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一种具有垂直取向的磁性纳米反点阵列膜及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种具有垂直取向的磁性纳米反点阵列膜及其制备方法，其制备方法如下：1)采用磁控溅射的方法于衬底上依次沉积CoPt/Ag薄膜；2)对所得衬底/CoPt/Ag薄膜进行热处理，得到具有高度垂直取向的L1

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-15

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C14/35 申请公布日:20150916 申请日:20150428

发明专利申请公布后的驳回
2015-10-14

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20150428

实质审查的生效
2015-09-16

公开

公开

1. 一种具有垂直取向的磁性纳米反点阵列膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN104911555A . 2015-09-16
2. 一种垂直膜面方向具有硬磁性能且在面内方向具有软磁性能的磁性薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN113539607A . 2021-10-22
3. ORDERED ARRAYS OF NANOWIRES OF PHOTOCHROMIC FERROMAGNETS, METHOD OF THEIR PRODUCTION, MEMBRANE TO PRESERVE MAGNETIC INFORMATION AND APPLICATION OF ORDERED ARRAYS OF NANOWIRES OF PHOTOCHROMIC FERROMAGNETS AS LIGHT-SENSITIVE MAGNETIC MEDIA [P] . 俄罗斯专利： RU2445256C2 . 2012-03-20

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4. Method for preparing V2O5 nanowire film having improved alignment and the V2O5 nanowire film prepared therefrom [P] . 韩国专利： KR100974623B1 . 2010-08-09

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