包覆金膜的硅纳米锥阵列及其制备方法和用途

摘要

本发明公开了一种包覆金膜的硅纳米锥阵列及其制备方法和用途。阵列为其表面覆有金膜的硅纳米锥有序阵列，其中，组成硅纳米锥有序阵列的硅纳米锥的锥底直径为180～220nm、锥高为450～550nm、锥周期为250～350nm，金膜的厚度为15～25nm；方法为先通过气-液界面自组装技术将聚苯乙烯胶体球于硅衬底上合成单层胶体晶体模板，再将其上合成有单层胶体晶体模板的硅衬底置于六氟化硫气氛中等离子体刻蚀，得到其上置有硅纳米锥有序阵列的硅衬底后，使用离子束溅射沉积技术或热蒸发沉积技术，于其上置有硅纳米锥有序阵列的硅衬底上沉积金膜，制得目的产物。它可作为表面增强拉曼散射的活性基底，测量其上附着的盐酸克伦特罗的含量。