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一种Cf/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备方法

摘要

一种Cf/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备方法,是以单散的氧化硅凝胶小球为模板原料,采用自然沉降法制备Cf/SiC复合材料氧化硅凝胶小球接头模板,之后用陶瓷先驱体浸渍上述模板,浸渍完成后以N2为保护气体,利用常压高温裂解法使陶瓷先驱体PCS转化为SiC陶瓷,再用氢氟酸腐蚀掉氧化硅凝胶小球,即制得Cf/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头。本发明在Cf/SiC复合材料构件末端引入有序多孔结构,减少Cf/SiC复合材料复杂微观结构对连接的不利影响,同时,通过梯度材料过渡减少连接过程中的热应力,从而有效地改善Cf/SiC复合材料的连接质量,促进复合材料在航空航天、军事等高技术新装备领域的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN102167613B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-11-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科学技术大学;

    申请/专利号CN201110004575.7

  • 申请日2011-01-11

  • 分类号C04B37/00(20060101);

  • 代理机构43205 长沙星耀专利事务所;

  • 代理人赵静华

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街137号

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-28

    授权

    授权

  • 2011-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 37/00 申请日:20110111

    实质审查的生效

  • 2011-08-31

    公开

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