粘接膜、切割膜片一体型粘接膜、背磨胶带一体型粘接膜、背磨胶带兼切割膜片一体型粘接膜、叠层体、叠层体的固化物、和半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种兼备充分的透明性和焊接部的可靠性的粘接膜(10)。本发明为一种端子间连接用粘接膜(10)，其介于表面具有多个第一端子(21)的电子部件(20)和具有与上述端子(21)对应的多个第二端子(31)的电路部件(30)之间，将上述第一端子和第二端子电连接，上述第一端子(21)的宽度为3μm以上100μm以下，上述第一端子(21)具有覆盖端子表面的至少一部分的低熔点的金属组合物，将上述第一端子(21)的宽度设为A、上述金属组合物的宽度设为B时，满足0.6＜A/B＜1.4，B满足2μm以上170μm以下，相邻的第一端子(21)彼此所具有的金属组合物间的距离为3μm以上60μm以下，所述粘接膜(10)由含有10重量％以上70重量％以下的填充材料的树脂组合物构成，表面粗糙度Ra为0.03μm以上1.0μm以下。

说明书

技术领域

本发明涉及种粘接膜、切割膜片(Dicing Sheet)一体型粘接膜、 背磨胶带(Back Grinding Tape)一体型粘接膜、背磨胶带兼切割膜片 一体型粘接膜、叠层体、叠层体的固化物、和半导体装置及半导体装 置的制造方法。

本申请基于2013年3月7日在日本申请的特愿2013-045020号主 张优先权，并在此引用其内容。

背景技术

伴随近年来电子设备的高功能化和轻薄短小化的要求，这些电子 设备所使用的半导体装置也比以往增加，小型化且多针化逐步发展。 为了得到这些半导体装置中的电子部件彼此之间、以及电子部件与电 路部件间等的电连接，广泛使用焊接。作为该焊接，例如可以列举半 导体芯片彼此之间的导通接合部、由倒装片搭载的如封装之类的半导 体芯片与电路基板间的导通接合部、半导体芯片与作入了电子电路的 半导体晶片的导通接合部、电路基板彼此之间的导通接合部等。为了 确保电连接强度和机械性连接强度，该焊接部通常使用树脂材料进行 密封。例如在半导体芯片与电路基板间通常注入有称为底部填充材料 的密封树脂(底部填充密封)。

在利用液态密封树脂(底部填充材料)加强由于焊接部而产生的 空隙(间隙)时，在焊接后供给液态密封树脂(底部填充材料)并使 其固化，由此来加强焊接部。然而，伴随半导体装置的薄型化、小型 化，焊接部变得窄节距化/窄间隙化，因此，即使在焊接后供给液态密 封树脂(底部填充材料)，液态密封树脂(底部填充材料)也不会遍布 间隙间，产生难以完全填充的问题。针对这样的问题，已知有利用称 为NCF(非导电膜：Non-Conductive-Film)的粘接膜来将焊接部密封 的方法(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-277818号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，现有的称为NCF的粘接膜难以兼顾充分的透明性和焊接部 的可靠性，存在更窄节距化/窄间隙化的焊接部中的接合性、和制造半 导体装置时的成品率难以提高的问题。

本发明的目的在于提供一种兼备充分的透明性和焊接部的可靠 性、并提高了更窄节距化/窄间隙化的焊接部中的接合性和制造半导体 装置时的成品率的粘接膜，还提供一种焊接部的可靠性得到了提高的 半导体装置。

用于解决课题的技术方案

这样的目的可以通过下述(1)～(23)的本发明来实现。

(1)一种粘接膜，其介于表面具有多个第一端子的电子部件、和 具有与上述端子对应的多个第二端子的电路部件之间，将上述第一端 子和第二端子电连接，上述第一端子的宽度为3μm以上100μm以下， 上述第一端子具有覆盖端子表面的至少一部分的低熔点的金属组合 物，将上述第一端子的宽度设为A、上述金属组合物的宽度设为B时， 满足0.6＜A/B＜1.4，B满足2μm以上170μm以下，相邻的第一端子 彼此所具有的金属组合物间的距离为3μm以上60μm以下，上述粘接 膜由含有10重量％以上70重量％以下的填充材料的树脂组合物构成， 表面粗糙度Ra为0.03μm以上1.0μm以下，上述表面粗糙度Ra是依据 日本工业标准JIS-B0601测得的算术平均粗糙度。

(2)根据(1)所述的粘接膜，上述粘接膜的700nm时的透光率 为15％以上100％以下。

(3)根据(1)或(2)所述的粘接膜，将上述表面粗糙度Ra设 为C、上述粘接膜的700nm时的透光率设为D时，上述表面粗糙度Ra 与上述透光率之比[C/D]为1.8×10^-2μm/％以下。

(4)根据(1)～(3)中任一项所述的粘接膜，上述填充材料的 平均粒径为0.01μm以上0.5μm以下。

(5)根据(1)～(4)中任一项所述的粘接膜，上述填充材料为 无机填充材料。

(6)根据(1)～(5)中任一项所述的粘接膜，上述树脂组合物 包含环氧树脂、固化剂和成膜性树脂。

(7)根据(1)～(6)中任一项所述的粘接膜，上述树脂组合物 包含具有酚羟基和/或羧基的化合物。

(8)根据(7)所述的粘接膜，上述化合物在树脂组合物内含有 3％以上20％以下。

(9)根据(7)或(8)所述的粘接膜，上述化合物在1分子中具 备2个以上的酚羟基和1个以上的羧基。

(10)根据(7)或(8)所述的粘接膜，上述化合物在1分子中 含有1个以上的苯醚基。

(11)根据(1)～(10)中任一项所述的粘接膜，上述第一端子 具有柱形状。

(12)一种将切割膜片和(1)～(11)中任一项所述的粘接膜叠 层而成的切割膜片一体型粘接膜。

(13)一种将背磨胶带和(1)～(11)中任一项所述的粘接膜叠 层而成的背磨胶带一体型粘接膜。

(14)一种将背磨胶带兼切割膜片和(1)～(11)中任一项所述 的粘接膜叠层而成的背磨胶带兼切割膜片一体型粘接膜。

(15)一种叠层体，具备表面具有多个第一端子的电子部件、和 设置于上述电子部件的第一端子侧的(1)～(11)中任一项所述的粘 接膜，上述第一端子的宽度为3μm以上100μm以下，上述第一端子具 有覆盖端子表面的至少一部分的低熔点的金属组合物，将上述第一端 子的宽度设为A、上述金属组合物的宽度设为B时，满足0.6＜A/B＜ 1.4，B满足2μm以上170μm以下，相邻的第一端子彼此所具有的金属 组合物间的距离为3μm以上60μm以下。

(16)根据(15)所述的叠层体，具有多个上述电子部件和介于 上述多个电子部件与上述电路部件之间的多个(1)～(11)中任一项 所述的粘接膜。

(17)一种叠层体的固化物，具备表面具有多个第一端子的电子 部件、具有与上述第一端子对应的多个第二端子的电路部件、和介于 上述电子部件与上述电路部件之间的(1)～(11)中任一项所述的粘 接膜的固化物层，上述第一端子的宽度为3μm以上100μm以下，上述 第一端子具有覆盖端子表面的至少一部分的低熔点的金属组合物，将 上述第一端子的宽度设为A、上述金属组合物的宽度设为B时，满足 0.6＜A/B＜1.4，B满足2μm以上170μm以下，相邻的第一端子彼此所 具有的金属组合物间的距离为3μm以上60μm以下。

(18)根据(17)所述的叠层体的固化物，具有多个上述电子部 件、和介于多个上述电子部件与上述电路部件之间的多个(1)～(11) 中任一项所述的粘接膜的固化物层。

(19)根据(17)或(18)所述的叠层体的固化物，上述电路部 件为内插件(interposer)。

(20)根据(17)或(18)所述的叠层体的固化物，上述电路部 件为半导体晶片。

(21)一种将(20)所述的叠层体单片化而得到的叠层体的固化 物。

(22)一种半导体装置，其包括(17)～(19)、(21)中任一项 所述的叠层体的固化物。

(23)一种半导体装置的制造方法，在表面具有多个第一端子的 电子部件、和具有与上述端子对应的多个第二端子的电路部件之间介 设(1)～(11)中任一项所述的所述粘接膜，将上述第一端子和第二 端子电连接，上述第一端子的宽度为3μm以上100μm以下，上述第一 端子具有覆盖端子表面的至少一部分的低熔点的金属组合物，将上述 第一端子的宽度设为A、上述金属组合物的宽度设为B时，满足0.6 ＜A/B＜1.4，B满足2μm以上170μm以下，相邻的第一端子彼此所具 有的金属组合物间的距离为3μm以上60μm以下。

发明效果

根据本发明，能够提供一种兼备充分的透明性和焊接部的可靠性、 并提高了更窄节距化/窄间隙化的焊接部中的接合性和制造电子部件时 的成品率的粘接膜，并且能够提供一种焊接部的可靠性得到了提高的 半导体装置。

附图说明

图1为表示使用本发明的粘接膜制造的半导体装置100的一个例 子的示意图(图1(a)为俯视图、图1(b)为图1(a)中的X-X线 剖面图)。

图2为表示本发明的半导体装置100中使用的电子部件20的一个 例子的示意图(图2(a)为俯视图、图2(b)为图2(a)中的Y-Y线 剖面图)。

图3为表示本发明的半导体装置100的制造方法的一个例子的示 意图。

图4为表示本发明的半导体装置100的制造方法的一个例子的示 意图。

图5为表示本发明的半导体装置100的制造方法的一个例子的示 意图。

图6为表示本发明的切割胶带(Dicing Tape)一体型粘接膜的一 个方式的剖面图。

图7为表示本发明的背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜的一个方 式的剖面图。

图8为表示本发明的背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜的一个方 式的剖面图。

图9为显示本发明的半导体装置的制造工序的剖面图。

图10为显示本发明的半导体装置的制造工序的剖面图。

图11为显示本发明的半导体装置的制造工序的剖面图。

具体实施方式

本发明的粘接膜为端子间连接用粘接膜10，其介于表面具有多个 第一端子21的电子部件20、和具有与上述端子对应的多个第二端子 31的电路部件30之间，将上述第一端子和第二端子电连接，其特征在 于：上述第一端子的宽度为3μm以上100μm以下，上述第一端子具有 覆盖端子表面的至少一部分的低熔点的金属组合物，将上述第一端子 的宽度设为A、上述金属组合物的宽度设为B时，满足0.6＜A/B＜1.4， B满足2μm以上170μm以下，相邻的第一端子各自所具有的金属组合 物间的距离为3μm以上60μm以下，上述粘接膜由含有10重量％以上 70重量％以下的填充材料的树脂组合物构成，表面粗糙度Ra为0.03μm 以上1.0μm以下。

本发明的切割膜片一体型粘接膜通过将切割膜片和上述粘接膜叠 层而成。

本发明的叠层体37具备表面具有多个第一端子的电子部件20和 设置于上述电子部件的第一端子侧的上述粘接膜10。

本发明的叠层体的固化物38具备上述电子部件20、具有与上述第 一端子21对应的多个第二端子31的上述电路部件30、和介于上述电 子部件与上述电路部件之间的上述粘接膜的固化物层80。

另外，本发明的半导体装置100包括上述叠层体的固化物。

以下基于附图所示的实施方式，详细说明本发明的粘接膜10、叠 层体37、叠层体的固化物38、半导体装置100。

＜半导体装置>

图1为表示使用本发明的粘接膜10制造的半导体装置100的一个 例子的示意图(图1(a)为俯视图、图1(b)为图1(a)中的X-X 线剖面图)。其中，以下说明中，图1中的上侧称为“上”、下侧称为 “下”。

图1所示的半导体装置100具有半导体芯片(相当于本发明的电 子部件的一个例子)20、支承半导体芯片20的内插件(相当于本发明 的电路部件的一个例子)30和多个具有导电性的凸块70。

半导体芯片20的俯视形状如图1(a)所示为正方形。另外，半导 体芯片20在其下表面具有用于与内插件30电接合的多个端子21(相 当于本发明的第一端子的一个例子)。该端子21形成于半导体芯片20 的下表面，没有特别限定，例如由铜等导电性金属材料构成。

