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一种原位组装、电化学还原及表征氧化石墨烯的方法

摘要

本发明涉及一种原位组装、电化学还原及表征氧化石墨烯氧化态转换的方法,属于纳米材料技术领域主要解决的技术问题是,应用表面等离激元共振技术,原位监测化学法制备的氧化石墨烯在金膜表面组装过程,并且原位定量检测氧化石墨烯的不同还原程度。其步骤包括:将氧化石墨利烯利用物理吸附组装在金膜表面,利用电化学方法原位还原氧化石墨烯为石墨烯,利用软件拟合表面等离激元光谱曲线,检测传感芯片表面氧化石墨烯的组装和还原程度。本发明的优点:氧化石墨烯的组装、电化学还原和检测在一台机器上完成,仪器设备廉价,操作简单,效率高,精确度高。

著录项

  • 公开/公告号CN102645421A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林大学;

    申请/专利号CN201210118821.6

  • 发明设计人 崔小强;郑伟涛;薛天宇;

    申请日2012-04-21

  • 分类号G01N21/55;

  • 代理机构长春吉大专利代理有限责任公司;

  • 代理人朱世林

  • 地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号

  • 入库时间 2023-12-18 07:51:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N21/55 授权公告日:20131127 终止日期:20140421 申请日:20120421

    专利权的终止

  • 2013-11-27

    授权

    授权

  • 2012-10-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/55 申请日:20120421

    实质审查的生效

  • 2012-08-22

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明属于分析化学领域,特别涉及一种用于氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)组装 及还原程度检测的表面等离激元共振(Surface Plasmon Resonance,SPR)技术。

背景技术

石墨烯是2004年发现并迅速发展的一种新型材料,广泛应用于医药、生物、化学、电 子、物理等领域。化学法制备的石墨烯是将GO还原为石墨烯(RGO),目前,用于检测GO 是否还原的方法主要是拉曼光谱法(Raman spectra)、X射线光电子能谱分析(XPS)及原 子力显微镜分析(AFM),但是,以上表征手段存在较大误差,并且,检测氧化石墨烯的组 装过程和氧化石墨烯的还原程度无法精确定量及原位的表征。所以,需要一种新的方法监测 氧化石墨烯的组装过程以及原位表征氧化石墨烯的还原程度。

SPR是金属表面的等离激元波耦合照射光产生的一种共振现象,金属薄膜表面介电常数 和厚度的变化会影响SPR共振曲线的变化,从而实现金属表面介质环境变化的传感。目前 主要用于医药、生物、化学、食品等领域的监测传感,可灵敏检测蛋白质,DNA等物质, 具有实时、原位、免标记、灵敏度高等特点。

与本发明最相近的用于检测GO还原态的方法是拉曼光谱法及X射线光电子能谱分析等 方法。拉曼光谱法是比较还原前后的D峰与G峰的强度比值或者积分面积比值,确定GO 是否被还原;X射线光电子能谱分析法是利用比较分析还原前后C-C键、C-O键、C=O键、 C(O)O键的相对含量,确定GO是否被还原。

现有检测技术存在的主要问题是:(1)Raman光谱无法定量检测GO的还原程度,XPS 检测结果存在较大误差,并且以上两种方法均无法原位检测GO还原程度。(2)原位组装、 电化学还原及表征氧化石墨烯需要不同设备上完成,导致样品容易受到污染,检测准确性低, 操作繁琐。现有技术不能够原位监测氧化石墨烯的组装情况,这是需要应用其他仪器监测的, 因而无法只使用一种仪器实现氧化石墨烯组装及检测还原程度,所以无法定量比较还原程度 的大小。

事实上,测试GO的组装过程及还原程度主要是测定其还原前后的参数变化,经过对比 还原前后GO的参数可以确定GO是否被还原。然而,受测试仪器及样品污染等因素的影响, 无法依次原位地检测GO的组装和还原,而且结果存在很大误差,难以满足科研和实际应用 的检测要求。

发明内容

本发明要解决的技术问题是,应用表面等离激元共振(SPR)技术,原位监测化学法制 备的氧化石墨烯在金膜表面组装过程,并且原位定量检测氧化石墨烯的不同还原程度。

表面等离激元共振技术是,以波长为632.8nm的激光,基于棱镜耦合方法激发厚度为 50nm金膜表面的表面等离激元共振波,当发生表面等离激元共振时,入射光能量几乎全部 被束缚在金膜表面形成SPR,接受器接收到的光强最小,形成共振峰,当金膜表面介质环境 的介电常数和厚度发生变化时,共振峰的强度和位置发生变化,从而,根据研究共振峰的变 化可以定量研究表面介质的变化情况。

本发明的主要内容:

第一、将氧化石墨溶于水中,通过超声剥离得到分散性良好的氧化石墨烯溶液,氧化石 墨烯溶液的浓度是0.01-10mg/ml;测试空气环境中传感芯片金膜表面的SPR曲线。

第二、利用SPR仪器检测氧化石墨烯溶液在金膜表面组装的动力学曲线(在SPR电化 学样品池中加入去离子水,然后通入制备好的GO溶液,1-16小时后再通入去离子水冲掉未 吸附的残余GO溶液);用高纯氮气吹干传感芯片金膜表面,原位测试GO组装在金膜表面 后的SPR曲线。

第三、在样品池中直接通入pH=7.4的磷酸盐缓冲溶液(PBS),进行电化学还原(电位 范围:-1.6-0.0V,还原圈数:1-100圈)。然后,用去离子水冲洗和氮气吹干传感芯片金膜 表面,测试电化学还原的氧化石墨烯(ERGO)在金膜表面的SPR曲线。

