一种用于监测和校准半导体加工室内温度的新型方法

摘要

本发明提供一种用于监测和校准加工室温度的非破坏性方法。本发明的一个实施例提供一种用于测量温度的方法，该方法包括在第一温度下在测试基片上形成目标膜，其中目标膜具有对热暴露敏感的一种或几种性能，将目标膜暴露于在高于第一温度的范围内的第二温度下的环境，在将目标膜暴露于第二温度下的环境之后测量目标膜的一种或几种性能，以及根据所测量的一种或几种性能确定第二温度。