另外，内插件30为绝缘基板，例如由聚酰亚胺·环氧·氰酸酯·双马 来酰亚胺三嗪(BT树脂)等各种树脂材料构成。该内插件30的俯视 形状如图1(a)所示为正方形。并且，内插件30在其上表面(一侧表 面)具有例如由铜等导电性金属材料构成的多个端子(相当于本发明 的第二端子)31。

在半导体装置100中，端子31以与设置于半导体芯片20的端子 21对应的方式设置在内插件30上表面。并且，分别对应的端子21和 端子31经由连接部81而电连接。连接部81由导电性金属构成。构成 连接部81的导电性金属例如通过预先设置于半导体芯片20所设的端 子21表面的、覆盖端子21的表面的至少一部分的低熔点的金属组合 物变形而构成。端子21的形状没有特别限定，可使用具有柱形状的金 属柱。金属柱只要由导电性金属形成即可，没有特别限定，可使用铜、 镍、钛、钽、钨、金等。

另外，在上述端子21与上述金属组合物之间可设置利用金属形成 的薄膜。例如，通过具有由金等构成的薄膜，具有促进上述金属组合 物的润湿性的效果，通过具有镍等的阻隔金属层，具有防止金属组合 物扩散到端子21内的效果。这样的薄膜可以为单层，也可以具有多层。 另外，在具有多层的情况下，可以具有多个由相同金属构成的层，也 可以具有多个由不同金属构成的层。另外，这样的薄膜优选为0.01μm 以上2μm以下，更优选0.05μm以上1μm以下。通过在上述下限值以 上，能够在与上述金属组合物的密合性方面具有令人满意的效果，另 外，通过在上述下限值以下，从成本的观点考虑有利。进而，也可以 预先在端子31上设置低熔点的金属组合物、或者端子31本身由构成 连接部81的低熔点的金属组合物构成，还可以将它们组合。

这样的低熔点的金属组合物只要是具有导电性且为低熔点的物质 就没有特别限定，例如可以举出含有选自锡、银、铅、锌、铋、铟和 铜中的至少2种以上的合金等。另外，金属的熔点优选为280℃以下， 更优选为240℃以下。通过为上述优选的范围，能够以更低的温度进行 形成连接部时的加热，由此可抑制后述的密封层的发泡。由此，能够 进一步提高本发明的半导体装置的可靠性。

另外，在本实施方式中，如图1所示，端子31设置在形成于内插 件30的凹部内。另外，端子21形成从半导体芯片20突出的柱形状。 在此，端子21为金属柱，形成为圆柱形状，但并不限于圆柱形状，也 可以为长方体形状、圆锥形状等。

另外，内插件30形成有贯穿其厚度方向的未图示的多个导通孔 (through hole：贯通孔)。

各凸块70分别通过各导通孔使得一端(上端)与端子31的一部 分电连接，另一端(下端)从内插件30的下表面(另一侧面)突出。

凸块70从内插件30突出的部分大致形成球形(Ball状)。

该凸块70例如以焊锡、银焊料、铜焊料、磷铜焊料之类的焊料为 主材料而构成。

另外，在半导体芯片20与内插件30之间的间隙填充有由各种树 脂材料构成的密封材料，由该密封材料的固化物来形成密封层80。该 密封层80具有提高半导体芯片20与内插件30的接合强度的功能、和 防止异物或水分等侵入上述间隙的功能。

在这种结构的半导体装置100中，密封层80的形成可应用本发明 的粘接膜10。

如上所述，以图1中记载的实施方式为中心对本发明的半导体装 置100进行了说明，但并不限于该实施形态。例如电子部件20除半导 体芯片以外，也可使用已作入电子电路的半导体晶片和硅基板、或内 插件、刚性基板、挠性基板、刚性挠性基板等印刷电路板。电路部件 30除使用内插件以外，也可使用半导体芯片、已作入电子电路的半导 体晶片和硅基板、或刚性基板、挠性基板、刚性挠性基板等印刷电路 板。另外，对于电子部件和电路部件，对正方形的情况进行了说明， 但也可使用长方形的电子部件和电路部件。另外，本发明的半导体装 置100也包括如下电子部件：将多个半导体芯片在内插件上沿其厚度 方向叠层多个，具有将多个半导体芯片间、以及半导体芯片与内插件 间电接合的接合部，具有将该接合部密封的多个密封层，这些密封层 使用本发明的粘接膜。这样的电子部件中，半导体芯片适合使用TSV 芯片(硅通孔芯片：Through Silicon Vear Chip)。

图2为表示使用本发明的粘接膜10制造的半导体装置100所包括 的电子部件20的一个例子的示意图(图2(a)为俯视图、图2(b) 为图1(a)中的Y-Y线剖面图)。其中，以下说明中，图2中的上侧称 为“上”、下侧称为“下”。

图1所示的电子部件20为半导体芯片，具有多个第一端子21。该 多个端子的下侧具有覆盖端子表面的至少一部分的低熔点的金属组合 物22。作为第一端子，具有圆柱状的柱形状，但并不限于这样的形状， 也可使用具有长方体形状或圆锥形状等的端子。另外，第一端子并不 限于具有自电子部件凸状的形状，也可与上述内插件30同样地设置在 电子部件所设的凹部内。在这样的情况下，优选将上述金属组合物形 成为凸状。

关于本发明的电子部件20，在将上述第一端子的宽度设为A、上 述金属组合物的宽度设为B时，满足0.6＜A/B＜1.4。更优选为0.8＜ A/B＜1.2。通过具有这样的结构，能够防止相邻的端子间产生漏电流， 提高焊接部的可靠性。另外，在与电路部件接合时，能够防止由于错 位的影响所致的连接不良。另外，B为2μm以上170μm以下，优选为 4μm以上150μm以下，更优选为10μm以上100μm以下。通过在上述 下限值以上，端子间的接合面积充分，能够提高焊接部的可靠性。另 外，通过在上述上限值以下，能够防止相邻的端子间产生漏电流，提 高焊接部的可靠性。另外，本发明中，由于使上述第一端子的宽度和 上述金属组合物的宽度具有上述构成，并且利用粘接膜的充分的透明 性，在将电子部件和电路部件接合时，能够通过本发明的粘接膜充分 地辨识电子部件中的上述第一端子的形状、排列，因此，能够防止接 合时的错位。由此，能够进一步提高本发明的半导体装置中的接合部 的可靠性。另外，通过防止错位，能够防止生产率降低，并且提高制 造半导体装置时的成品率。在此，所谓第一端子的宽度表示与端子的 高度方向垂直形成的剖面中具有最大面积的剖面中的最长距离(参照 图2)。例如在端子具有圆柱形状的情况下，其剖面中具有最大面积的 剖面的直径为宽度；在端子为椭圆形状时，其剖面中具有最大面积的 剖面的长径为宽度；在端子具有长方体形状的情况下，其剖面中具有 最大面积的剖面的对角线为宽度。另外，对于金属组合物的宽度，与 第一端子同样表示剖面中的最长距离(参照图2)。

另外，本发明的电子部件20中，上述金属组合物间的距离为3μm 以上60μm以下，优选为5μm以上50μm以下，更优选为7μm以上30μm 以下。通过在上述下限值以上、并结合粘接膜的充分的透明性，能够 通过粘接膜充分地辨识电子部件中的第一端子的形状、排列，因此， 在与电路部件接合时，能够充分地防止错位(相当于图2中的W)。由 此，能够防止因错位的影响所致的连接不良。另外，端子间的接合面 积充足，能够提高焊接部的可靠性。另外，通过防止错位，能够防止 生产率降低，并且提高制造半导体装置时的成品率。通过在上述下限 值以上，能够防止相邻的端子间产生漏电流，提高焊接部的可靠性。 另外，通过在上述上限值以下，能够相对于每单位面积配置多个端子， 因此能够实现高密度的端子连接。

另外，本发明的电子部件20中，上述第一端子间的距离优选为5μm 以上62μm以下，更优选为7μm以上52μm以下，进一步优选为9μm 以上32μm以下。通过在上述下限值以上、并结合粘接膜的充分的透明 性，能够通过粘接膜充分地辨识电子部件中的第一端子的形状、排列， 因此，在与电路部件接合时，能够充分地防止错位。由此，能够防止 因错位的影响所致的连接不良。另外，端子间的接合面积充足，能够 提高焊接部的可靠性。另外，通过防止错位，能够防止生产率降低， 并且提高制造半导体装置时的成品率。通过在上述上限值以下，能够 防止相邻的端子间产生漏电流，提高焊接部的可靠性。

＜粘接膜>

本发明的粘接膜10为介于表面具有多个第一端子21的电子部件 20和具有与上述端子对应的多个第二端子31的电路部件30之间、将 上述第一端子和第二端子电连接的端子间连接用粘接膜10，其特征在 于，上述粘接膜由含有10重量％以上70重量％以下的填充材料的树脂 组合物构成，表面粗糙度Ra为0.03μm以上1.0μm以下。

上述粘接膜10由于具有如上所述的构成，能够提供一种兼备充分 的透明性和焊接部的可靠性、并提高了更窄节距化/窄间隙化的焊接部 中的接合性和制造电子部件时的成品率的粘接膜，还提供提高了焊接 部的可靠性的半导体装置。

上述粘接膜10由含有填充材料的树脂组合物构成，因而能够在所 接合的上述电子部件与上述电路部件之间构成均匀厚度的密封层，由 此能够提高接合部的可靠性。

另外，上述粘接膜关于表面粗糙度具有上述的构成，由此，在将 上述电子部件和上述电路部件接合时，具有充分的透明性，从而能够 防止错位。即，假设上述粘接膜在将上述电子部件和上述电路部件接 合时，以预先贴附在上述电子部件表面的状态接合，但此时以覆盖上 述第一端子的方式贴附。在此，通过结合上述电子部件具有上述构成 的特征，能够通过粘接膜充分地辨识电子部件中的第一端子的形状、 排列，因此，在与电路部件接合时，能够充分地防止错位。由此，能 够防止因错位的影响所致的连接不良。另外，端子间的接合面积充足， 能够提高焊接部的可靠性。另外，通过防止错位，能够防止生产率降 低，并提高制造半导体装置时的成品率。即，通过使表面粗糙度Ra小 于上述第一端子的宽度以及上述金属组合物的宽度，能够通过粘接膜 充分地辨识电子部件所具有的多个上述第一端子的形状、排列，因此， 能够防止错位。

上述粘接膜由含有填充材料的树脂组合物构成。该树脂组合物没 有特别限定，优选固化型树脂组合物。作为固化型树脂组合物，可以 举出通过加热而固化的热固型树脂组合物、和通过照射化学射线而固 化的固化型树脂组合物等，其中，优选使用通过加热而固化的热固型 树脂组合物。通过加热而固化的热固型树脂组合物在固化后的机械特 性优异，并且保存稳定性优异。

通过加热而固化的热固型树脂组合物含有热固型树脂成分，除了 热固型树脂成分以外，也可以根据需要含有具有助焊功能的化合物、 成膜性树脂、固化剂、固化促进剂、硅烷偶联剂等。

(i)热固型树脂成分

热固型树脂成分只要是通过加热而熔融并固化的树脂就没有特别 限定，通常可使用用作半导体装置制造用的粘接剂成分的物质。

作为这样的热固型树脂成分，没有特别限定，例如可以举出：环 氧树脂、苯氧树脂、硅酮树脂、氧杂环丁烷树脂、酚醛树脂、(甲基) 丙烯酸酯树脂、聚酯树脂(不饱和聚酯树脂)、邻苯二甲酸二烯丙酯树 脂、马来酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂(聚酰亚胺前体树脂)、双马来酰 亚胺-三嗪树脂等。特别优选使用含有选自环氧树脂、(甲基)丙烯酸酯 树脂、苯氧树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、硅酮树脂、马来酰亚胺 树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂中的至少1种的热固型树脂。其中，从 固化性和保存性、固化物的耐热性、耐湿性、耐化学药品性优异的观 点考虑，特别优选环氧树脂。通过使用环氧树脂，能够进一步增强上 述电子部件与上述电路部件的密合，由此，能够提高本发明的半导体 装置中的第一端子与第二端子的连接部的可靠性。另外，由于固化所 致的体积收缩小，因此，密封层形成时的厚度均匀性更好。其中，这 些固化型树脂成分可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

