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一种避免晶边铝剥落缺陷源头的方法及装置

摘要

本发明公开了一种避免晶边铝剥落缺陷源头的方法及装置,通过在工艺腔中设置一掩蔽罩,对沉积有铝薄膜的晶圆表面中间区域进行掩蔽保护,并应用物理气相沉积方法在晶圆边缘沉积铝薄膜刻蚀阻挡层,从而避免了后续晶边铝薄膜被刻蚀而产生剥落源头,可从根本上消除剥落缺陷源头,为在线缺陷去除提供保障,并为大批量晶圆生成提供良率保障。

著录项

  • 公开/公告号CN105070645A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201510430121.4

  • 发明设计人 范荣伟;龙吟;王恺;陈宏璘;

    申请日2015-07-21

  • 分类号

  • 代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴世华

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2023-12-18 12:21:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20151118 申请日:20150721

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-12-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20150721

    实质审查的生效

  • 2015-11-18

    公开

    公开

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