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硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法

摘要

一种硼铝共掺背面场硅太阳能电池,包括:一p型硅衬底;一n型发射极,该n型发射极位于p型硅衬底上;一迎光面钝化层,该迎光面钝化层生长在n型发射极上,该迎光面钝化层上开有电极窗口;一金属栅线电极,该金属栅线电极制作在迎光面钝化层上的电极窗口内,该金属栅线电极与n型发射极接触;一硼铝共掺背面场,该硼铝共掺背面场制作在p型硅衬底的下面;一金属背电极,该金属背电极制作在硼铝共掺背面场的下面。本发明可以通过硼离子注入和硅铝合金相结合的方法来实现背面场的硼铝共掺,可以提高背面场的掺杂浓度,降低背表面的复合速度,从而提高太阳能电池的开路电压。具有易实现、成本低、效果好的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN102832268A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-12-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201210333056.X

  • 申请日2012-09-10

  • 分类号H01L31/0288;H01L31/068;H01L31/18;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-18 07:46:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0288 申请公布日:20121219 申请日:20120910

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-02-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0288 申请日:20120910

    实质审查的生效

  • 2012-12-19

    公开

    公开

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