作为上述环氧树脂，没有特别限定，室温时为液态以及室温时为 固态的任意的环氧树脂均可使用。另外，也可以将室温时为液态的环 氧树脂和室温时为固态的环氧树脂并用。在使用液态的环氧树脂的情 况下，特别是在单独使用液态的环氧树脂的情况下，更优选采用固化 型树脂组合物含有成膜性树脂成分的构成。

作为在室温(25℃)时为液态的环氧树脂，没有特别限定，可以 举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂等，可使用其中的1种或 组合使用2种。

在室温时为液态的环氧树脂的环氧当量优选150～300g/eq，更优 选160～250g/eq，特别优选170～220g/eq。上述环氧当量低于上述下 限时，根据所使用的环氧树脂的种类，存在固化物的收缩率增大的倾 向，包含上述粘接膜的半导体装置或具备该半导体装置的电子设备有 可能产生翘曲。另外，超过上述上限时，在固化型树脂组合物中并用 成膜性树脂成分而构成的情况下，有时显示出与成膜性树脂成分、特 别是与聚酰亚胺树脂的反应性降低的倾向。

另外，作为在室温(25℃)时为固态的环氧树脂，没有特别限定， 可以举出：双酚A型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型 环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、缩水 甘油酯型环氧树脂、3官能环氧树脂、4官能环氧树脂等，可使用其中 的1种或组合使用2种以上。其中，优选使用固态3官能环氧树脂、 甲酚酚醛清漆型环氧树脂等。

其中，在室温时为固态的环氧树脂的环氧当量优选150～3000g/eq， 更优选160～2500g/eq，特别优选170～2000g/eq。

在室温时为固态的环氧树脂的软化点优选为40～120℃左右，更优 选为50～110℃左右，特别优选为60～100℃左右。上述软化点在上述 范围内时，粘附抑制上述树脂组合物的粘性，粘接膜容易操作。

另外，上述树脂组合物中，上述固化型树脂成分的配合量可根据 所使用的固化型树脂组合物的形态适当设定。

例如，在上述树脂组合物中固化型树脂成分的配合量优选为5重 量％以上，更优选为10重量％以上，进一步优选为15重量％以上，特 别优选为20重量％以上。另外，优选为90重量％以下，更优选为85 重量％以下，进一步优选为80重量％以下，更进一步优选为75重量％ 以下，还优选为65重量％以下，特别优选为60重量％以下。

上述树脂组合物中的固化型树脂成分的配合量在上述范围内时， 能够充分地确保上述电子部件与上述电路部件的粘接强度。

(ii)成膜性树脂成分

如上所述，上述树脂组合物优选除了含有上述固化型树脂成分以 外，还含有成膜性树脂成分。通过含有成膜性树脂成分，上述粘接膜 的成膜性提高且生产率提高。同时，上述粘接膜的厚度均匀性提高， 形成密封层时的厚度均匀性也提高。

作为这样的成膜性树脂成分，只要单独具有成膜性就没有特别限 定，可使用热塑型树脂或热固型树脂中的任意树脂，也可将它们组合 使用。

具体而言，作为成膜性树脂成分，没有特别限定，例如可以举出： (甲基)丙烯酸系树脂、苯氧树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚 胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、硅氧烷改性聚酰亚胺树脂、聚丁二烯树 脂、聚丙烯树脂、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯- 苯乙烯共聚物、聚缩醛树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯基乙缩醛 树脂、丁基橡胶、氯丁二烯橡胶、聚酰胺树脂、丙烯腈-丁二烯共聚物、 丙烯腈-丁二烯-丙烯酸共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚乙酸 乙烯酯、尼龙等，可使用其中的1种或组合使用2种以上。其中，优 选(甲基)丙烯酸系树脂、苯氧树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂和聚酰 亚胺树脂。

其中，本说明书中，“(甲基)丙烯酸系树脂”是指(甲基)丙烯 酸及其衍生物的聚合物、或(甲基)丙烯酸及其衍生物与其它单体的 共聚物。在此，记作“(甲基)丙烯酸”等时意味着“丙烯酸或甲基丙 烯酸”等。

作为(甲基)丙烯酸系树脂，没有特别限定，例如可以举出：聚 丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丁 酯、聚丙烯酸-2-乙基己酯等聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基 丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸丁酯等聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚甲 基丙烯腈、聚丙烯酰胺、丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈共聚物、丙烯 腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-丙烯酸共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙 烯共聚物、丙烯腈-苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、甲 基丙烯酸甲酯-丙烯腈共聚物、甲基丙烯酸甲酯-α-甲基苯乙烯共聚物、 丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-甲基丙烯酸-2-羟基乙酯-甲基丙烯酸 共聚物、丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-甲基丙烯酸-2-羟基乙酯-丙烯 酸共聚物、丙烯酸丁酯-丙烯腈-甲基丙烯酸-2-羟基乙酯共聚物、丙烯酸 丁酯-丙烯腈-丙烯酸共聚物、丙烯酸乙酯-丙烯腈-N,N-二甲基丙烯酰胺 共聚物等，可使用其中的1种或组合使用2种以上。其中，优选丙烯 酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸乙酯-丙烯腈-N,N-二甲基丙 烯酰胺共聚物。

另外，苯氧树脂的骨架没有特别限定，例如可以举出：双酚A型、 双酚F型、联苯酚型和联苯型等。另外，苯氧树脂优选吸水率低，优 选吸水率为2％以下，更优选为1％以下。另外，对苯氧树脂的环氧当 量没有特别限定，环氧当量越大，越能够控制粘接膜的固化性而不会 作为热固型树脂成分发挥作用，不会成为弊端，因而优选，具体而言， 环氧当量优选为3000g/eq以上，更优选为5000g/eq以上。

另外，作为聚酰亚胺树脂，只要是重复单元中具有酰亚胺键的树 脂就没有特别限定，例如可以举出：使二胺与酸二酐反应，将所得到 的聚酰胺酸加热、脱水闭环而得到的树脂。

作为二胺，没有特别限定，例如可以举出：3,3'-二甲基-4,4'-二氨基 联苯、4,6-二甲基-间苯二胺、2,5-二甲基-对苯二胺等芳香族二胺、1,3- 双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷等硅氧烷二胺，可使用其中的1 种或组合使用2种以上。

另外，作为酸二酐，例如可以举出：3,3'、4,4'-联苯四羧酸、均苯 四酸二酐、4,4'-氧基二邻苯二甲酸二酐等，可使用其中的1种或组合使 用2种以上。

作为聚酰亚胺树脂，可以为可溶于溶剂的树脂，也可以为不溶于 溶剂的树脂，从与其它成分(固化型树脂成分)混合时的清漆化容易、 操作性优异的观点考虑，优选可溶于溶剂的树脂。特别是从可溶解于 各种有机溶剂的观点考虑，优选使用硅氧烷改性聚酰亚胺树脂。

成膜性树脂的重均分子量没有特别限定，优选为8,000～1,000,000 左右，更优选为8,500～950,000左右，进一步优选为9,000～900,000 左右。成膜性树脂的重均分子量为上述范围时，能够提高成膜性，并 且能够抑制固化前的上述粘接膜的流动性。

其中，成膜性树脂的重均分子量例如可以通过GPC(凝胶渗透色 谱)测定。

另外，作为成膜性树脂成分，可使用其本身的市售品，也可以在 不破坏本发明的效果的范围内使用配合了增塑剂、稳定剂、无机填料、 防静电剂、低应力剂、抗氧化剂、流平剂或颜料等各种添加剂的成膜 性树脂成分。

另外，上述树脂组合物中，上述成膜性树脂成分的配合量可以对 应于所使用的固化型树脂组合物的形态适当设定。

例如，在上述树脂组合物中，成膜性树脂成分的配合量优选为0.1 重量％以上，更优选为3重量％以上，进一步优选为5重量％以上。另 外，优选为50重量％以下，更优选为35重量％以下，进一步优选为 20重量％以下。成膜性树脂成分的配合量在上述范围内时，能够抑制 熔融前的树脂组合物的流动性，粘接膜容易操作。

(iii)具有助焊功能的化合物

上述树脂组合物优选除了含有上述固化型树脂成分以外，还含有 具有助焊功能的化合物。具有助焊功能的化合物具有将形成在端子等 的表面的金属氧化膜除去的作用。因此，树脂组合物中含有这样的化 合物时，如后述的半导体装置的制造方法所详细说明的那样，即使在 端子等的表面中的低熔点的金属的表面形成有氧化膜，也可以通过该 化合物的作用可靠地除去氧化膜。其结果，在使上述电子部件和上述 电路部件电连接的接合工序中，低熔点的金属组合物的湿润性提高， 由此，在上述第一端子和上述第二端子之间湿润扩展成宽的范围，在 宽范围接合，因而能够使上述第一端子和上述第二端子可靠地电连接。 由此，接合部的可靠性提高，在温度循环试验等中也显示令人满意的 结果，能够提高制造半导体装置时的成品率。

作为这样的具有助焊功能的化合物，没有特别限定，例如优选使 用具有酚羟基和/或羧基的化合物。

作为具有酚羟基的化合物，例如可以举出：苯酚、邻甲酚、2,6- 二甲苯酚、对甲酚、间甲酚、邻乙基苯酚、2,4-二甲苯酚、2,5-二甲苯 酚、间乙基苯酚、2,3-二甲苯酚、2,4,6-三甲基苯酚(mesitol)、3,5-二 甲苯酚、对叔丁基苯酚、儿茶酚、对叔戊基苯酚、间苯二酚、对辛基 苯酚、对苯基苯酚、双酚F、双酚A、联苯酚、二烯丙基双酚F、二烯 丙基双酚A、三苯酚、四苯酚等含有酚羟基的单体类、苯酚酚醛清漆 树脂、邻甲酚酚醛清漆树脂、双酚F酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆 树脂等含有酚羟基的树脂等，可使用其中的1种或组合使用2种以上。

另外，作为具有羧基的化合物，例如可以举出：脂肪族酸酐、脂 环式酸酐、芳香族酸酐、脂肪族羧酸、芳香族羧酸等。作为上述脂肪 族酸酐，可以举出琥珀酸酐、聚己二酸酐、聚壬二酸酐、聚癸二酸酐 等。作为上述脂环族酸酐，可以举出甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基六 氢邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二 甲酸酐、三烷基四氢邻苯二甲酸酐、甲基环己烯二羧酸酐等。作为上 述芳香族酸酐，可以举出邻苯二甲酸酐、偏苯三酸酐、苯均四酸酐、 二苯甲酮四羧酸酐、双偏苯三甲酸乙二醇酯、三偏苯三甲酸甘油酯等， 可使用其中的1种或组合使用2种以上。

作为脂肪族羧酸，没有特别限定，例如可以举出：甲酸、乙酸、 丙酸、丁酸、戊酸、特戊酸、己酸、辛酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈 酸、硬脂酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、油酸、富马酸、马来酸、 草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、癸二酸、十二烷二酸、庚 二酸等，可使用其中的1种或组合使用2种以上。其中，优选使用下 述式(1)所示的脂肪族羧酸，其中，更优选使用己二酸、癸二酸、十 二烷二酸。

HOOC—(CH₂)_n—COOH   (1)

(式(1)中，n为1～20的整数。)

芳香族羧酸的结构没有特别限定，优选下述式(2)或下述式(3) 所示的化合物。

[式中，R¹～R⁵分别独立地为1价的有机基团，R¹～R⁵的至少一个 为羟基。]

[式中，R⁶～R²⁰分别独立地为1价的有机基团，R⁶～R²⁰的至少一 个为羟基或羧基。]

作为这样的芳香族羧酸，例如可以举出：苯甲酸、邻苯二甲酸、 间苯二甲酸、对苯二甲酸、连苯三酸、偏苯三酸、均苯三酸、偏苯四 酸、连苯四酸、均苯四酸、苯六甲酸、二甲苯酸、2,3-二甲基苯甲酸 (hemellitic acid)、均三甲苯酸、2,3,4-连三甲苯酸、甲苯甲酸、肉桂酸、 2-羟基苯甲酸、3-羟基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、2,3-二羟基苯甲酸、2,4- 二羟基苯甲酸、龙胆酸(2,5-二羟基苯甲酸)、2,6-二羟基苯甲酸、3,5- 二羟基苯甲酸、没食子酸(3,4,5-三羟基苯甲酸)等苯甲酸衍生物、1,4- 二羟基-2-萘甲酸、3,5-二羟基-2-萘甲酸、3,5-二羟基-2-萘甲酸等萘甲酸 衍生物、还原酚酞、双酚酸等，可使用其中的1种或组合使用2种以 上。

