一种应用于半导体等离子体处理装置的弧面喷淋头

摘要

一种应用于半导体等离子体处理装置的弧面喷淋头，主要解决现有技术均匀性不够好、气体利用率较低的技术问题。所述喷淋头与载物台形成相对面，设置于反应腔室中，从喷淋头以喷淋状向载物台进行气体供给。所述喷淋头下表面为弧形结构，即喷淋头下表面各处与载物台的距离不等值，从中心到边缘的d不是固定值，是渐变值。所述喷淋头的喷淋开孔区域设置有多个通孔，用于气体的喷淋状供给。所述喷淋头下面的弧面结构区域面积占喷淋头下表面积的1％-100％。通过喷淋头下表面的弧面结构可实现半导体等离子体处理工艺制程的均匀处理，能够简单有效地提高气体的利用率，可广泛应用于半导体制造技术领域。