第四、利用SPR光谱拟合软件对以上过程得到的SPR曲线进行拟合,得到GO组装和 还原后的厚度及介电常数,从而定量检测GO的还原程度。

第五、利用AFM、XPS及Raman光谱技术对氧化石墨烯还原前后金膜进行表征,证明 实验结果的合理性。

本发明利用SPR技术,能够原位检测GO组装在金膜表面及监测组装过程,并且原位 检测还原GO还原程度。通过分析SPR共振峰的变化,原位定量分析GO在金膜表面的组装 情况以及GO被还原程度。结果表明,此方法确实可以解决目前GO还原程度原位检测难的 问题。该检测方法简单、经济、高效,稳定,具有良好的应用前景。

附图说明

图1(a)是化学法制备GO的透射电子显微镜图。

图1(b)是化学法制备GO的原子力显微镜图。

图2是金膜表面组装GO共振峰的动力学曲线。

图3(a)是金膜表面的原子力显微镜图。

图3(b)是金膜表面组装GO后的原子力显微镜图。

图3(c)是金膜表面组装的GO被电化学还原为ERGO的原子力显微镜图。

图4是金膜、金膜表面组装GO和原位还原GO在空气环境中的SPR曲线。

图5是原位电化学还原GO过程循环伏安曲线。

图6(a)是金膜表面GO的拉曼光谱曲线。

图6(b)是金膜表面GO电化学还原为ERGO的拉曼光谱曲线。

图7(a)是金膜表面GO的X射线光电子能谱分析曲线。

图7(b)是金膜表面GO电化学还原为ERGO的X射线光电子能谱分析曲线。

具体实施方式

利用将改进的Hummers法制备氧化石墨烯溶于水中,通过超声剥离得到分散性良好的 氧化石墨烯溶液,氧化石墨烯溶液的浓度是(0.01,2,10)mg/ml;将GO滴在云母片上, 进行透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)表征,参阅图1。

实时监测传感芯片金膜表面GO组装过程。组装测试空气中金膜的SPR曲线,加入去 离子水,将2mg/mL的GO水溶液通入样品池,组装(1,12,16)h,然后用去离子水冲掉 未组装的GO溶液,组装过程中的SPR动力学曲线参阅图2。然后用高纯氮气吹干传感芯片 金膜表面,测试传感芯片金膜表面组装GO后的SPR曲线。

向样品池中通入用高纯氮气除氧后的PBS(pH=7.4)溶液,利用电化学循环伏安(C-V) 法原位还原传感芯片金膜表面的GO(金膜为工作电极,氯化银为参比电极,铂丝为对电极), 电位范围:(-1.6,-1.4,0.0),还原圈数:1-400圈。图4为循环伏安曲线,在-1.4V处的 还原峰越来越小,说明GO被还原,实时监测GO的电化学还原过程。用高纯氮气吹干传感 芯片金膜表面,原位测试GO电还原SPR曲线。

参阅图7(几何符号表示测量值,线表示拟合曲线),通过分别测定金膜表面、金膜表 面组装GO及GO被还原后的金膜表面ERGO的SPR曲线,利用免费的SPR光谱拟合软件 (Winspall)拟合SPR曲线,分析厚度、介电常数实部和虚部的变化。金膜SPR拟合曲线1 (实线)结果表明铬层厚度为0.53nm,介电常数为-5.1514+10.5349i,金膜的厚度为54.03 nm,介电常数为-10.8764+1.4464i;GO组装在金膜的SPR拟合曲线2(点划线)结果表明 GO的厚度为2.55nm,介电常数为1.6254+0.0095i;金膜表面GO被原位电化学还原为ERGO 的SPR拟合曲线3(虚线)表明ERGO的厚度为1.41nm,介电常数为7.4168+2.2605i,精 确检测了金膜表面GO及原位电化学还原后ERGO的厚度及介电常数,从而证明GO被电化 学还原。

为了验证本发明的正确性,利用拉曼光谱对还原前后的GO进行表征,图5为拉曼光谱, 还原前GO的D峰与G峰的强度比为0.84,还原后RGO的D峰与G峰的面积比为1.20。 GO经过电化学原位还原,D峰与G峰的强度比明显变大,证明GO被还原为RGO。

利用AFM表征传感芯片金膜表面、金膜上组装GO及GO经过电化学还原为ERGO的 表面形貌,参阅图3,通过对比传感芯片金膜表面组装GO前后的AFM图像,表明GO成 功组装在金膜表面,AFM图像数据定量说明传感芯片金膜表面均方根粗糙度(rms)发生了 变化,图3(a)是金膜表面的rms值为0.48±0.08nm,图3(b)是GO组装在金膜表面后 的rms值为1.90±0.10nm,图3(c)是经过原位电化学还原后ERGO的rms值为1.26±0.04nm, 定量证明GO吸附在金膜表面,并且,表征结果与还原后ERGO的厚度减小的实验现象一致, 证明GO被成功还原。

利用XPS进一步对还原前后的GO进行表征。参阅图6,金膜表面组装GO的C-C键 含量占53.02%,原位电化学还原后ERGO的C-C键含量占74.96%,还原后C-C键的含量 明显增加,证明GO被电化学循环伏安法还原为RGO。

传感片材料为:利用磁控溅射方法在LaSFN9玻璃表面依次镀制0.5-2nm的铬膜和45-55 nm的金膜。

电化学电极材料为:工作电极为传感片金膜,参比电极为氯化银,对电极为铂丝。

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