作为这样的具有助焊功能的化合物，更优选使用具有酚羟基和/或 羧基、且进一步含有苯醚基的化合物。作为含有酚羟基和/或羧基、以 及苯醚基的化合物，例如可以举出：2-苯氧基苯酚、3-苯氧基苯酚、4- 苯氧基苯酚、2-(4-羟基苯氧基)苯酚、3-(4-羟基苯氧基)苯酚、4- (4-羟基苯氧基)苯酚、3-羟基呫吨-9-酮、5-硝基荧光素、6-硝基荧光 素、9-苯基呫吨-9-醇、2,6,7-三羟基-9-苯基-3-异呫吨酮、1,3-双(4-羟 基苯氧基)苯、1,4-双(3-羟基苯氧基)苯、4,4'-二羟基二苯醚、2,2'- 二羟基二苯醚、荧光素等含有酚羟基和苯醚基的化合物；2-苯氧基苯甲 酸、3-苯氧基苯甲酸、4-苯氧基苯甲酸、2-(4-羧基苯氧基)苯甲酸、 3-(4-羧基苯氧基)苯甲酸、4-(4-羧基苯氧基)苯甲酸、2-(9-氧代 呫吨-2-基)丙酸、呫吨-9-羧酸、3,5-双(4-氨基苯氧基)苯甲酸、4,4'- 氧基双苯甲酸等含有羧基和苯醚基的化合物；2-(4-羟基苯氧基)苯甲 酸、3-(4-羟基苯氧基)苯甲酸、4-(4-羟基苯氧基)苯甲酸、二氢荧 光素、DL-甲状腺氨酸等含有酚羟基、羧基和苯醚基的化合物，可使用 其中的1种或组合使用2种以上。优选含有羧基和苯醚基的化合物， 更优选含有酚羟基、羧基和苯醚基的化合物。

这样的具有助焊功能的化合物优选表现助焊作用、并且具有作为 使固化型树脂成分固化的固化剂的功能、即具有可与固化型树脂成分 反应的官能团的化合物。

这样的官能团可根据固化型树脂成分的种类适当选择，例如在固 化型树脂成分为环氧树脂的情况下，可以举出如羧基、羟基、氨基之 类的可与环氧基反应的官能团。这样的具有助焊功能的化合物，能够 在固化型树脂组合物熔融时将在低熔点的金属组合物表面形成的氧化 膜除去，提高这些表面的湿润性，容易形成连接部81，将上述第一端 子和上述第二端子电连接。并且，通过连接部完成端子间电连接后， 该化合物作为固化剂发挥作用，附加于固化型树脂成分而发挥提高树 脂的弹性模量或Tg的功能。因此，在使用这样的具有助焊功能的化合 物作为助焊剂，不需要助焊剂清洗，并且粘附可靠地抑制或防止因助 焊剂残留而引起发生离子迁移等。

作为具备这样的作用的具有助焊(flux)功能的化合物，可以举出 具有至少1个羧基的化合物。例如在固化型树脂成分为环氧树脂的情 况下，可以举出脂肪族二羧酸、以及具有羧基和酚羟基的化合物等。

作为上述脂肪族二羧酸，没有特别限定，可以举出在脂肪族烃基 上键合有2个羧基的化合物。上述脂肪族烃基可以为饱和或不饱和的 非环式烃基，也可以为饱和或不饱和的环式烃基。另外，在脂肪族烃 基为非环式的情况下，可以为直链状，也可以为支链状。

作为这样的脂肪族二羧酸，例如可以举出上述式(1)中n为1～ 20的整数的化合物。上述式(1)中的n在上述范围内时，助焊活性、 粘接时的逸出气体以及固化型树脂组合物的固化后的弹性模量和玻璃 化转变温度的平衡良好。特别是从抑制固化型树脂组合物的固化后的 弹性模量的增加、提供与内插件30等被粘接物的粘接性的观点考虑， n优选为3以上，从抑制弹性模量的降低、且进一步提高连接可靠性的 观点考虑，n优选为10以下。

另外，作为上述式(1)所示的脂肪族二羧酸，可以举出戊二酸、 己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一烷二酸、十二烷二 酸、十三烷二酸、十四烷二酸、十五烷二酸、十八烷二酸、十九烷二 酸、二十烷二酸等。其中，优选己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二 酸，更优选癸二酸。

另外，作为具有羧基和酚羟基的化合物，可以举出：2-羟基苯甲酸、 3-羟基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、2,3-二羟基苯甲酸、2,4-二羟基苯甲酸、 龙胆酸(2,5-二羟基苯甲酸)、2,6-二羟基苯甲酸、3,4-二羟基苯甲酸、 没食子酸(3,4,5-三羟基苯甲酸)等苯甲酸衍生物、1,4-二羟基-2-萘甲 酸、3,5-二羟基-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物、还原酚酞、双酚酸等。其中， 优选还原酚酞、龙胆酸、2,4-二羟基苯甲酸、2,6-二羟基苯甲酸，更优 选还原酚酞、龙胆酸。

如上所述的具有助焊功能的化合物可单独使用1种，也可以并用2 种以上。

另外，由于任一化合物均易吸湿、成为产生空隙(void)的原因， 因此，在本发明中，优选在使用前预先使其干燥。

具有助焊功能的化合物的含量可以根据所使用的树脂组合物的形 态适当设定。

这样的具有助焊功能的化合物的含量，相对于上述树脂组合物的 总重量，优选为1重量％以上，更优选为3重量％以上，特别优选为5 重量％以上。并且，优选为50重量％以下，更优选为40重量％以下， 进一步优选为30重量％以下，特别优选25重量％以下。

具有助焊功能的化合物的含量在上述范围内时，能够将在低熔点 的金属组合物等的表面等形成的氧化膜可靠地除去，由此能够使上述 电子部件和上述电路部件可靠地电接合。并且，在具有助焊功能的化 合物为能够与固化型树脂成分反应的化合物的情况下，在固化时能够 有效地附加于固化型树脂成分而提高固化型树脂组合物的弹性模量或 Tg。并且，能够抑制因未反应的具有助焊功能的化合物而引起的离子 迁移的发生。由此，接合部中的可靠性提高，在温度循环试验等中也 可实现高可靠性，能够提高制造半导体装置时的成品率。

(iv)固化剂

作为固化剂，没有特别限定，例如可以举出：酚类、胺类、硫醇 类等。这样的固化剂可根据固化型树脂成分的种类等适当选择。例如 在使用环氧树脂作为固化型树脂成分的情况下，从可得到与环氧树脂 的良好的反应性、固化时的低尺寸变化以及固化后的适当的物性(例 如耐热性、耐湿性等)的方面考虑，优选使用酚类作为固化剂，从固 化型树脂成分的固化后的物性优异的观点考虑，更优选使用2官能以 上的酚类。并且，这样的固化剂可以单独使用1种，也可以并用2种 以上。

作为酚类，例如可以举出：双酚A、四甲基双酚A、二烯丙基双 酚A、联苯酚、双酚F、二烯丙基双酚F、三苯酚、四苯酚、苯酚酚醛 清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂等，可以使用其中的1种或组合使用2 种以上。其中，从熔融粘度、与环氧树脂的反应性良好、固化后的物 性优异的观点考虑，优选苯酚酚醛清漆树脂和甲酚酚醛清漆树脂。

另外，固化型树脂组合物中，上述固化剂的配合量，可以根据所 使用的固化型树脂成分和固化剂的种类、以及具有助焊功能的化合物 具有作为固化剂发挥作用的官能团时其官能团的种类和使用量，适当 设定。

例如在使用环氧树脂作为固化型树脂的情况下，固化剂的含量相 对于上述树脂组合物的总重量优选为0.1～50重量％左右，更优选为 2～40重量％左右，进一步优选为4～40重量％左右，特别优选为8～ 30重量％。固化剂的含量在上述范围内时，能够充分确保端子间形成 的连接部的电连接强度和机械性粘接强度。

(v)固化促进剂

另外，如上所述，上述树脂组合物可以进一步添加固化促进剂。 由此，能够使上述树脂组合物可靠且容易地固化。

作为固化促进剂，没有特别限定，例如可以举出：咪唑、2-甲基咪 唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲 基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-苄基 -2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、 1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羟 基二甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟甲基咪唑等咪唑化合物、1-氰基乙 基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸盐、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸 盐、2,4-二氨基-6-[2'-甲基咪唑基(1')]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2'- 十一烷基咪唑基(1')]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2'-乙基-4-甲基咪唑 基(1')]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2'-甲基咪唑基(1')]-乙基-s-三 嗪的三聚异氰酸加合物、2-苯基咪唑的三聚异氰酸加合物、2-甲基咪唑 的三聚异氰酸加合物、1,8-二氮杂双环(5,4,0)十一碳烯等胺系固化剂、 三苯基膦或四取代鏻与多官能酚化合物的盐等的磷系固化促进剂，可 使用其中的1种或组合使用2种以上。另外，其中，优选兼备膜状的 树脂层的固化性、保存性、对于半导体元件上的金属电极的耐腐蚀性 的咪唑化合物、磷系固化促进剂。

另外，树脂组合物中，上述固化促进剂的配合量可以根据所使用 的固化促进剂的种类适当设定。

例如在使用咪唑化合物的情况下，咪唑化合物的配合量在上述树 脂组合物中优选为0.001重量％以上，更优选为0.003重量％以上，进 一步优选为0.005重量％以上。另外，优选为1.0重量％以下，更优选 为0.7重量％以下，进一步优选为0.5重量％以下。咪唑化合物的配合 量低于上述下限时，因所使用的固化促进剂的种类，有时显示出无法 充分地发挥作为固化促进剂的作用、固化型树脂组合物无法充分固化 的倾向。另外，咪唑化合物的配合量超过上述上限时，熔融状态的低 熔点的金属组合物无法在固化型树脂组合物的固化完成前发挥充分的 湿润性，电连接有可能不充分。

(vi)硅烷偶联剂

另外，如上所述，上述树脂组合物可以进一步添加硅烷偶联剂。

作为硅烷偶联剂，没有特别限定，例如可以举出：环氧硅烷偶联 剂、含芳香族的氨基硅烷偶联剂等。通过添加这样的硅烷偶联剂，能 够提高粘接膜与被粘物的密合性，特别是与内插件等的密合性。

另外，这样的硅烷偶联剂可以单独使用1种，也可以并用使用2 种以上。

另外，固化型树脂组合物中，上述硅烷偶联剂的配合量可以根据 上述被粘物和固化型树脂成分等的种类适当设定。例如在上述树脂组 合物中优选为0.01重量％以上，更优选为0.05重量％以上，进一步优 选为0.1重量％以上。并且，优选为2重量％以下，更优选为1.5重量％ 以下，进一步优选为1重量％以下。

(vii)填充材料

另外，上述树脂组合物含有填充材料。由此能够对粘接膜赋予各 种物性、或实现可靠性的提高。作为填充材料，可以举出橡胶颗粒等 由有机材料得到的填充材料、或二氧化硅等无机填充材料，从提高可 靠性的观点考虑，优选无机填充材料。通过含有无机填充材料，能够 降低密封层的线膨胀系数，由此能够提高可靠性。

无机填充材料没有特别限定，例如可以举出：银、氧化钛、二氧 化硅、云母、氧化铝等，也可以包含它们的多种。如上所述，无机填 充材料可从多种中选择，从成本等观点考虑，优选使用二氧化硅。另 外，从热传导性等观点考虑，也可以使用氧化铝、氮化铝、氧化钛、 氮化硅、氮化硼等。作为二氧化硅的形状，有破碎二氧化硅和球状二 氧化硅，优选球状二氧化硅。

上述无机填充材料的平均粒径没有特别限定，优选为0.01μm以上 0.5μm以下，更优选为0.05μm以上0.3μm以下。通过为上述范围，并 进一步调节填充材料的种类、填充材料的含量、树脂清漆的调整条件、 膜的树脂组合物、成膜条件和膜的膜厚等，能够使粘接膜的表面粗糙 度处于优选的范围，能够进一步提高粘接膜的透明性。并且，能够抑 制粘接膜中的凝聚，提高外观。

