改进的辐射传感器及其在带电粒子显微镜中的应用

摘要

本发明涉及改进的辐射传感器及其在带电粒子显微镜中的应用。一种包括层状结构的像素化CMOS辐射传感器(例如在4T钉扎光电二极管器件中)，该层状结构包含：-p型Si基底；-所述基底内的n掺杂区域；-p+掺杂钉扎层，覆盖所述n掺杂区域；-SiOx层，覆盖所述p+掺杂钉扎层并且用作金属前介质层或者金属间介质层；其中硼薄膜沉积在所述p+掺杂钉扎层和所述SiOx层之间。这样的(纯)硼薄膜的应用用于将漏电流降低一个或者多个数量级。甚至相对薄的硼薄膜(例如，厚度为1-2nm)能够产生这种效果。