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一种应用于全桥隔离双向DC-DC变换器的归一化相移控制方法

摘要

本发明公开一种应用于全桥隔离双向DC-DC变换器的归一化相移控制方法,设置全桥隔离双向DC-DC变换器的八个开关管脉冲控制信号的占空比为50%;设置每个桥臂的开关管的控制信号互反;以输入侧全桥拓扑的第一个桥臂上管的控制信号为参考,通过调节三个相移控制量来调节变换器的输出电压以及传输功率。本发明可以有效地归一化已有的相移控制方法,通过调节D1、D2以及D3三个相移量之间的关系能够等效为其他相移控制方法,具有最高的灵活性和兼容性,也简化了相移控制方法选取与设计的难度。

著录项

  • 公开/公告号CN104935176A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南交通大学;

    申请/专利号CN201510391177.3

  • 申请日2015-07-06

  • 分类号

  • 代理机构成都信博专利代理有限责任公司;

  • 代理人张澎

  • 地址 610031 四川省成都市二环路北一段111号西南交通大学科技处

  • 入库时间 2023-12-18 11:04:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-16

    授权

    授权

  • 2015-10-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M3/335 申请日:20150706

    实质审查的生效

  • 2015-09-23

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明属于属于电力电子控制技术领域,尤其是全桥隔离双向DC-DC变换 器(包含半桥三电平,全桥隔离双向DC-DC变换器)的控制系统设计与制造。

背景技术

近年来,随着经济的发展以及环境问题凸显,新能源变流技术的得到了迅 速发展,特别在直流微网,分布式发电系统,电动汽车行业以及区域不间断供 电系统中,为了解决功率流平衡,能量灵活储存等问题,全桥隔离双向DC-DC 变换器因其具有电气隔离、功率密度高、能量能双向流动以及模块级联容易等 优点得到了广泛应用。

在全桥隔离双向DC-DC变换器应用中,相移控制是非常典型应用的控制 方法,传统相移控制能完成功率的双向流动,且控制算法简单。但采用传统相 移控制,变换器会存在回流功率过大、开关应力大、电流应力较大以及系统效 率低等缺点。为优化全桥隔离双向DC-DC变换器的控制性能,国内外学者提 出了多种新型相移控制方法,其中包括扩展相移控制方法、双重相移控制方法 以及三重相移控制方法。

然而,这些众多的相移控制方法,由于控制方面限制条件和局限,较难获 取一个全局优化的控制性能,因此,为了充分利用全桥隔离双向DC-DC变换 器的拓扑结构和特征,完成该变化器综合优化控制性能,一个灵活度更高、兼 容性更强的相移控制方法成为了迫切的需要。

发明内容

鉴于现有技术的以上缺点,为解决上述的技术问题,本发明的目的是提出 一种应用于全桥隔离双向DC-DC变换器的归一化相移控制方法,通过调节相 移控制量D1、D2与D3的关系来等效为其它相移控制方法,实质克服现有技术 的以上缺点。

本发明实现其发明目的是通过如下步骤实现的:

(1)将全桥隔离双向DC-DC变换器的八个开关管的控制信号(S1、S2、 S3、S4、S5、S6、S7、S8)的占空比均设置为50%;

(2)设置同一桥臂的控制信号互反,即输入侧全桥拓扑第一个开关管(S1) 的控制信号与输入侧全桥拓扑第二个开关管(S2)的控制信号互反,输入侧全 桥拓扑第三个开关管(S3)的控制信号与输入侧全桥拓扑第四个开关管(S4) 的控制信号互反,输出侧全桥拓扑第一个开关管的控制信号(S5)与输出侧全 桥拓扑第二个开关管(S6)的控制信号互反,输出侧全桥拓扑第三个开关管(S7) 的控制信号与输出侧全桥拓扑第四个开关管(S8)的控制信号互反;

(3)设置输入侧全桥拓扑第一个开关管(S1)的控制信号与输入侧全桥 拓扑第三个开关管(S3)的控制信号的相移控制量为D1,设置输入侧全桥拓扑 第一个开关管(S1)的控制信号与输出侧全桥拓扑第一桥臂上管(S5)的控制 信号的相移控制量为D2,设置输入侧全桥拓扑第一个开关管(S1)的控制信号 与输出侧全桥拓扑第二个桥臂的下管(S7)的控制信号的相移控制量为D3

(4)通过调节相移控制量D1、D2以及D3的大小来完成全桥隔离双向 DC-DC变换器的输出电压及输出功率的控制,通过调节相移控制量D1、D2以 及D3之间的关系来等效为其它相移控制方法完成相移控制。

采用上述技术方案,本发明的有益效果在于:

(1)通过以同一开关管(S1)的控制信号为参考信号,能够得到移相控 制的所有状态,具有最高的灵活性;

(2)通过调节相移控制量D1、D2以及D3的关系,可以等效为已有相移 控制方法,具有最高的兼容性,能够得到其它相移控制的优化效果。

附图说明

图1是本发明方法控制的全桥隔离双向DC-DC变换器拓扑结构示意图。

图2归一化相移控制方法的波形示意图。

图3根据归一化相移控制得到的相移控制方法的遗传图。

图4归一化相移控制方法等效为其它相移控制方法波形示意图。其中:图 (a)为三重相移控制方法(D1≤D2≤D3≤1);图(b)为三重相移控制方法(D2≤D1≤D3≤1);图(c)为双重相移控制方法(D1≤D2≤D3≤1,D3-D2=D1);图 (d)为双重相移控制方法(D2≤D1≤D3≤1,D3-D2=D1);图(e)为扩展相移控 制方法(D1≤D2≤D3≤1,D1=0);图(f)为扩展相移控制(D1≤D2≤D3≤1, D3-D2=0);图(g)为传统相移控制方法。

