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一种改善铝锗共晶键合工艺的方法

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本发明提供了一种改善铝锗共晶键合工艺的方法，包括：在CMOS封装晶圆上依次形成用于键合的钛元素层和铝金属层；而且在MEMS晶圆上依次形成用于键合的附加钛元素层、附加铝金属层和锗金属层；此后，使得铝金属层与锗金属层接触，并对铝金属层与锗金属层的接触面加热和加压，从而实现铝锗共晶键合。附加铝金属层的厚度≤

著录项

公开/公告号CN104891429A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-09-09

原文格式PDF
申请/专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司;
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申请/专利号CN201510189305.6
发明设计人黄锦才;刘玮荪;
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申请日2015-04-17
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑玮
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2023-12-18 10:55:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-02-08

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B81C3/00 申请公布日:20150909 申请日:20150417

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-10-07

实质审查的生效 IPC(主分类):B81C3/00 申请日:20150417

实质审查的生效
2015-09-09

公开

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1. 一种改善铝锗共晶键合工艺的方法 [P] . 中国专利： CN104891429A . 2015-09-09
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3. Eutectic bonding of semiconductor devices - with aluminium -germanium or aluminium-germanium-zinc [P] . 法国专利： FR2096801B1 . 1976-09-17

机译：半导体器件的共晶键合-铝-锗或铝-锗-锌
4. Eutectic bonding of semiconductor devices - with aluminium -germanium or aluminium-germanium-zinc [P] . 法国专利： FR2096801A1 . 1972-02-25

机译：半导体器件的共晶键合-铝-锗或铝-锗-锌
5. A method for the improvement of aluminum - silicon - alloys, preferably of such with a eutectic composition [P] . 德国专利： DE870188C . 1953-03-12

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