上述填充材料的含量相对于上述树脂组合物为10重量％以上70 重量％以下，优选为20重量％以上65重量％以下，更优选为30重量％ 以上60重量％以下，进一步优选为30重量％以上50重量％以下。通 过为上述范围，并进一步调节填充材料的种类、填充材料的平均粒径、 树脂清漆的调整条件、膜的树脂组合物、成膜条件和膜的膜厚等，可 能够使粘接膜的表面粗糙度处于优选的范围，能够进一步提高粘接膜 的透明性。并且，能够抑制粘接膜中的凝聚，提高外观。另外，通过 为上述范围，固化后的密封层与被粘物之间的线膨胀系数差减小，能 够降低热冲击时产生的应力，进一步提高与被粘物的密合。并且，能 够抑制固化后的密封层的弹性模量变得过高，并防止填充材料被卷入 接合部，因此，能够进一步提高半导体装置的可靠性。

另外，上述树脂组合物中，除了上述各成分以外，还可以进一步 配合增塑剂、稳定剂、粘接赋予剂、润滑剂、抗氧化剂、防静电剂、 低应力剂、流平剂和颜料等。另外，也可以与热固化成分一起配合潜 在性固化剂。作为潜在性固化剂，可以举出双氰胺型潜在性固化剂、 胺加合物型潜在性固化剂、有机酸酰肼型潜在性固化剂、芳香族锍盐 型潜在性固化剂、微胶囊型潜在性固化剂、光固化型潜在性固化剂， 其中，通过含有胺加合物型潜在性固化剂等，能够取得上述粘接膜的 保存稳定性和快固化性的平衡。

上述粘接膜例如可以通过如下所述的制造方法制造。

将构成上述粘接膜的树脂组合物溶解于有机溶剂中，将所得到的 清漆涂布在基材等上，之后，以规定温度使其干燥，由此能够得到基 材层和粘接膜的叠层体。上述基材只要能够支承粘接膜并且在使用粘 接膜时能够剥离就没有特别限定，例如可以使用聚酯片或聚乙烯片、 聚丙烯片、聚酰亚胺片、聚苯乙烯片、聚碳酸酯片等。另外，为了适 当地将粘接膜从基材剥离，也可以对表面进行剥离处理。剥离处理可 以举出在表面形成硅脱模剂的方法、或形成醇酸树脂脱模剂的方法等， 但并不限于这些方法。

在此，基材的断裂强度没有特别限定，优选160MPa以上300MPa 以下，更优选180MPa以上280MPa以下。通过在上述下限值以上，能 够防止粘接膜的制造中或使用时意外地断裂，通过在上述下限值以下， 在制造中或使用时可适当地供料，易操作、生产率提高。

上述粘接膜的表面粗糙度Ra为0.03μm以上1.0μm以下，更优选 为0.05μm以上0.8μm以下，进一步优选为0.1μm以上0.5μm以下。通 过在上述上限值以下，上述粘接剂具有充分的透明性，通过在上述下 限值以上，在辨识电子部件的表面时，能够防止漫反射，因而，电子 部件的第一端子的形状、排列等的可见性提高。并且，滑动性提高， 上述粘接膜的操作性提高。

这样的粘接膜的表面粗糙度Ra为算术平均粗糙度，没有特别限定， 可依据JISB0601测定。即，对于测定距离1，设定X轴为测定方向， 设定Y轴为高度方向，通过由市售的表面粗糙度计测得的表面粗糙度 曲线y＝f(x)，使用以下的数学式1进行测定。

$R_a=\frac{1}{l}{\int }_0^l\left|f\left(x\right)\right|dx---\left(1\right)$

市售的表面粗糙度计可以使用东京精密制、表面粗糙度计 SURFCOM1400D。

上述粘接膜的700nm时的透光率优选为15％以上100％以下，更 优选为20％以上100％以下，进一步优选为25％以上100％以下。通过 在上述下限值以上，上述粘接剂具有充分的透明性，通过在上述上限 值以下，在辨识电子部件的表面时，能够防止漫反射，由此，电子部 件的第一端子的形状、排列等的可见性提高。

这样的粘接膜的透光率没有特别限定，例如可依据JISK7375等中 记载的透过率测定，使用市售的分光透光率测定机测定。作为市售的 分光透光率测定机，可使用例如岛津制作所制分光光度计UV-160等。 在此，在波长400nm～900nm下使入射光入射到测定的粘接膜，由透 过的平行光线的比例测定透射率，将其中在700nm时的测定值作为透 光率。

将上述粘接膜的表面粗糙度Ra设为C、上述粘接膜的700nm时的 透光率设为D时，上述表面粗糙度Ra与上述透光率之比[C/D]优选为 1.8×10^-2μm/％以下，更优选为1.1×10^-2μm/％以下，进一步优选为 5.0×10^-4μm/％以上1.0×10^-2μm/％以下。通过在上述上限值以下、或上 述下限值以上，在辨识电子部件的表面时，防止膜表面的漫反射和膜 中的散射，由此电子部件的第一端子的形状、排列等的可见性提高。 并且，滑动性提高，上述粘接膜的操作性提高。

上述粘接膜的最低熔融粘度优选50,000Pa·s以下，更优选 20,000Pa·s以下，进一步优选10,000Pa·s以下。并且，优选为0.01Pa·s 以上，更优选0.05Pa·s以上，进一步优选0.1Pa·s以上。通过在上述上 限值以下，粘接膜的湿润性提高，能够防止在密封材内部残留空隙。 另外，通过在上述下限值以上，能够防止由于上述粘接膜过于流动、 粘接膜从电子部件渗出而造成污染工具等的不良情况。

这样的最低熔融粘度没有特别限定，可使用市售的粘弹性测定装 置、流变仪等测定。其中，优选使用将粘接膜夹持于平行设置的圆形 板之间、以一定条件施加转矩来测定的旋转式流变仪进行测定。通过 采用这样的测定方法，能够测定基于实际将电子部件和电路部件粘接 的工序的条件下的熔融粘度。本发明中，使用粘弹性测定装置(Thermo  Fisher Scientific公司制“MARS”)，在平行板间隙0.05mm、 频率0.1Hz、升温速度10℃/分钟的条件下进行测定，将测得的熔融粘 度达到最小的值作为测定值。

上述树脂组合物的Tg优选80℃以上，更优选100℃以上。通过在 上述优选的范围内，本发明的半导体装置的可靠性进一步提高。另外， 作为上述粘接膜的平均线膨胀系数，α1优选100ppm以下，更优选 75ppm以下，进一步优选50ppm以下。通过在上述优选的范围内，本 发明的半导体装置的可靠性进一步提高。

这样的Tg、α1可通过在假定的固化条件下，例如180℃、2小时 等固化条件下对粘接膜进行处理，使用常用的TMA等进行测定。

粘接膜的厚度可根据所使用的电子部件的种类、电路部件的种类 适当设定。特别优选通过上述电子部件所具有的第一端子和连接部的 设计而适当设定。例如粘接膜的厚度优选为100μm以下，更优选为 80μm以下。并且，优选为3μm以上，更优选为5μm以上。

＜半导体装置的制造方法>

接着，对使用本发明的粘接膜10的半导体装置100的制造方法进 行说明。

[1]叠层工序

[1-1]贴附工序

如图3(a)所示，使粘接膜10与半导体晶片40密合，同时将粘 接膜10和半导体晶片40(多个电子部件20的集合体)叠层。在此， 粘接膜10预先制成与半导体晶片40大致相同的尺寸。另外，半导体 晶片40中，与粘接膜10粘接的面具有凸状的多个第一端子(未图示)。 以覆盖半导体晶片40的第一端子的方式将粘接膜10贴附于半导体晶 片40(图3(a))。

作为将粘接膜10贴附于半导体晶片40的方法，例如可以举出： 利用辊层压机、平板压制机、晶片层压机、弹性体压制机等将粘接膜 10层压于半导体晶片40的方法。其中，为了层压时不卷入空气，优选 在真空下进行层压的方法(真空层压机)。

另外，作为层压的条件，没有特别限定，只要能够无空隙地层压 即可，具体而言，优选以50～150℃加热1秒～120秒的条件，特别优 选以60～120℃加热5～60秒的条件。层压条件在上述范围内时，粘接 性、抑制树脂渗出的效果和树脂的固化度的平衡优异。另外，加压条 件也没有特别限定，优选0.2～2.0MPa，特别优选0.5～1.5MPa。

上述叠层的结果，如图3(b)所示，得到粘接膜10和半导体晶片 40叠层而成的叠层体37。

接着，如图3(c)所示，在半导体晶片40的与粘接有粘接膜的面 相反侧的面，贴附切割膜片50。切割膜片50没有特别限定，可以使用 包含支承膜和粘合剂层的常用的切割膜片。在此，上述粘合剂层，可 以使用丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等由树脂组合物构成的粘合剂， 其中，优选丙烯酸系粘合剂。另外，为了控制粘合性，也可以添加聚 氨酯丙烯酸酯、丙烯酸酯单体等光反应性单体及低聚物、和光聚合引 发剂。另外，上述支承膜没有特别限定，在粘合剂层含有光反应性单 体等的情况下，优选具有放射线透射性。作为支承膜，可使用例如聚 乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等。切割膜片50的贴附可以使用晶片 层压机等。此时，优选同时贴附晶片环51，将半导体晶片固定。晶片 环51一般由不锈钢、铝等各种金属材料等构成，因此，刚性高，能够 可靠地防止叠层体变形。

[2]切割工序

接着，准备未图示的切割台，以切割台与切割膜片50接触的方式 在切割台上载置叠层体。

接下来，如图4(d)所示，使用切割刀52在叠层体上形成多个切 口53(切割)。切割刀52由圆盘状的金刚石刀等构成，通过使其一边 旋转一边抵接于叠层体的半导体晶片40侧的面，形成切口53。然后， 沿着半导体晶片40上形成的电路图案彼此的间隙，使切割刀52相对 地移动，由此半导体晶片40被单片化，成为多个单片化的半导体芯片 20。此时单片化了的半导体芯片20分别具有用于与外部电连接的端子 21。另外，粘接膜10也同样地单片化成多个粘接层。在这样的切割时， 虽然半导体晶片40受到振动或冲击，但由于半导体晶片40的下表面 由切割胶带50支承，因此，能够缓解上述振动或冲击。其结果，能够 可靠地防止半导体晶片40和半导体芯片20的裂纹或缺损等不良情况 的发生。

[3]拾取工序

[3-1]扩展工序

接着，将形成有多个切口53的叠层体37利用未图示的扩展装置 放射状地伸长(扩展)。由此，如图4(e)所示，叠层体上形成的切口 53的宽度扩大，伴随该扩大，单片化了的半导体芯片20彼此之间的间 隔也扩大。其结果，不必担心单片化了的半导体芯片20彼此干扰，拾 取单片化了的各个半导体芯片20变得容易。其中，扩展装置以在后述 工序种也能够维持这样的扩展状态的方式构成。

[3-2]拾取工序

然后，使用未图示的芯片接合机或芯片分拣机(die sorter)将半导 体芯片20中的1个用筒(collet)(芯片吸附部)吸附并且向上方拉起， 得到带有粘接膜10的半导体芯片20(拾取)。此时，可以使用将切割 胶带50从下方向上突起的针状体(needle)等(未图示)。另外，由于 切割胶带50由于紫外线照射或加热而使其粘接性降低，因而在提高拾 取性的情况下，也可以在拾取前进行紫外线的照射或加热处理。

[4]接合工序

[4-1]粘接工序

然后，准备用于搭载(安装)单片化了的半导体芯片(电子部件) 20的内插件(电路部件)30。

该内插件30在与上述粘接膜粘接的面上具有端子(未图示)。

接着，如图4(f)所示，将拾取的半导体芯片20隔着粘接膜载置 在内插件30上。此时，一边将单片化了的半导体芯片(电子部件)20 的第一端子21和内插件(电路部件)30的第二端子31进行对位，一 边隔着粘接膜10进行预压接。

内插件30如图5(a)所示，在基材32上设有配线电路33，具有 电极垫34作为端子。配线电路52除了电极垫34以外还设有绝缘部35。 另外，绝缘部35设有多个对准记号36作为用于对位的图案。

