工作而从喷嘴部751a喷水。另外，喷嘴部751a由所谓的双流体 喷嘴构成，其供给压力为0.2MPa左右的水，并且供给压力大约为0.3～0.5MPa的空 气，这样的话，水借助于空气的压力而喷出，并能够对半导体晶片10的加工面即正 面10a有效地进行清洗。此时，使电动马达752工作，使从供水喷嘴751的喷嘴部 751a喷出的水在从喷到保持于旋转工作台711的半导体晶片10的中心的位置至喷到 该半导体晶片10的外周部的位置为止的、所需要的角度范围内摆动。其结果为，由 于覆盖在半导体晶片10的正面10a上的保护膜112如上所述由水溶性树脂形成，所 以能够容易地冲掉保护膜，并且在激光加工时产生的碎屑150也会被除去。

在上述清洗工序结束后，执行干燥工序。即，将供水喷嘴751定位在待机位置， 并使旋转工作台711以例如3000rpm的转速旋转15秒左右。此时，优选的是，使空 气供给机构76的电动马达762工作，将空气供给喷嘴761的喷嘴部761a定位至保持 于旋转工作台711上的半导体晶片10的被加工面即正面10a的中央部上方，一边使 空气供给构件760工作以向半导体晶片10的被加工面即正面10a供给空气，一边使 空气供给喷嘴761的喷嘴部761a在所需要的角度范围内摆动。

在如上所述地完成了对加工后的半导体晶片10的清洗和干燥后，使旋转工作台 711停止旋转，并将空气供给机构76的空气供给喷嘴761定位在待机位置。然后， 将旋转工作台711定位在图4所示的被加工物搬入搬出位置，并解除对保持在旋转工 作台711上的半导体晶片10的抽吸保持。接着，利用第1晶片搬送构件14将旋转工 作台711上的加工后的半导体晶片10搬出到配设于临时放置部12a的位置对准构件 12上。利用晶片搬出搬入构件13将搬出到位置对准构件12上的加工后的半导体晶 片10收纳到盒11的规定位置处。

以上，基于图示的实施方式对本发明进行了说明，但是本发明并不仅限于实施方 式，可以在本发明的主旨的范围内进行各种变形。例如，在上述实施方式中，示出了 将保护膜覆盖装置配设于激光加工机上的例子，但是也可以将保护膜覆盖装置作为独 立的装置来构成。