在硅熔体的表面上达成持续的非等向晶体成长的装置

摘要

一种用于自熔体成长晶体薄板的装置，其包括冷块组成。冷块组成可包括冷块以及围绕冷块的遮蔽，所述遮蔽具有比所述冷块的温度更高的温度，其中所述遮蔽定义出开口，所述开口沿着靠近熔体表面的所述冷块的表面配置，并且定义出包括沿着所述冷块的第一方向的宽度的冷却区域，所述冷却区域可操作以对靠近所述冷块的所述熔体表面的第一区域进行局部冷却。所述装置可还包括晶拉器，当配置冷块组成在熔体表面附近时，所述晶拉器以垂直于第一方向的方向拉动晶种。