另外，内插件30中，可以使用例如图5(a)所示的电极垫34(凹 部)等的内插件30的规定部位作为对准记号，以代替该对准记号36。

图5(b)例示单片化了的半导体芯片(电子部件)20和粘接膜10 叠层而成的叠层体37的详细情况。单片化了的半导体芯片20的第一 端子21为表面具有低熔点的导电性金属的金属凸块。另外，单片化了 的半导体芯片20设有多个对准记号22作为用于对位的图案。

另外，单片化了的半导体芯片20可以使用例如图5(b)所示的第 一端子21(突起)等的单片化了的半导体芯片20的规定部位作为对准 记号以代替对准记号22。

即，作为用于内插件(电路部件)30和单片化了的半导体芯片(电 子部件)20的对位的图案，并不限于该对位专用的对准记号36、22， 除此之外，也可以举出例如：端子、电极、凸块、配线图案(配线)、 垫部(例如接合垫、电极垫)、切割线等。

通过使内插件30的对准记号36与单片化了的半导体芯片20的对 准记号22从内插件30或单片化了的半导体芯片20的厚度方向看一致， 由此进行单片化了的半导体芯片20与内插件30的对位。然后，将内 插件30和单片化了的半导体芯片20隔着粘接膜10预压接，将单片化 了的半导体芯片20固定在内插件30上(图5(c))。作为预压接的方 法，没有特别限定，可以使用压接机、倒装片接合器等实施。预压接 的条件没有特别限定，温度优选40℃～200℃，特别优选60℃～180℃。 另外，时间优选0.1秒～60秒，特别优选1～60秒。另外，压力优选 0.1MPa～2.0MPa，特别优选0.3MPa～1.5MPa。预压接的条件在上述范 围内时，能够将单片化了的半导体芯片20可靠地预压接在内插件30 上。

[4-2]接合工序

接着，将内插件30和半导体芯片20电接合。

内插件30和半导体芯片20的电接合可以通过如下操作进行：将 第一端子21表面的低熔点的金属组合物熔融，与电极垫34焊接，由 此形成电连接的连接部81(图5(d))。

焊接条件也取决于所使用的低熔点的金属组合物的种类，例如在 Sn-Ag的情况下，优选以220～260℃加热5～500秒进行焊接，特别优 选以230～240℃下热10～100秒。

该焊接优选在低熔点的金属组合物熔解后粘接膜10发生固化的条 件下进行。即，焊接优选在使低熔点的金属组合物熔解、但粘接膜10 的固化反应不太进行的条件下实施。由此，能够使连接时的连接部81 的形状形成为连接可靠性优异的稳定的形状。

[4-3]固化工序

接着，对粘接膜10进行加热使其固化，形成密封层80。固化条件 没有特别限定，温度优选130～220℃，特别优选150～200℃。另外， 时间优选30～500分钟，特别优选60～180分钟。并且，也可以在加 压气氛下使粘接膜10固化。作为加压方法，没有特别限定，可以通过 在烘箱中导入空气、氮、氩气等加压流体来进行。上述压力优选 0.1MPa～10MPa，特别优选0.5MPa～5MPa。固化条件在上述范围内时， 能够降低粘接膜10中的空隙。

如上所述，能够得到内插件30和单片化了的半导体芯片20由粘 接膜的固化物形成的密封层80粘接而成的叠层体的固化物38。

[5]凸块形成工序

接着，在母插板上形成用于安装半导体装置100的凸块70(图5 (e))。凸块70只要是具有导电性的金属材料就没有特别限定，优选 导电性和应力缓和性优异的焊料。另外，凸块70的形成方法没有特别 限定，可以通过利用焊剂将焊球连接来形成。

如上所述，在本实施方式中，能够得到如图5(e)所示那样的半 导体装置100，其包括：内插件30和单片化了的半导体芯片20由粘接 膜的固化物形成的密封层80粘接而成的叠层体的固化物38和凸块70。

根据如上所述的方法，不需要另外准备底部填充剂和助溶剂等， 能够进一步提高将半导体芯片20和内插件30电连接而成的半导体装 置100的制造效率。

其中，本实施方式中，按照在半导体晶片40上贴附粘接膜10、进 一步贴附切割膜片50的顺序进行了说明，但也可以以使用预先将切割 膜片50和粘接膜10一体化而成的切割膜片一体型粘接膜，在其上贴 附半导体晶片40这样的实施方式进行。另外，除切割膜片以外，也可 以使用在硅晶片的背磨工序中使用的背磨胶带或背磨胶带兼切割胶带 等半导体制造工序中使用的工序用片上叠层有粘接膜10的一体型粘接 膜。

另外，本实施方式中，将粘接膜10贴附在半导体晶片40上，但 并不限于这样的制造方法，也可以采用将粘接膜10单片化并贴附在预 先单片化了的半导体芯片上，再将粘接膜10的与贴附有半导体芯片的 面相反侧的面预压接于内插件30，然后使其电连接的制造方法。

另外，本实施方式中，将单片化了的半导体芯片20接合于内插件 30，但并不限于这样的制造方法，也可以采用将单片化了的多个半导 体芯片与多个另外的半导体晶片接合，制作在半导体晶片上具有多个 半导体芯片和多个粘接膜的叠层体，切割该半导体晶片实现单片化， 将单片化了的叠层体进一步与内插件等连接而制造半导体装置的制造 方法。

＜切割胶带一体型粘接膜>

接着，对本发明的切割胶带一体型粘接膜进行说明。

本发明的切割胶带一体型粘接膜的特征在于，具有上述本发明的 粘接膜和切割胶带。

图6表示本发明的切割胶带一体型粘接膜的一个方式。图6中， 切割胶带一体型粘接膜210具有在切割胶带213上形成有粘接膜211 的结构。在图6所示的方式中，切割胶带213由切割胶带的基材层213a 和切割胶带的粘合层213b这两层构成，以切割胶带的粘合层213b与 粘接膜211相接的方式叠层。

本发明的切割胶带一体型粘接膜的形态并不限于图6所示的形态， 例如也可以为切割胶带的粘合层213b与粘接膜211之间具有介设层的 形态。此时，优选切割胶带的粘合层的粘合性比介设层高。由此，切 割胶带的粘合层与介设层和基材层的密合力大于介设层与粘接膜211 的密合力。因此，在电子部件的制造工序中，例如在半导体芯片拾取 工序之类的电子部件的制造工序中，能够在应发生剥离的期望的界面 (即介设层与粘接膜的界面)发生剥离。

＜切割胶带>

本发明的切割胶带一体型粘接膜所使用的切割胶带也可以使用常 用的任意的切割胶带。

作为切割胶带的基材层213a的构成材料，没有特别限定，例如可 以举出：聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚氯乙 烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、 聚氨酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚 物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、乙烯基聚异戊二烯、 聚碳酸酯、聚烯烃等，可以使用其中的1种或2种以上的混合物。

切割胶带的基材层213a的平均厚度没有特别限定，优选为5μm～ 200μm，更优选为30μm～150μm左右。由此，基材层具有适度的刚性， 因此，能够可靠地支承粘接膜，容易进行切割胶带一体型粘接膜的处 理，并且通过切割胶带一体型粘接膜适度弯曲，能够提高粘接膜和具 有电极的被粘物的密合性。

作为切割胶带的基材层213a的制法，没有特别限定，可以采用压 延法、挤出成形法等一般的成形方法。优选与构成粘合层213b的材料 反应的官能团、例如羟基或氨基等在基材层213a的表面露出。另外， 为了提高基材层213a和粘合层213b的密合性，优选对基材层213a的 表面预先进行电晕处理或通过锚涂等进行表面处理。

另外，作为切割胶带的粘合层213b的构成材料，没有特别限定， 例如可以使用由包括丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等的树脂组合物 构成的材料。

作为丙烯酸系粘合剂，例如可以使用由(甲基)丙烯酸以及它们 的酯构成的树脂、(甲基)丙烯酸以及它们的酯和能够与它们共聚的不 饱和单体(例如乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等)的共聚物等。另外， 这些共聚物也可以混合2种以上。

其中，优选选自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、 和(甲基)丙烯酸丁酯中的1种以上、与选自(甲基)丙烯酸羟基乙 酯和乙酸乙烯酯中的1种以上的共聚物。由此，与切割胶带的粘合层 所粘合的对象(例如上述介设层、基材层等)的密合性或粘合性的控 制变得容易。

上述切割胶带的粘合层213b的平均厚度没有特别限定，优选为 1μm～100μm左右，特别是更优选为3μm～20μm左右。切割胶带的粘 合层213b的平均厚度在上述范围内时，能够确保切割胶带的粘合层 213b的形状追随性，能够进一步提高与半导体晶片等粘接膜的被粘物 的密合性。

作为上述切割胶带的制造方法，没有特别限定，例如可以通过利 用棒涂法、模涂法、凹版涂布法等在切割胶带的基材层213a上涂布粘 合层213b来制造。另外，也可以在粘合层213b另外涂布在粘合层213b 用基材上后，层压到切割胶带的基材层213a上等的方法进行转印来制 造。

在设置介设层的情况下，可以在上述粘合层213b上进一步涂布介 设层，也可以通过将介设层另外涂布到介设层用基材上并进行层压等 的方法来制造。

另外，本发明的切割胶带一体型粘接膜例如可以通过将基材层 213a、粘合层213b、以及具有介设层的切割胶带和本发明的粘接膜， 以上述介设层和粘接膜相接的方式进行层压而得到。

＜背磨胶带一体型粘接膜>

接着，对本发明的背磨胶带一体型粘接膜进行说明。本发明的背 磨胶带一体型粘接膜的特征在于，具有上述本发明的粘接膜和背磨胶 带。

上述背磨胶带没有特别限定，可以举出在基材的单面形成有粘合 剂层的背磨胶带。作为上述基材，没有特别限定，例如可以举出：由 聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯- 乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等树脂构成的基材。

作为形成上述粘合剂层的粘接剂，没有特别限定，优选由含有聚 合性低聚物且通过将其聚合交联而使粘合力降低的粘合剂构成。作为 这样的粘接剂，例如可以举出含有分子内具有放射线聚合性不饱和键 的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物、和放射 线聚合性的多官能低聚物或单体作为主要成分的光固化型粘合剂等。

上述聚合性聚合物例如可以通过预先合成分子内具有官能团的 (甲基)丙烯酸系聚合物，与分子内具有与上述官能团反应的官能团 和放射线聚合性不饱和键的化合物反应而得到。其中，本说明书中，(甲 基)丙烯酸系聚合物意味着丙烯酸系聚合物和甲基丙烯酸系聚合物。

上述光固化型粘合剂除了上述聚合性聚合物和上述多官能低聚物 或单体以外，优选配合光聚合引发剂。由此，通过照射紫外线等活性 光线，能够使粘合剂层与粘接膜层的界面的密合力可靠地降低，因此， 能够将背磨胶带可靠地剥离而不会在粘接膜上残留粘合剂层的残渣。

作为上述背磨胶带的制造方法，没有特别限定，例如可通过利用 棒涂法、模涂法、凹版涂布法等在背磨胶带的基材层上涂布粘合剂层 来制造。另外，粘合剂层也可以通过在另外涂布在粘合剂层形成用基 材上后，层压到背磨胶带的基材层上等的方法进行转印来制造。

通过在如上制作的背磨胶带上层压上述粘接膜，能够制作背磨胶 带一体型粘接膜。

＜背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜>

接着，对本发明的背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜进行说明。

本发明的背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜300，如图7所示，由 背磨胶带兼切割胶带301和粘接膜302构成。虽然未图示，但可以在 背磨胶带兼切割胶带301与粘接膜302之间设置脱模膜。由此，背磨 胶带兼切割胶带301与粘接膜302之间的剥离变得容易，能够提高切 割半导体晶片后的半导体元件的拾取性。

另外，作为背磨胶带兼切割胶带301，只要是由例如聚乙烯、聚丙 烯等聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酯、聚酰亚胺、聚对苯二甲 酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚酰胺、聚氨酯等制作的耐热性或耐化学药 品性优异的膜就可使用。背磨胶带兼切割胶带1的厚度没有特别限定， 通常优选30μm～500μm。

接着，对本发明的背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜300的制造 方法简单地进行说明。

粘接膜302通过上述＜粘接膜>中所述的方法制作。将其切半，由 此得到圆形的粘接膜302。

然后，在其上叠层背磨胶带兼切割胶带301，由此得到由背磨胶带 兼切割胶带301、粘接膜302、剥离基材321构成的具备背磨胶带功能 和具备切割胶带功能的粘接膜300(图8)。

