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一种抗衰退的闪存及抗衰退的方法

摘要

本发明公开了一种抗衰退的闪存,包含闪存阵列、控制器和电压调制器,还包含抗衰退电路,抗衰退电路分别与控制器和电压调制器互联,用于记录每次闪存阵列成功进行编程或擦除的提升的临界阶梯电压档位或最大计数阶梯电压档位,并且控制控制器下次施加临界阶梯电压档位或最大计数阶梯电压档位给闪存阵列以进行编程或擦除。本发明通过使用抗衰退电路记录每次闪存阵列成功进行编程或擦除的提升的临界阶梯电压档位,并且下次使用临界阶梯电压档位给闪存阵列以进行编程或擦除,这样下次可以从临界阶梯电压档位进行操作,避免每次从较低的阶梯电压档位开始,节省了操作时间,提高了闪存的运行速度,并且减少了达到最大计数的几率,延长了闪存的使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN104575596A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京兆易创新科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201310471076.8

  • 发明设计人 张建军;张赛;付永庆;胡洪;

    申请日2013-10-10

  • 分类号G11C16/06;G11C16/30;

  • 代理机构北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人胡彬

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层

  • 入库时间 2023-12-18 08:30:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-15

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C16/06 申请公布日:20150429 申请日:20131010

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/06 申请日:20131010

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

    公开

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