金属氧化膜的成膜方法、氧化锰膜的成膜方法及计算机可读取存储介质

摘要

本发明公开了一种可使与Cu的密合性变良好的金属氧化膜的成膜方法。该成膜方法是一种将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在衬底上使金属氧化膜成膜的成膜方法，其中，将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在衬底上使金属氧化膜成膜，并且，在金属氧化膜的成膜工艺的最后将金属氧化膜暴露于含氧气体或含氧等离子体中。