图5归一化相移控制方法等效为其它相移控制方法波形实验示意图。其中: 图4.(a)D1=0.0346,D2=0.0692,D3=0.1729;图4.(b)D1=0.1658,D2=0.0829, D3=0.3317;图4.(c)D1=0.0508,D2=0.1016,D3=0.1524;图4.(d)D1=0.2735, D2=0.1368,D3=0.4103;图4.(e)D1=0,D2=0.0676,D3=0.1352;图4.(f)D1=0.0676, D2=0.1352,D3=0.1352;图4.(g)D1=0,D2=0.1000,D3=0.1000。

具体实施方式

下面结合本发明的技术方案和附图详细叙述本发明的具体实施方式。

本发明的全桥隔离双向DC-DC变换器的拓扑结构如图1所示。该变换器 主要由两个全桥变换器组成,一个辅助电感,两个电容,一个高频隔离变压器 组成。其中,n为变压器变比;C1、C2分别为电源侧支撑电容和负载侧支撑电 容;Uin为电源侧电压值;Lr为辅助电感值;Uo、io分别为输出电流和负载侧电 压;Uab、Ucd分别为变压器原边H桥输入电压和副边输出电压值;R为变换器 等效负载;两个全桥变换器由8个开关管组成,开关管的驱动脉冲分别为S1、 S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8

本发明的系统实例中两个支撑电容C1和C2均为2200μF,辅助电感L为 0.2mH,变压器的变比n为1,开关周期Ts为0.1ms,也可以根据具体的情况 设计变换器的参数。

本发明的用于全桥隔离双向DC-DC变换器的归一化相移控制方法的波形 示意图如图2所示,其含有三个相移控制量,通过调节相移控制量D1、D2以 及D3的关系可以等效为其他相移控制方法。该控制方法包括以下步骤:

(1)将全桥隔离双向DC-DC变换器的八个开关管的控制信号(S1、S2、 S3、S4、S5、S6、S7、S8)的占空比均设置为50%;

(2)设置同一桥臂的控制信号互反,即输入侧全桥拓扑第一个开关管(S1) 的控制信号与输入侧全桥拓扑第二个开关管(S2)的控制信号互反,输入侧全 桥拓扑第三个开关管(S3)的控制信号与输入侧全桥拓扑第四个开关管(S4) 的控制信号互反,输出侧全桥拓扑第一个开关管的控制信号(S5)与输出侧全 桥拓扑第二个开关管(S6)的控制信号互反,输出侧全桥拓扑第三个开关管(S7) 的控制信号与输出侧全桥拓扑第四个开关管(S8)的控制信号互反;

(3)设置输入侧全桥拓扑第一个开关管(S1)的控制信号与输入侧全桥 拓扑第三个开关管(S3)的控制信号的相移控制量为D1,设置输入侧全桥拓扑 第一个开关管(S1)的控制信号与输出侧全桥拓扑第一个开关管(S5)的控制 信号的相移控制量为D2,设置输入侧全桥拓扑第一个开关管(S1)的控制信号 与输出侧全桥拓扑第三个开关管(S7)的控制信号的相移控制量为D3

(4)限定相移控制量D1、D2以及D3的范围为均大于0度,小于等于180 度;

(5)设定D1、D2以及D3的关系让其等效为其他相移控制方法,如图4 所示:当D1≤D2≤D3≤1或者D2≤D1≤D3≤1时,归一化相移控制方法等效为三重 相移控制方法,分别如图4.(a)和图4.(b)所示;当D1≤D2≤D3≤1,D3-D2=D1或者 D2≤D1≤D3≤1,D3-D2=D1时,归一化相移控制方法等效为双重重相移控制方法, 分别如图4.(c)和图4.(d)所示;当D1≤D2≤D3≤1,D3-D2=D1或者D2≤D1≤D3≤1, D3-D2=D1时,归一化相移控制方法等效为双重相移控制方法,分别如图4.(c) 和图4.(d)所示;当D1≤D2≤D3≤1,D1=0或者D1≤D2≤D3≤1,D3=D2时,归一化 相移控制方法等效为扩展相移控制方法,分别如图4.(e)和图4.(f)所示;当 D1≤D2≤D3≤1,D1=0,D3=D2时,归一化相移控制方法等效为传统相移控制方法, 如图4.(g)所示;

(6)图5为图4各种相移控制状态对应的实验结果。其中,图4.(a)中, D1=0.0346,D2=0.0692,D3=0.1729,归一化相移控制方法等效为三重相移控制 方法(D1≤D2≤D3≤1);图4.(b)中,D1=0.1658,D2=0.0829,D3=0.3317,归一化 相移控制方法等效为三重相移控制方法(D2≤D1≤D3≤1);图4.(c)中,D1=0.0508, D2=0.1016,D3=0.1524,归一化相移控制方法等效为双重相移控制方法 (D1≤D2≤D3≤1);图4.(d)中,D1=0.2735,D2=0.1368,D3=0.4103,归一化相移 控制方法等效为三重相移控制方法(D2≤D1≤D3≤1);图4.(e)中,D1=0,D2=0.0676, D3=0.1352,归一化相移控制方法等效为扩展相移控制方法(D1=0);图4.(f) 中,D1=0.0676,D2=0.1352,D3=0.1352,归一化相移控制方法等效为扩展相移 控制方法(D2=D3);图4.(g)中,D1=0,D2=0.1000,D3=0.1000,归一化相移控 制方法等效为传统相移控制方法。

在不脱离本发明思想的情况下,本领域技术人员在不偏离本发明的范围和 精神的情况下,对其进行的关于形式和细节的种种显而易见的修改或变化均应 落在本发明的保护范围内。

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