如上所述形成的背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜300的粘接膜 302的厚度没有特别限定，优选3μm以上100μm以下，特别是进一步 优选5μm以上50μm以下。厚度低于上述下限值时，有时作为背磨胶 带兼切割胶带一体型粘接膜300的效果下降，超过上述上限值时，有 时制品的制造困难、厚度精度降低。

(半导体装置的制造方法和半导体装置)

接着，对半导体装置的制造方法进行说明。

将通过上述方法得到的背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜300的 剥离基材321剥离，以粘接膜302和半导体晶片303的功能面331接 触的方式粘接(图9)。

接着，将背磨胶带兼切割胶带301的上侧的面(图10中的上侧) 固定于研磨装置的研磨台304上。研磨装置没有特别限定，可以使用 市售品。在此，进行背面研磨后的半导体晶片303的厚度没有特别限 定，优选为10μm～300μm左右，更优选为10μm以上100μm以下。

接着，将背面研磨后的半导体用晶片303以背磨胶带兼切割胶带 301与切割台305的上表面(图11中的上侧)接触的方式设置在切割 台305上(图11)。接着，在半导体晶片303的周围设置晶片环306， 将半导体晶片303固定。然后，用刀307将半导体晶片303切断，将 半导体晶片303单片化而得到具有粘接膜302的半导体元件。此时， 背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜300具有缓冲作用，防止将半导体 晶片303切断时半导体元件的裂纹、缺损等。另外，也可以预先在背 磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜300上贴合半导体晶片303和晶片环 306，之后设置在切割台305上。

接着，利用扩展装置使背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜300伸 展，使具有单片化了的粘接膜302的半导体元件彼此隔开一定间隔， 然后拾取并搭载在基板上，得到半导体装置。

如上所述，本发明的背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜具有背磨 胶带功能和切割胶带功能，并且粘接膜具有助焊活性，因此，具有可 省略助焊剂涂布工序等的功能等。因此，不需要助焊剂清洗工序，生 产率优异，并且能够提高半导体晶片的操作性。

实施例

以下基于实施例和比较例详细地说明本发明，但本发明并不限定 于此。

[粘接膜的制作]

(实施例1)

＜粘接膜的制作>

将甲酚酚醛清漆树脂(DIC公司制、KA-1160)14.26重量份、双 酚F型环氧树脂(DIC公司制、EXA-830LVP)39.73重量份、具有助 焊活性的化合物偏苯三酸(东京化成工业株式会社制)10.50重量份、 作为成膜性树脂的苯氧树脂(三菱化学株式会社制、YX-6954)5.07 重量份、作为固化促进剂的2-苯基-4-甲基咪唑(四国化成工业株式会 社制、2P4MZ)0.09重量份、作为硅烷偶联剂的3-环氧丙氧基丙基三 甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、KBM-403)0.35重量份和二 氧化硅填料(Admatechs公司制、SC1050、平均粒径0.25μm)30.00 重量份溶解、分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜A)。

(实施例2)

＜粘接膜的制作>

将联苯芳烷基型酚醛树脂(明和化成株式会社制、MEH-7851)25.15 重量份、双酚F型环氧树脂(DIC公司制、EXA-830LVP)32.10重量 份、具有助焊活性的化合物偏苯三酸(东京化成工业株式会社制)8.60 重量份、作为成膜性树脂的苯氧树脂(三菱化学株式会社制、YX-6954) 3.90重量份、作为固化促进剂的2-苯基-4-甲基咪唑(四国化成工业株 式会社制、2P4MZ)0.05重量份、作为硅烷偶联剂的3-环氧丙氧基丙 基三甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、KBM-403)0.20重量份、 二氧化硅填料(日本AEROSIL株式会社制、AEROSIL 200)5.00重量 份和二氧化硅填料(Admatechs公司制、YA050C平均粒径0.05μm) 25.00重量份溶解、分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清 漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜B)。

(实施例3)

＜粘接膜的制作>

将苯酚芳烷基树脂(三井化学株式会社制XLC-4L)10.20重量份、 双酚A型环氧树脂(DIC公司制、EPICLON 840-S)22.00重量份、具 有助焊活性的化合物还原酚酞(东京化成工业株式会社制)8.20重量 份、作为成膜性树脂的含环氧基的丙烯酸酯共聚物(Nagase ChemteX  Corporation制、SG-P3)9.30重量份、作为固化促进剂的2-甲基咪唑(四 国化成工业株式会社制、2MZ-H)0.05重量份、作为硅烷偶联剂的3- 甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、KBE-503) 0.25重量份和二氧化硅填料(Admatechs公司制、SC1050平均粒径 0.25μm)50.00重量份溶解、分散于甲基乙基酮中，制作树脂浓度50％ 的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜C)。

(实施例4)

＜粘接膜的制作>

将双酚F型环氧树脂(DIC公司制、EXA-830LVP)19.90重量份、 三(羟基苯基)甲烷型环氧树脂(三菱化学株式会社制、jER1032H60) 19.00重量份、具有助焊活性的化合物偏苯三酸(东京化成工业株式会 社制)16.30重量份、作为成膜性树脂的苯氧树脂(新日铁化学株式会 社制、FX-280S)27.80重量份、作为固化促进剂的微胶囊型固化剂(旭 化成E-materials公司制、Novacure HX-3941HP)6.50重量份、作为硅 烷偶联剂的3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷(信越化学工业株式会 社制、KBE-503)0.50重量份和二氧化硅填料(Admatechs公司制、 SC1050平均粒径0.25μm)10.00重量份溶解、分散于甲基乙基酮中， 制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜D)。

(实施例5)

＜粘接膜的制作>

将苯酚酚醛清漆树脂(住友电木株式会社制、PR-55617)5.40重 量份、双酚A型环氧树脂(DIC公司制、EPICLON 840-S)6.10重量 份、三(羟基苯基)甲烷型环氧树脂(三菱化学株式会社制、jER1032H60) 6.10重量份、作为成膜性树脂的含环氧基的丙烯酸酯共聚物(Nagase  ChemteX Corporation制、SG-P3)12.40重量份、作为固化促进剂的微 胶囊型固化剂(旭化成E-materials公司制、Novacure HX-3941HP)4.50 重量份、作为硅烷偶联剂的3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷(信越 化学工业株式会社制、KBE-503)0.50重量份和二氧化硅填料 (Admatechs公司制、SE3050平均粒径1.0μm)65.00重量份溶解、分 散于甲基乙基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜E)。

(实施例6)

＜粘接膜的制作>

将联苯芳烷基型酚醛树脂(明和化成株式会社制、MEH-7851)12.40 重量份、三(羟基苯基)甲烷型环氧树脂(三菱化学株式会社制、 jER1032H60)8.60重量份、具有助焊活性的化合物4-(4-羟基苯氧基) 苯甲酸(东京化成工业株式会社制)7.20重量份、作为成膜性树脂的 含环氧基的丙烯酸酯共聚物(Nagase ChemteX Corporation制、SG-P3) 21.10重量份、作为固化促进剂的三苯基膦(北兴化学工业株式会社制、 TPP)0.20重量份、作为硅烷偶联剂的3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷 (信越化学工业株式会社制、KBM-403)0.50重量份和二氧化硅填料 (Admatechs公司制、YC100C平均粒径0.1μm)50.00重量份溶解、 分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜F)。

(实施例7)

＜粘接膜的制作>

将甲酚酚醛清漆树脂(DIC公司制、KA-1160)7.05重量份、双酚 F型环氧树脂(DIC公司制、EXA-830LVP)16.10重量份、作为具有 助焊活性的化合物的双酚酸(东京化成工业株式会社制)3.00重量份、 作为成膜性树脂的含环氧基的丙烯酸酯共聚物(Nagase ChemteX  Corporation制、SG-80H)3.20重量份、作为固化促进剂的2-苯基-4- 甲基咪唑(四国化成工业株式会社制、“2P4MZ”)0.15重量份、作为 硅烷偶联剂的3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷(信越化学工业株式 会社制、KBE-503)0.50重量份和YA050C(平均粒径0.05μm)70重 量份溶解、分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜G)。

(实施例8)

＜粘接膜的制作>

将苯酚芳烷基树脂(三井化学株式会社制、XLC-4L)9.40重量份、 苯酚酚醛清漆树脂(住友电木株式会社制、PR-55617)9.00重量份、 三(羟基苯基)甲烷型环氧树脂(三菱化学株式会社制、jER1032H60) 9.80重量份、作为成膜性树脂的含环氧基的丙烯酸酯共聚物(Nagase  ChemteX Corporation制、SG-P3)21.10重量份、作为固化促进剂的三 苯基膦(北兴化学工业株式会社制、TPP)0.20重量份、作为硅烷偶联 剂的3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、 KBM-403)0.50重量份和二氧化硅填料(Admatechs公司制、SC2050平 均粒径0.5μm)50.00重量份溶解、分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓 度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜H)。

(实施例9)

＜粘接膜的制作>

将甲酚酚醛清漆树脂(DIC公司制、KA-1160)7.55重量份、酸酐 (三菱化学株式会社制、jER cureYH307)3.75重量份、二环戊二烯型 环氧树脂(DIC公司制、EPICLON HP-7200H)13.30重量份、萘型环 氧树脂(DIC公司制、EPICLON HP-4770)9.95重量份、作为成膜性 树脂的含环氧基的丙烯酸酯共聚物(Nagase ChemteX Corporation制、 SG-80H)9.95重量份、作为固化促进剂的2-甲基咪唑(四国化成工业 株式会社制、2MZ-H)0.10重量份、作为硅烷偶联剂的3-甲基丙烯酰 氧丙基三乙氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、KBE-503)1.00重量 份、二氧化硅填料(Admatechs公司制、SC1050平均粒径0.25μm)50.00 重量份和丙烯酸系橡胶粒子(三菱丽阳株式会社制、Metablen W-450A 平均粒径0.2μm)4.40重量份溶解、分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓 度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜I)。

(实施例10)

＜粘接膜的制作>

将联苯芳烷基型酚醛树脂(明和化成株式会社制MEH-7851)14.20 重量份、双酚A型环氧树脂(DIC公司制、EPICLON840-S)36.40重 量份、二环戊二烯型环氧树脂(DIC公司制、EPICLON HP-7200H)12.50 重量份、作为具有助焊活性的化合物的4-(4-羟基苯氧基)苯甲酸(东 京化成工业株式会社制)10.30重量份、作为成膜性树脂的苯氧树脂(新 日铁住金株式会社制、FX-280S)15.30重量份、作为固化促进剂的三 苯基膦(北兴化学工业株式会社制、TPP)0.30重量份、作为硅烷偶联 剂的3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、 KBE-503)1.00重量份和二氧化硅填料(Admatechs公司制、SE3050平 均粒径1.0μm)10.00重量份溶解、分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓 度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜J)。

(实施例11)

＜粘接膜的制作>

将苯酚芳烷基树脂(三井化学株式会社制、Milex XLC-4L)7.10 重量份、双酚A型环氧树脂(DIC公司制、EPICLON840-S)18.25重 量份、作为具有助焊活性的化合物的还原酚酞(东京化成工业株式会 社制)5.10重量份、作为成膜性树脂的苯氧树脂(三菱化学株式会社 制、YX-6954)3.90重量份、作为固化促进剂的2-甲基咪唑(四国化成 工业株式会社制2MZ-H)0.15重量份、作为硅烷偶联剂的3-甲基丙烯 酰氧丙基三乙氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、KBE-503)0.50 重量份和二氧化硅填料(Admatechs公司制、SC2050平均粒径0.5μm) 65.00重量份溶解、分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清 漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜K)。

(实施例12)

＜粘接膜的制作>

将苯酚酚醛清漆树脂(住友电木株式会社制、PR-55617)11.20重 量份、双酚F型环氧树脂(DIC公司制、EXA-830LVP)27.70重量份、 萘型环氧树脂(DIC公司制、EPICLON HP-4770)8.20重量份、具有 助焊活性的化合物双酚酸(东京化成工业株式会社制)7.30重量份、 作为成膜性树脂的含环氧基的丙烯酸酯共聚物(Nagase ChemteX  Corporation制、SG-80H)14.60重量份、作为固化促进剂的微胶囊型 固化剂(旭化成E-materials公司制、Novacure HX-3941HP)5.00重量 份、作为硅烷偶联剂的3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工 业株式会社制、KBM-403)1.00重量份和二氧化硅填料(Tokuyama公 司制、SS-07平均粒径0.7μm)25.00重量份溶解、分散于甲基乙基酮 中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜L)。

