用于GaN基LED的抗反射透明电极结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种透明电极结构及其制备方法，尤其是一种用于GaN基LED的抗反射透明电极结构及其制备方法，属于半导体LED的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述用于GaN基LED的抗反射透明电极结构，包括GaN基板；所述GaN基板上设有纳米柱层，在所述纳米柱层上覆盖有ITO层；所述纳米柱层包括若干相互独立的TiO2纳米柱，在所述TiO2纳米柱的外侧设有柱隔离孔，ITO层覆盖在TiO2纳米柱上，并填充在柱隔离孔内，以使得ITO层与GaN基板欧姆接触。本发明结构紧凑，能显著提高GaN基正装LED的光抽取效率，工艺简单，成本低，安全可靠。