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拥有同相位高功率单波长半导体激光的新型超连续谱光源系统

摘要

拥有同相位高功率单波长半导体激光的新型超连续谱光源系统,包括同源多路时钟,超连续谱光源和多个单波长半导体激光器,各个单波长半导体激光器的频率通过同源多路时钟调节为超连续谱光源的频率的整数倍或整除倍。本发明通过增加单波长半导体激光来弥补传统超连续谱光源难以覆盖400nm以下波长以及在400-2400nm处单波长功率密度小于10mW/nm的弱点,所加的单波长半导体激光器波长可以覆盖375nm-2400nm,最高单波长功率密度可以到200mW/nm,使之组成的新型超连续谱光源适用于375-400nm范围内的光谱显微等领域应用。此外通过对单波长半导体激光器和传统超连续谱光源的脉冲产生电路的时钟控制,可以使单波长半导体激光与传统超连续谱光源保持同相位输出,并且相对的脉冲延时灵活可调。

著录项

  • 公开/公告号CN104934844A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉安扬激光技术有限责任公司;

    申请/专利号CN201510381191.5

  • 发明设计人 杨惟佳;陈抗抗;

    申请日2015-07-02

  • 分类号

  • 代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人胡建平

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区创业街留学生创业园三楼C3116

  • 入库时间 2023-12-18 11:04:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S3/0941 申请公布日:20150923 申请日:20150702

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-10-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S3/0941 申请日:20150702

    实质审查的生效

  • 2015-09-23

    公开

    公开

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