(实施例13)

＜粘接膜的制作>

将甲酚酚醛清漆树脂(DIC公司制、KA-1160)7.13重量份、双酚 F型环氧树脂(DIC公司制、EXA-830LVP)19.86重量份、作为具有 助焊活性的化合物的偏苯三酸(东京化成工业株式会社制)5.25重量 份、作为成膜性树脂的苯氧树脂(三菱化学株式会社制、YX-6954)2.54 重量份、作为固化促进剂的2-苯基-4-甲基咪唑(四国化成工业株式会 社制、2P4MZ)0.04重量份、作为硅烷偶联剂的3-环氧丙氧基丙基三 甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、KBM-403)0.18重量份和二 氧化硅填料(Admatechs公司制、SC1050、平均粒径0.25μm)65.00 重量份溶解、分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜M)。

(比较例1)

＜粘接膜的制作>

将甲酚酚醛清漆树脂(DIC公司制、KA-1160)5.09重量份、双酚 F型环氧树脂(DIC公司制、EXA-830LVP)14.19重量份、具有助焊 活性的化合物偏苯三酸(东京化成工业株式会社制)3.75重量份、作 为成膜性树脂的苯氧树脂(三菱化学株式会社制、YX-6954)1.81重量 份、作为固化促进剂的2-苯基-4-甲基咪唑(四国化成工业株式会社制、 2P4MZ)0.03重量份、作为硅烷偶联剂的3-环氧丙氧基丙基三甲氧基 硅烷(信越化学工业株式会社制、KBM-403)0.13重量份和二氧化硅 填料(Admatechs公司制、SC1050)75.00重量份溶解、分散于甲基乙 基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜N)。

(比较例2)

＜粘接膜的制作>

将甲酚酚醛清漆树脂(DIC公司制、KA-1160)20.37重量份、双 酚F型环氧树脂(DIC公司制、EXA-830LVP)56.76重量份、具有助 焊活性的化合物偏苯三酸(东京化成工业株式会社制)15.00重量份、 作为成膜性树脂的苯氧树脂(三菱化学株式会社制、YX-6954)7.24 重量份、作为固化促进剂的2-苯基-4-甲基咪唑(四国化成工业株式会 社制、2P4MZ)0.13重量份和作为硅烷偶联剂的3-环氧丙氧基丙基三 甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、KBM-403)0.50重量份溶解、 分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜O)。

(比较例3)

＜粘接膜的制作>

将苯酚芳烷基树脂(三井化学株式会社制、Milex XLC-4L)22.90 重量份、双酚A型环氧树脂(DIC株式会社制、EPICLON 840-S)43.00 重量份、具有助焊活性的化合物双酚酸(东京化成工业株式会社制) 11.80重量份、作为成膜性树脂的含环氧基的丙烯酸酯共聚物(Nagase  ChemteX Corporation制、SG-P3)10.70重量份、作为固化促进剂的三 苯基膦(北兴化学工业株式会社制、TPP)0.60重量份、作为硅烷偶联 剂的3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、 KBE-503)1.00重量份和二氧化硅填料(日本AEROSIL公司制、 AEROSIL200平均粒径0.012μm)10.00重量份溶解、分散于甲基乙基 酮中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜P)。

(比较例4)

＜粘接膜的制作>

将甲酚酚醛清漆树脂(DIC公司制、KA-1160)5.90重量份、双酚 F型环氧树脂(DIC公司制、EXA-830LVP)17.50重量份、作为成膜 性树脂的含环氧基的丙烯酸酯共聚物(Nagase ChemteX Corporation制、 SG-80H)5.30重量份、作为固化促进剂的2-甲基咪唑(四国化成工业 株式会社制、2MZ-H)0.30重量份、作为硅烷偶联剂的3-甲基丙烯酰 氧丙基三乙氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、KBE-503)1.00重量 份和二氧化硅填料(Admatechs公司制、SE3050平均粒径1.0μm)70.00 重量份溶解、分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜Q)。

(比较例5)

＜粘接膜的制作>

将甲酚酚醛清漆树脂(DIC公司制、KA-1160)20.37重量份、双 酚F型环氧树脂(DIC公司制、EXA-830LVP)56.76重量份、具有助 焊活性的化合物偏苯三酸(东京化成工业株式会社制)15.00重量份、 作为成膜性树脂的苯氧树脂(三菱化学株式会社制、YX-6954)7.24 重量份、作为固化促进剂的2-苯基-4-甲基咪唑(四国化成工业株式会 社制、2P4MZ)0.13重量份和作为硅烷偶联剂的3-环氧丙氧基丙基三 甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制、KBM-403)0.50重量份溶解、 分散于甲基乙基酮中，制备树脂浓度50％的树脂清漆。

将得到的粘接膜用清漆涂布于基材聚酯膜(基体膜、帝人杜邦薄 膜株式会社制、商品名：Purex A53)使厚度达到50μm，以100℃干燥 5分钟，得到厚度25μm的粘接膜(以下，称为膜R)，然后，对得到 的膜的表面实施电晕处理。

[粘接膜的评价]

＜表面粗糙度Ra测定>

对于各实施例和比较例中得到的粘接膜，将粘接膜固定在载玻片 上使粘接膜的基体膜面与载玻片密合，使用东京精密制表面粗糙度计 SURFCOM1400D的探针扫描粘接膜表面，由此测定表面粗糙度Ra。 上述表面粗糙度Ra为依据日本工业标准JIS-B0601测得的算术平均粗 糙度。将结果示于表1、2。

＜透光率测定>

对于各实施例和比较例中得到的粘接膜，使用岛津制作所制分光 光度计UV-160测定700nm时的透光率。将结果示于表1、2。

＜表面粗糙度Ra与透光率之比>

对于各实施例和比较例中得到的粘接膜，将使用东京精密制表面 粗糙度计SURFCOM1400D测得的表面粗糙度Ra设为C、使用岛津制 作所制分光光度计UV-160测得的700nm时的透光率设为D时，求出 表面粗糙度Ra与透光率之比C/D(μm/％)。将结果示于表1、2。

＜熔融粘度测定＞

叠层各实施例和比较例中得到的粘接膜，制作厚度100μm的测定 用样品，使用粘弹性测定装置(Thermo fisher scientific公司制 “MARS”)，在平行板间隙0.05mm、频率0.1Hz、升温速度 10℃/分钟的条件下测定熔融粘度，将成为最低的熔融粘度作为测定值。 将结果示于表1、2。

＜平均线膨胀系数测定>

将各实施例和比较例中得到的粘接膜以180℃处理2小时，使用宽 4mm、厚度100μm的条状样品测定线膨胀系数。测定条件以拉伸模式、 升温速度10℃/分钟、负荷30mN、夹头间距离10mm进行测定，将作 为α1的25～75℃时的平均线膨胀系数的结果示于表1、2。

＜半导体装置的制造>

对于各实施例和比较例中得到的各粘接膜10，按照以下的方法制 造半导体装置100。首先，准备单面具有多个第一端子的多种硅晶片 A～C，其中，上述第一端子的表面具有作为低熔点导电性金属的由含 有锡、银的合金构成的焊料(直径8英寸、厚度100μm、半导体芯片 尺寸10mm×10mm、第一端子的高度、第一端子的宽度、被覆第一端 子表面的低熔点的金属组合物的组成、金属组合物的宽度、金属组合 物间的距离、第一端子间的距离、每1个半导体芯片的第一端子数等 示于表3)。将预先切成与硅晶片相同尺寸的粘接膜，以与各硅晶片的 具有第一端子的面相接的方式，将粘接膜和硅晶片叠层。使用层压机 将其以贴合温度80℃、压力0.8MPa、2mm/s进行层压，得到粘接膜和 硅晶片的叠层体37。

接着，使用层压机，将切割胶带贴合在各硅晶片的与贴合粘接膜 的面相反的面上。此时，以贴合温度25℃、压力0.8MPa、2mm/s将粘 接膜与硅晶片的叠层体和切割胶带贴合。

接着，将切割胶带固定于晶片环，叠层在切割机(DFD6360、Disco 公司制)的切割台上，并将硅晶片固定，然后将基材层剥离。接着， 使用切割机，从硅晶片侧以下述条件进行切割(切断)。由此，将硅晶 片单片化，得到以下的切割尺寸的半导体芯片20。

《切割条件》

切割尺寸：10mm×10mm正方形

切割速度：50mm/sec

心轴转速：40,000rpm

切割最大深度：0.130mm(距硅晶片的表面的切入量)

切割刀的厚度：15μm

接着，利用针(needle)使1个半导体芯片从切割胶带一体型粘接 膜的支承膜侧(背面)向上突起，用芯片接合机的夹头吸附向上突起 的半导体芯片的表面并向上方拉起。由此拾取带有粘接膜的半导体芯 片。

接着，使拾取的半导体芯片反转，使铜凸块和粘接膜为下侧。并 且，准备具有与多种半导体芯片的第一端子的排列对应的垫的多种内 插件，一边进行对位使得内插件的垫与各半导体芯片的多个第一端子 接触，一边将半导体芯片以150℃、1秒、1kgf(＝9.8N)的条件贴附 于内插件。

接着，使用倒装片接合器的头对半导体芯片以235℃、5秒、30N 进行热压接，使凸块表面的合金熔融，将半导体芯片和内插件焊接。

然后，以180℃、60分钟、0.8MPa的流体压力(空气压)的气氛 进行加热，使粘接膜固化，得到叠层体的固化物38，该叠层体的固化 物38具有半导体芯片20、内插件30、介于上述半导体芯片20和上述 内插件30之间的粘接膜10的固化物层(密封层)80。得到包含上述 叠层体的固化物38的半导体装置100，该半导体装置100中，上述半 导体芯片20和上述内插件30由上述粘接膜10的固化物密封。

＜连接可靠性>

对于各实施例和比较例的粘接膜、以及使用各硅晶片得到的半导 体装置100各20个，交替暴露于－55℃的条件下30分钟、125℃的条 件下30分钟作为1个循环，进行100个循环的温度循环试验，对于试 验后的半导体装置，利用数字多功能测定仪测定半导体芯片和电路基 板的连接电阻值，评价连接可靠性。将结果示于表4。各符号如下所述。

◎：全部20个半导体装置的连接电阻值低于10Ω。

○：1个以上的半导体装置的连接电阻值为10Ω以上且低于20Ω。

×：1个以上的半导体装置的连接电阻值为20Ω以上。

＜连接部的错位>

对于使用各实施例和比较例的粘接膜得到的半导体装置100，切断 并通过SEM确认连接部20处，观察连接部的错位，进行评价。将结 果示于表4。各符号如下所述。

◎：全部20个连接部无错位。

○：在1个以上3个以下的连接部确认有错位。

×：在4个以上的连接部确认有错位。

[表1]

[表2]

[表3]

[表4]

由实施例、比较例可知，根据本发明，能够提供一种兼备充分的 透明性和焊接部的可靠性、并提高了更窄节距化/窄间隙化的焊接部的 接合性和制造半导体装置时的成品率的粘接膜10，以及焊接部的可靠 性提高了的半导体装置100。

符号说明

10：粘接膜；20：半导体芯片(电子部件)；21：第一端子；22： 对准记号；30：内插件(电路部件)；31：第二端子；32：基板；33： 配线电路；34：电极垫；35：绝缘部；36：对准记号；37：叠层体； 38：叠层体的固化物；40：半导体晶片(多个电子部件20的集合体)； 50：切割膜片；51：晶片环；52：切割刀；53：切口部；70：凸块； 80：密封层(粘接膜的固化物层)；81：连接部；100：半导体装置； 210：切割胶带一体型粘接膜；211：粘接膜；213：切割胶带；213a： 切割胶带的基材层；213b：切割胶带的粘合层；300：半导体用膜；301： 背磨胶带兼切割胶带一体型粘接膜；302：粘接膜；321：剥离基材； 303：半导体晶片；331：功能面；304：研磨台；305：切割台；306： 晶片环；307：刀。