用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法

摘要

一种用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法，该芯片厚度为125-145μm，衬底层的N电极和有源区P面电极之间距离为125-145μm；有源区P面电极的正投影面积仅存有源区P面电极与P面电极焊盘区域。在芯片制备过程，优选了芯片有源区P面电极的结构设计，减小有源区P面电极面积至仅存P面脊区与焊盘区域，其脊区偏向芯片一端，将焊盘位于芯片中央可实现脉冲驱动下的650半导体激光器更高的频率响应时间，从而实现通信的高速传输。本发明提升了半导体激光芯片的频率响应时间，满足高频通信中采用的脉冲驱动，从而可以将廉价的650半导体激光器用于通信的光源，从而达成了塑料光纤取代石英光纤而实现高速传输的目的。