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一种使用化学气相沉积法制备钙钛矿薄膜太阳能电池的方法

摘要

本发明公开了一种使用化学气相沉积法制备钙钛矿薄膜太阳能电池的方法,其特征在于括如下步骤:(1)对衬底进行预处理;(2)在预处理后的衬底表面涂覆TiO2致密层;(3)一步法制备钙钛矿材料层;(4)在钙钛矿材料层上旋涂制备Spiro-OMeTAD太阳能电池空穴传输层;(5)将步骤(1)-(4)制备的器件烘干,完成阴极金属电极沉积,得到钙钛矿薄膜太阳能电池。本发明利用简单的气相运输方法,开发了一种简单的一步的化学气相沉积(CVD)法,不依赖高真空设备来制备卤化物钙钛矿太阳能电池,使其能量转化效率超过11%。

著录项

  • 公开/公告号CN105355794A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深港产学研基地;

    申请/专利号CN201510724089.0

  • 发明设计人 范智勇;何进;

    申请日2015-10-29

  • 分类号H01L51/48(20060101);H01L51/44(20060101);C23C16/44(20060101);H01L21/205(20060101);

  • 代理机构44271 深圳市惠邦知识产权代理事务所;

  • 代理人孙菊梅

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区高新产业园南区科苑南路高新七道15号

  • 入库时间 2023-12-18 14:26:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-15

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L51/48 申请公布日:20160224 申请日:20151029

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/48 申请日:20151029

    实质审查的生效

  • 2016-02-24

    公开

    公开

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